【成員動(dòng)態(tài)】鎵仁半導(dǎo)體完成數(shù)億元A輪融資，領(lǐng)跑氧化鎵產(chǎn)業(yè)化

近日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布完成數(shù)億元A輪融資。

本輪由方廣資本、深創(chuàng)投集團(tuán)聯(lián)合領(lǐng)投，遠(yuǎn)致星火、中國中車、株洲高科產(chǎn)投、華睿投資、余杭金控、傳化資本、嘉道資本跟投，原有股東九智資本、毅嶺資本同步超額追加。融資匯聚頭部市場(chǎng)化創(chuàng)投、下游產(chǎn)業(yè)龍頭及地方國資等多方優(yōu)質(zhì)機(jī)構(gòu)，新老股東均對(duì)公司長期價(jià)值抱有堅(jiān)定信心。

本輪資金將重點(diǎn)投向氧化鎵產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)：

一是支持下游芯片客戶完成器件驗(yàn)證，協(xié)同打通“襯底外延－芯片器件－終端應(yīng)用”全鏈路，推動(dòng)終端示范應(yīng)用；

二是擴(kuò)大6/8英寸襯底及外延量產(chǎn)產(chǎn)能，以更高良率和交付效率滿足客戶持續(xù)增長的訂單需求。

從浙大實(shí)驗(yàn)室到產(chǎn)業(yè)化

鎵仁半導(dǎo)體的基因，寫在浙江大學(xué)硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的實(shí)驗(yàn)記錄本上。

創(chuàng)始人張輝2005年在浙大獲得博士學(xué)位，此后十余年深耕晶體生長方向，2009年至2011年在美國圣路易斯華盛頓大學(xué)做訪問學(xué)者。2018年，在學(xué)術(shù)帶頭人楊德仁院士的設(shè)計(jì)和指導(dǎo)下，張輝與團(tuán)隊(duì)開始研發(fā)氧化鎵單晶材料。四年后，2022年9月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司在蕭山注冊(cè)成立。

團(tuán)隊(duì)核心成員幾乎全部來自浙大硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院。首席顧問楊德仁院士的坐鎮(zhèn)，意味著這家初創(chuàng)企業(yè)在晶體缺陷控制和熱場(chǎng)設(shè)計(jì)領(lǐng)域，起點(diǎn)就站在了國內(nèi)第一梯隊(duì)。

據(jù)了解，硅材料背景的團(tuán)隊(duì)做氧化鎵，優(yōu)勢(shì)恰恰在于熱場(chǎng)設(shè)計(jì)。鑄造法本質(zhì)上是在可控?zé)釄?chǎng)中實(shí)現(xiàn)熔體定向凝固，這與硅單晶生長的底層邏輯相通，也是鎵仁能在短時(shí)間內(nèi)突破的關(guān)鍵。

技術(shù)路線切換：鑄造法改寫成本曲線

鎵仁的襯底尺寸從2英寸推進(jìn)到8英寸，但真正可能改寫產(chǎn)業(yè)規(guī)則的，是技術(shù)路線的切換。

此前氧化鎵襯底產(chǎn)業(yè)幾乎被導(dǎo)模法（EFG）壟斷。這條路線需要使用大量貴金屬銥（Iridium）制作坩堝和模具。據(jù)張輝在公開活動(dòng)中透露，4英寸氧化鎵坩堝需要用到約5kg銥。

鎵仁半導(dǎo)體選擇了另一條路：鑄造法。據(jù)悉，鎵仁依靠全球獨(dú)創(chuàng)的鑄造法長晶技術(shù)，穩(wěn)定生長出超厚氧化鎵晶體，結(jié)合超薄襯底加工技術(shù)，將襯底出片量提升至原有3至4倍，襯底單片成本較原來降低80%以上。

成本降80%，出片量翻3至4倍——這兩個(gè)數(shù)字的乘積效應(yīng)，才是氧化鎵襯底成本曲線出現(xiàn)斷崖式下跌的真正原因。

據(jù)鎵仁方面測(cè)算，現(xiàn)有技術(shù)量產(chǎn)后，6英寸襯底成本可做到2000元以下。

需要說明的是，鎵仁所稱的鑄造法，技術(shù)底子是垂直布里奇曼法（VB）。鎵仁自研了首臺(tái)包含工藝包的氧化鎵專用VB長晶設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了從設(shè)備開發(fā)、熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、晶體生長到晶體加工的全鏈條自主可控。值得注意的是，公司還對(duì)外銷售該型長晶設(shè)備，商業(yè)模式并不止于材料本身。