英特爾將重返內存市場？

在錯失移動、云計算和AI三波浪潮后，英特爾正試圖抓住下一個技術周期的船票。

當地時間8月11日，英特爾CEO陳立武（Lip-Bu Tan）在Celesta Capital的《TechSurge》播客中，釋放出強烈信號：英特爾正探索重返內存市場，其核心方向是研究全新的內存架構，并探索將CPU與內存進行堆疊整合的可能性。

陳立武在節目中坦言自己過去對內存業務持回避態度，因其被視為低利潤的大宗商品。但現在，情況已截然不同。

“我以前的觀點是‘不要投資內存，因為這是大宗商品生意’，但現在它變了，”陳立武說，“有很多新技術正在涌現。我們正在關注，其中有一個我的‘心頭好’項目，就是研究一些新的內存架構。”

陳立武此番表態的背景，是內存市場正經歷一場由AI驅動的超級周期。市場對高帶寬、大容量內存的需求激增，使存儲芯片從配角變為決定AI基礎設施性能的關鍵瓶頸。即便是存儲板塊股票在持續大漲后近期遭遇了集體回調，截至8月12日，SK海力士、美光的美股市值均已回到了1萬億美元上方。

陳立武暗示，他聘請了自己的“老朋友”——SK海力士前CEO李錫熙（Seok-Hee Lee），出任英特爾代工業務執行副總裁，全面主導先進封裝與系統整合工作。

△英特爾代工業務執行副總裁李錫熙（Seok-Hee Lee）

“所以你們大概能猜到我在思考什么方向，”陳立武說，“但我們還沒準備好公開細節。”

市場普遍認為，英特爾的目標并非重返傳統DRAM或NAND閃存制造，與三星、SK海力士直接競爭，而是另辟蹊徑。陳立武在訪談中也明確表示，他看好CPU與內存的堆疊（stacking）：“我認為CPU和內存之間，其實有很多方式可以把兩者真正堆疊在一起，也可以嘗試為內存找到一些新的架構。”

顯然，陳立武瞄準的是“計算+內存+先進封裝”的融合市場。通過EMIB、Foveros等先進封裝技術，將CPU與定制化內存更緊密地集成，以解決AI時代數據搬運的功耗和延遲難題。這一方向也與此前英特爾曝光的旨在替代HBM的ZAM、XBM等新型內存架構專利相吻合。

今年2月，英特爾與軟銀旗下子公司SAIMEMORY宣布共同開發一項名為“ZAM（Z-Angle Memory）”的創新內存技術，旨在滿足人工智能和高性能計算日益增長的需求。ZAM采用堆疊式DRAM架構，可實現超越HBM的大容量且高帶寬的數據處理，并提升處理性能、降低功耗、成本也可降低一半。該計劃預計將于今年第一季度啟動，原型設計計劃于2027年完成，并于2029年實現商業化。

隨后在今年7月初，英特爾曝光了其“跨批次內存”（XBM）架構的一項專利申請，該設計旨在繞開現有HBM對硅中介層（interposer）的依賴，通過后端工藝晶體管與串行UCIe互連取代傳統DRAM及其超寬接口，從而大幅壓縮封裝成本。據Wccftech報道，XBM的商業化目標時間節點定在2030年之后，與英特爾聯合軟銀旗下SAIMEMORY共同開發的ZAM內存架構時間線一致。

英特爾成立于1968年，其最初的業務正是內存。當時大多數計算機使用磁性方式來存儲信息，通過手工制作的磁芯內存（Magnetic Core Memory）正是那個年代的產物，能耗和成本均十分高昂。英特爾在1969年推出首款內存產品3101 SRAM之后，1970年正式發布了成本更低的1103 DRAM，這款產品之后兩年內迅速取代了磁芯內存，成為了當時全球銷量最高的半導體器件。

△英特爾1103 DRAM

△英特爾展示的核心內存（左）與1103 DRAM的對比（右，未拍全）

但是，在1980年代，因日本企業進入存儲行業引發激烈的市場競爭，英特爾被迫退出了存儲行業，轉向了微處理器。此后，英特爾曾通過NAND閃存和傲騰（Optane）重返市場，但均未獲得足夠的成功，導致最終放棄。

如今，內存市場的豐厚利潤與戰略性，使英特爾再次心動。但挑戰同樣嚴峻。一方面，英特爾在數年前已經將自己的NAND閃存及SSD業務出售給了SK海力士。該第一階段交割發生在2020年底，第二階段（收購剩余資產，包括中國大連工廠） 已于2025年第一季度完成。顯然，從現在來看，英特爾此前出售存儲業務可謂是“踏錯了節奏”；另一方面，任何新的內存架構從研發到量產都需要數年時間，且需要巨額資本投入。

陳立武承認，重返內存市場的計劃尚未最終敲定，也未透露時間表、產品路線圖或資本承諾。但他的表態已為英特爾的轉型故事打開了新的想象空間：在錯失多個時代后，這家硅谷曾經的巨頭，正試圖通過融合計算與存儲的“新架構”，在AI時代發起一場遲到但關鍵的“回歸”。