作者 | 宋子喬
當地時間7月14日，硅光代工大廠高塔半導體（Tower Semiconductor）宣布，將投資30億美元加強在日本的芯片制造，其中包括來自日本政府的10億美元撥款，用來擴大300mm（12英寸）硅光子（SiPho）、硅鍺（SiGe）和先進封裝產能。
此外，基于擴產計劃，高塔半導體同時上調了其2028年的財務目標，預計該年營收將達到36億美元（高于市場普遍預期的31.7億美元，該公司2025年營收為16億美元），凈利潤將達到12億美元（該公司2025年凈利潤為2.2億美元）。
消息發布后，高塔半導體（TSEM.US）股價當日（美股周二）收漲11.24%，盤中一度飆漲19%，年內累計暴漲117.59%，現報255.49美元。
據該公司公告，30億美元的擴產計劃分兩條線進行，聚焦300mm產品和先進封裝：
第一部分將大幅增加300mm硅光子器件產能，預計將于2027年四季度全面投產。該階段包括對原Fab 6工廠（位于荒井）進行改造，加碼300mm硅光子器件產能和先進封裝產能，從而最大限度地利用公司位于魚津的Fab 7工廠的300mm產能。
第二部分將與第一部分同步啟動，包括在Fab 7工廠旁新建一座300mm晶圓制造廠，相關協議的簽署和交割完成后即可投入使用。該工廠預計將使硅光子學和硅鍺的產能成倍增長，從而使高塔半導體能夠更好地滿足客戶對新興人工智能和數據中心應用日益增長的需求，并推動下一代光連接技術的發展。
高塔半導體預計，上述計劃將自2028年改善公司的盈利，新設施將從2029年開始帶來巨大的收益。
高塔半導體是專注特色工藝的晶圓代工廠，主營硅光子、硅鍺、射頻、圖像傳感器等模擬特種芯片代工。2014年其與松下合資成立TPSCo，控股收購原松下半導體制造業務，接手日本8/12英寸晶圓廠，繼承其圖像傳感、射頻工藝產能，強化了硅光、SiGe光電工藝量產能力，成為全球硅光流片的核心代工廠，英偉達為其客戶。
該公司目前在以色列擁有一座運營工廠（200mm），在美國擁有兩座工廠（200mm），在日本擁有兩座工廠（200mm和300mm）。此外，該公司還與意法半導體共同擁有位于意大利阿格拉特的一座300mm工廠。
隨著AI對光模塊的需求不斷增加，該公司正積極擴產。
2026年初，高塔半導體拋出6.5億美元的資本開支計劃，在2月份舉行的2025年第四季度財報說明會上，該公司宣布追加2.7億美元，合計9.2億美元，將投向硅光設備采購，計劃2026年底完成全部設備進場認證，以便2027年硅片出貨量達2025年Q4月出貨量5倍以上。
追加資本開支的同時，高塔半導體透露，超過70%的新增產能已被客戶鎖單至2028年。
5月，高塔半導體宣布與其最大的硅光客戶簽訂2027年硅光晶圓長期協議，訂單金額高達13億美元，已收到2.9億美元預付款；客戶已承諾在2028年下更大的訂單，并將在2027年1月之前支付更多預付款。
申萬宏源此前發布研報稱，預計到2027年，全球AI數通領域新投產AI芯片對400G以上光模塊/光引擎需求量將邁向1.55億支，對應的市場規模將超過700億美元。光芯片技術主要為EML轉硅光、互聯速率提升、CPO/NPO三大方向。該行聚焦技術壁壘最高+價值量占比潛在提升環節：模擬電芯片、硅光設計制造平臺、光芯片等。其中，高塔半導體、臺積電、格芯作為硅光設計制造平臺核心公司有望受益。
浙商證券表示，硅光與TFLN率先商用者有望搶占下一代技術先機隨著光模塊速率向1.6T及以上演進，傳統VCSEL逐步讓位，硅光憑借CMOS兼容和成本優勢滲透率快速提升，LightCounting在2026年6月發布的報告中指出，2026年基于硅光的光模塊銷售額將首次超過整體市場的50%；TFLN在3.2T以上超高速調制中性能突出，2026年進入產業化元年。率先完成硅光芯片設計流片、TFLN器件量產及先進封裝配套的企業，有望獲得先發優勢。
