法國市場研究機構Yole Group分析師約瑟芬·盧在加州舉行的2026年未來內存與存儲大會（FMS 2026）上表示，在三星、SK海力士的大規模投資推動下，韓國將在2031年之前保持全球內存芯片市場的領先地位。
韓媒隨即援引這一預測展開報道，稱韓國存儲芯片霸主地位至少還將延續5年，中國等競爭對手難有翻盤機會，消息一出引發業界廣泛關注。
約瑟芬·盧的發言也給韓國產業界吃了定心丸，三星、SK海力士的高管紛紛表示對前景充滿信心，將加大投入鞏固優勢。韓國計劃在未來五年內把晶圓產能翻一番，大幅提升芯片產量。
市場方面，韓國2026年第二季度DRAM市場全球整體份額高達65%。而中國長鑫存儲全球DRAM市場份額已升至7%，營收同比增長716%，位列全球第四，中國廠商正在快速追趕。
國際半導體產業協會（SEMI）最新報告指出，中國成熟制程芯片產能已占全球約35%，但高端AI存儲芯片領域仍主要由韓國主導。
尤其是高端技術方面，技術代差仍然明顯。Yole Group評估認為，長鑫存儲的DRAM已達1z工藝水平，這是10納米級第三代技術，與三星電子和SK海力士2019年就已達到的水平相當，落后約7年。
市場機構預計，全球內存市場規模五年內將增長四倍。產能與技術雙線推進下，2031年之前韓國的領先地位難被撼動，中國廠商追趕之路依然漫長。
Yole Group的預測也留有余地：韓國領先地位延續至2031年，暗示2031年之后將是分水嶺。在這場存儲芯片的馬拉松中，中國已經跑進了第一方陣，差距在縮小，追趕在加速，屬于中國的機會窗口正在打開。
