日前，在美國舉行的 2026 年未來存儲大會上，三星電子正式對外披露面向 AI 時代的新一代存儲技術路線圖，首次展出 zHBM、zNAND?O 概念模型，同時推出超 400 層堆疊的第十代 V10 BV?NAND 閃存。
圖源：三星電子
據三星數據顯示，搭載 zHBM 的 AI 加速器系統性能最高可達 HBM5 的 8 倍，能效提升 3 倍，熱阻降低一半以上。
該架構還支持中間層集成客戶定制 IP 模塊，可靈活擴展內存容量、優化加速單元，適配不同廠商 AI 芯片的定制化開發。
三星將該技術的量產時間預期設定在2029年前后，目前尚未給出明確的量產時間表。
圖源：三星電子
三星提出，下一階段 AI 半導體競爭，將轉向內存、邏輯芯片、鍵合封裝、熱管理與系統架構的一體化綜合比拼。
本次亮相的 zHBM 為整套技術的核心。不同于傳統 HBM 與處理器并列擺放，zHBM 將內存垂直堆疊在 AI 加速器上方，依托混合銅鍵合、多晶圓鍵合工藝，大幅縮短處理器與內存之間的數據傳輸路徑。
在NAND閃存領域，三星電子同步發布了新一代高性能閃存解決方案zNAND-O，目標量產時間為2028年。
圖源：三星電子
該產品采用硅通孔(TSV)技術，可實現4層或8層堆疊，面向端側人工智能(On-device AI)應用，主打低延遲、高空間利用率，適配終端實時密集型 AI 推理任務。
此外，三星電子還首次展示了采用 400 層以上超高堆疊結構的第十代"V10 BV-NAND"。
該產品采用晶圓鍵合(Wafer Bonding)和三層堆疊(3-Stack)技術，存儲密度較上一代產品V9提升約58%，讀取、寫入性能及輸入輸出(I/O)速度均得到提升。
圖源：三星電子
展會期間，三星電子還展示了HBM4E、HBM5模型、LPDDR5X-PIM以及企業級固態硬盤PM1763、BM1773等面向AI數據中心的存儲產品。
此外，三星表示已于今年2月率先實現基于1c DRAM工藝及4納米基底裸片的HBM4量產，并于5月首批向全球客戶發貨HBM4E樣品。
業內分析指出，隨著存儲大廠持續沖高堆疊層數，行業競爭已經不只是層數競賽，功耗、成本、系統協同優化將成為下一階段核心焦點。
三星整套 3D 存儲方案，試圖從底層架構破解 AI 算力系統內存瓶頸，為未來高性能 AI 硬件提供全新技術路徑。
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