8月12日，在韓國舉行的“2026下一代光刻與圖案化會議”（2026 Next-Generation Lithography + Patterning）上，三星電子技術副總裁樸昌民（ChangMin Park）表示，公司計劃從1納米（A10）制程節點開始，引入ASML的高數值孔徑（High NA）極紫外（EUV）光刻機進行量產。這一時間點預計在2030年左右。
樸昌民透露，三星曾一度希望將High NA EUV技術用于2納米（SF2）及1.4納米（SF1.4）節點的量產，但經過評估后認為，該技術在現階段的應用仍不夠成熟，因此決定推遲。三星相信，對于A10（1納米）及更先進的節點，High NA EUV光刻機將成為必需的工具。
High NA EUV光刻機的數值孔徑（NA）為0.55NA，高于當前標準EUV光刻機的0.33NA。更高的數值孔徑允許打印更小的電路尺寸，從而實現單次圖案化，避免了傳統低數值孔徑（Low NA）EUV光刻機為實現更小制程而必須采用的多重圖案化工藝。
雖然利用Low NA EUV光刻機通過多重曝光來制造更小的電路，會增加制造成本、工藝復雜度和缺陷率。但是，單臺High NA EUV光刻機售價高達3.5億至4.1億美元，幾乎達到了Low NA EUV光刻的兩倍。
盡管ASML的High NA EUV光刻機已于兩年前開始發貨，但其在先進制程中的實際應用進度已出現多次延遲。臺積電高管去年就曾表示，其后續的A14（1.4納米級）及之前的制程的量產都不會采用High NA EUV光刻機。
直到今年7月15日，ASML宣布，英特爾Foundry正在Intel 18A工藝節點上采用ASML High NA EUV技術生產其部分英特爾Core Ultra 3系列處理器。英特爾Foundry成為了業界首家采用High NA EUV生產大量邏輯產品的公司。
三星則預計，搭載High NA EUV技術的1納米芯片將在2030年左右進入大規模生產階段。在此之前，三星將使用現有的Low NA EUV光刻機，通過多重圖案化等工藝在2029年量產1.4nm（SF1.4）制程。
編輯：芯智訊-浪客劍
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