鎧俠和Sandisk發(fā)布332層3D NAND，密度高達(dá)29Gb/mm2

近日，存儲芯片大廠鎧俠（Kioxia）與Sandisk宣布，它們的第十代產(chǎn)品BiCS10（第10代BiCS）3D NAND Flash在日本巖手縣北上工廠的Fab2（K2）生產(chǎn)線正式投產(chǎn)。該產(chǎn)品主要面向數(shù)據(jù)中心等企業(yè)級儲存應(yīng)用，兼顧高密度與高性能，儲存密度方面更有望超越三星最新的V10世代400層3D NAND。

據(jù)介紹，面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的BiCS10采用332層堆疊，存儲密度超過29 Gb/mm2、提升59%，性能比前代提升約33%，數(shù)據(jù)傳輸速度達(dá)4,800 MT/s，可支持采用PCIe 5.0與PCIe 6.0接口。

鎧俠表示，新產(chǎn)品可將讀取延遲降低約4微秒（約降低10%）、讀取能耗也降低了約25%，由每GB約100 mJ降至75 mJ。這些改善來自全新設(shè)計的讀取機制，改變連續(xù)讀取時未被提取字線（Word Line）的運作方式。

針對消費類市場，鎧俠與Sandisk則計劃繼續(xù)提供BiCS9 NAND Flash，BiCS10是否用于高性能消費性SSD，仍將取決于市場供需情況。

鎧俠與Sandisk將分別在不同工廠生產(chǎn)BiCS9與BiCS10。在日本巖手縣北上市的最新Fab 2晶圓廠負(fù)責(zé)生產(chǎn)旗艦級332層BiCS10；位于三重縣四日市生產(chǎn)基地，則持續(xù)負(fù)責(zé)218層BiCS9的量產(chǎn)。

鎧俠Fab 2工廠配備最先進(jìn)的制造設(shè)備，更適合生產(chǎn)最高密度的BiCS10；至于技術(shù)成熟的四日市工廠，則更適合量產(chǎn)面向消費市場的BiCS9。此外，四日市廠大部分設(shè)備已完成折舊，可用較低成本生產(chǎn)主流NAND，并將最新產(chǎn)能保留給Fab 2，以生產(chǎn)最先進(jìn)NAND Flash產(chǎn)品。

編輯：芯智訊-林子