全球燃?xì)廨啓C(jī)供應(yīng)緊缺態(tài)勢(shì)持續(xù)加劇，三星電子京畿道龍仁尖端系統(tǒng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園總電力需求高達(dá)10GW，光州西南圈半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園用電需求同樣高達(dá)6.3GW。
兩大園區(qū)合計(jì)電力需求超過(guò)16GW，全部依賴(lài)液化天然氣燃?xì)怆姀S補(bǔ)給。然而燃?xì)廨啓C(jī)全球缺貨正讓這一計(jì)劃面臨巨大變數(shù)。
當(dāng)前300兆瓦以上大型燃?xì)廨啓C(jī)市場(chǎng)由美國(guó)GE Vernova、德國(guó)西門(mén)子能源、日本三菱重工三家巨頭高度壟斷。
GE Vernova燃?xì)廨啓C(jī)積壓訂單和產(chǎn)能承諾從2025年底的83GW增至2026年第一季度的100GW，預(yù)計(jì)2026年底至少達(dá)到110GW。
西門(mén)子能源交付時(shí)間已排到2029年乃至2030年，2028年供應(yīng)十分有限。一臺(tái)重型燃?xì)廨啓C(jī)交付周期從過(guò)去的12至18個(gè)月拉長(zhǎng)至3至5年，部分機(jī)型甚至需要等待7年。
需要指出的是，存儲(chǔ)芯片行業(yè)本就處于供不應(yīng)求的超級(jí)周期，如今電力配套面臨燃?xì)廨啓C(jī)卡脖子困境，進(jìn)一步加劇了供應(yīng)緊張預(yù)期。
業(yè)內(nèi)普遍預(yù)期存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲核心周期將持續(xù)至2026年底，產(chǎn)業(yè)高景氣度至少延續(xù)至2027年。
燃?xì)廨啓C(jī)短缺這一意想不到的供應(yīng)鏈瓶頸，正從電力端向半導(dǎo)體產(chǎn)能端傳導(dǎo)，存儲(chǔ)芯片漲價(jià)邏輯正在被進(jìn)一步強(qiáng)化。
另外當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月10日，SK海力士完成265億美元（約1802億元）ADR納斯達(dá)克上市，發(fā)行價(jià)149美元，首日收盤(pán)大漲12.76%，總市值達(dá)1.22萬(wàn)億美元（約8.30萬(wàn)億元）。
SK海力士CEO郭魯正表示，當(dāng)前沖擊電腦、汽車(chē)及消費(fèi)電子市場(chǎng)的存儲(chǔ)芯片短缺局面，大概率會(huì)延續(xù)至2030年之后。
當(dāng)前AI算力基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)催生海量HBM、通用DRAM與NAND需求，晶圓制造、EUV設(shè)備、先進(jìn)封裝產(chǎn)能存在剛性上限，短期新增產(chǎn)能無(wú)法匹配持續(xù)爆發(fā)的采購(gòu)需求。
下游云廠商、終端品牌、車(chē)企均預(yù)判芯片長(zhǎng)期緊缺，紛紛簽訂五年以上長(zhǎng)期供貨協(xié)議，公司六成至七成規(guī)劃出貨量已被長(zhǎng)協(xié)鎖定，側(cè)面印證市場(chǎng)供給緊張的長(zhǎng)期預(yù)期。
全球AI算力擴(kuò)張優(yōu)先搶占高端存儲(chǔ)產(chǎn)能，HBM訂單持續(xù)飽和，分流大量晶圓制造資源，手機(jī)、PC、汽車(chē)電子等通用終端同步面臨芯片供貨不足壓力，上游存儲(chǔ)漲價(jià)壓力持續(xù)向下游消費(fèi)電子傳導(dǎo)。
此前已有機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)DRAM供需缺口至少維持至2028年二季度，海力士本次判斷進(jìn)一步拉長(zhǎng)緊缺周期預(yù)期。
為緩解長(zhǎng)期供需失衡，SK海力士將本次上市全部募資投入產(chǎn)能擴(kuò)建，同步推進(jìn)海內(nèi)外多重大額投資規(guī)劃。
韓國(guó)龍仁半導(dǎo)體集群持續(xù)加碼，總投入超31萬(wàn)億韓元（約2115億美元，折合1.44萬(wàn)億元），首座HBM晶圓廠2027年投產(chǎn)；清州布局百億韓元級(jí)NAND與先進(jìn)封裝產(chǎn)線；美國(guó)印第安納州投入38.7億美元（約263億元）搭建海外HBM封裝基地，整套擴(kuò)產(chǎn)目標(biāo)五年內(nèi)實(shí)現(xiàn)整體晶圓產(chǎn)能翻倍。
