近日，杭州富加鎵業(yè)科技有限公司在大尺寸氧化鎵外延技術(shù)領(lǐng)域取得新進(jìn)展。公司率先開展12英寸氧化鎵MOCVD外延技術(shù)研發(fā)，并成功將此前成熟的8英寸氧化鎵MOCVD外延工藝外推至12英寸，實(shí)現(xiàn)了大尺寸氧化鎵外延技術(shù)的重要突破。
8英寸（左）與12英寸（右）氧化鎵外延厚度分布對(duì)比
從目前公布的結(jié)果來看，此次制備的12英寸氧化鎵外延薄膜厚度均勻性優(yōu)于6%，外延后晶圓表面自然平整度較高，整體質(zhì)量表現(xiàn)良好。這意味著氧化鎵MOCVD外延工藝在更大尺寸晶圓上的可擴(kuò)展性得到進(jìn)一步驗(yàn)證，也為后續(xù)12英寸氧化鎵外延片的規(guī)模化制備和產(chǎn)業(yè)應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。
事實(shí)上，富加鎵業(yè)此前已經(jīng)在8英寸氧化鎵同質(zhì)外延方面積累了較好的技術(shù)基礎(chǔ)。2026年3月，公司制備出厚度達(dá)10微米級(jí)的8英寸氧化鎵同質(zhì)外延片，厚度均勻性優(yōu)于3%，表面粗糙度RMS低于1 nm，XRD搖擺曲線半高寬（FWHM）僅64.8弧秒，相關(guān)外延片已經(jīng)能夠直接用于功率器件制備。此次進(jìn)一步向12英寸拓展，也體現(xiàn)出其大尺寸氧化鎵外延工藝持續(xù)升級(jí)的技術(shù)路徑。
對(duì)于氧化鎵產(chǎn)業(yè)而言，大尺寸化不僅意味著晶圓尺寸的擴(kuò)大，更直接關(guān)系到器件制造成本和未來規(guī)模化生產(chǎn)效率。理論上，12英寸晶圓的面積約為8英寸的2.25倍，在相同工藝條件下能夠獲得更多有效芯片，從而提高單片產(chǎn)出并降低單位器件制造成本。因此，12英寸氧化鎵外延技術(shù)的推進(jìn)，有望進(jìn)一步加速氧化鎵材料從研發(fā)驗(yàn)證走向產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
目前，富加鎵業(yè)已形成覆蓋6英寸、8英寸襯底，并向12英寸延伸的產(chǎn)品布局，同時(shí)具備氧化鎵單晶、襯底及外延等環(huán)節(jié)的技術(shù)能力。隨著12英寸外延技術(shù)持續(xù)成熟，公司正在進(jìn)一步完善“裝備—襯底—外延”全產(chǎn)業(yè)鏈布局，為下游氧化鎵功率器件企業(yè)提供更完整的材料解決方案。此次12英寸外延突破，也意味著氧化鎵大尺寸化進(jìn)程正在加速。
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