7月2日，中國（上海）自由貿易試驗區臨港新片區管理委員會正式印發《第四代半導體未來產業集聚區建設行動方案（2026-2028年）》（滬自貿臨管委〔2026〕48號）。方案聚焦以氧化鎵（Ga?O?）、金剛石（C）、氮化鋁（AlN）為代表的超寬禁帶半導體，以及以銻化銦（InSb）、銻化鎵（GaSb）為代表的超窄禁帶半導體，目標到2028年集聚企業不少于50家、產業規模力爭突破50億元。
政策背景：第四代半導體從實驗室走向產業化
方案對“第四代半導體”的界定包括兩個方向：超寬禁帶半導體（氧化鎵、金剛石、氮化鋁）和超窄禁帶半導體（銻化銦、銻化鎵） 。第四代半導體是新一代信息技術的重要前沿方向，在高壓功率、射頻微波、深紫外光電、紅外探測、量子傳感、極端環境電子等領域具有重要應用價值。
方案提出，到2028年集聚區建設取得階段性成效，形成材料、器件、工藝、裝備、應用等產業鏈環節集聚，構建基礎研究、技術攻關、概念驗證、工程化驗證、場景示范、規模化應用的全鏈條培育體系。最終目標是打造面向長三角的公共研發、中試驗證服務高地，建設具有全國影響力的第四代半導體材料與專用器件先導區。
在空間布局上，方案依托臨港新片區“滴水湖青創灣”和“東方芯港” 兩大載體。近期以“滴水湖青創灣”及大學科技園為核心，重點布局概念驗證平臺、專業孵化器、公共技術服務平臺，率先形成啟動區。中遠期向“東方芯港”拓展，深度融入集成電路全產業鏈布局體系，聯動新能源汽車、航空航天、高端裝備等產業協同發展。
八大重點工程：從材料到應用的全鏈條布局
方案明確了八大重點工程：核心基礎材料攻堅工程、顛覆性器件引領工程、先進異構封裝培育工程、創新平臺支撐工程、場景牽引示范工程、專業人才集聚工程、政策引領護航工程、開放培育協同工程。
核心基礎材料攻堅工程是重中之重。 在超寬禁帶方向，全力推進氧化鎵低成本、大尺寸晶圓量產，加強外延生長技術攻關，攻克同質外延和異質外延應用難點。金剛石方面，重點突破大面積、高質量、低缺陷金剛石晶體制備技術，提升在高導熱襯底、高功率器件、量子傳感等方向的應用適配能力，同時攻關量子金剛石NV色心控制，推動金剛石從熱管理材料向功能半導體材料拓展。氮化鋁方向，開發單晶生長技術。超窄禁帶方向，加速銻化物特色工藝開發。
顛覆性器件引領工程聚焦高壓功率器件、高頻射頻器件、深紫外光電器件、極端環境電子器件等方向。先進異構封裝培育工程圍繞高功率密度、高散熱需求和高頻信號完整性，重點推進器件與高導熱襯底鍵合、高溫封裝、三維異構集成等先進封裝技術研發。創新平臺支撐工程加快構建以重點實驗室、概念驗證平臺、公共技術服務平臺為支撐的創新平臺體系。場景牽引示范工程聚焦新能源汽車、高端裝備、航空航天、綠色低碳等重點應用領域。
聯盟解讀
臨港此次發布第四代半導體三年行動方案，標志著中國在超寬禁帶半導體領域的政策布局從“鼓勵探索”進入“有目標、有路徑、有節奏”的實質性推進階段。 氧化鎵、金剛石、氮化鋁等材料此前長期停留在實驗室研究階段，而方案中明確的“低成本、大尺寸晶圓量產”“高質量、低缺陷晶體制備”等目標，指向的是從實驗室到工程化、再到規模化供給的完整路徑。
金剛石被納入第四代半導體產業政策，是本次方案中值得關注的一個信號。 金剛石長期被視為熱管理材料，方案明確提出“推動金剛石從熱管理材料向功能半導體材料拓展”。與此同時，氧化鎵的低成本、大尺寸晶圓量產被列為優先方向，與當前國內多家機構在6英寸氧化鎵單晶方面的突破形成呼應。
從更寬的產業周期來看，第四代半導體的產業化窗口正在打開。 以氧化鎵、金剛石為代表的超寬禁帶材料，在禁帶寬度、熱導率、擊穿場強等關鍵指標上全面超越第三代半導體，有望在高壓功率、射頻微波、深紫外光電、量子傳感等場景中逐步替代現有材料體系。臨港方案中提出的八大工程和2028年50億元產業規模目標，為這一進程設定了明確的時間表和路線圖。
方案另一個值得關注的維度是“超窄禁帶半導體”被同步納入。 銻化銦、銻化鎵等材料在紅外探測、量子傳感等方向有重要應用價值，方案將其與超寬禁帶半導體并列，意味著臨港在第四代半導體的布局上采取了“寬禁帶+窄禁帶”雙向并進的策略
信息來源： 上海市人民政府
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