【成員動態】深圳平湖實驗室聯合香港科技大學、北京航空航天大學成功研制抗輻照碳化硅器件，將SEGR閾值電壓提升至400V

寬禁帶半導體技術創新聯盟 2026-08-13 18:37

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抗輻照SiC MOSFET器件在商業航天領域前景廣闊。功率器件被譽為電力電子系統的“心臟”，采用SiC功率器件的空間電源模塊效率可從85%提升至95%，功率-體積比提高近5倍，可大幅簡化散熱設備、降低發射成本。在低軌巨型星座、深空探測器等場景中，SiC器件是300V以上高壓母線體制下深空平臺及大功率衛星的首選。全球宇航級SiC功率器件市場預計2034年將達23.1億美元，商業化前景可期。

抗單粒子輻照性能提升，SEGR電壓突破400V

基于深圳平湖實驗室自主搭建、面向產業驗證的8英寸SiC中試平臺，聯合香港科技大學陳敬教授課題組及北京航空航天大學呂綱教授課題組，通過器件結構設計及制造工藝創新，采用多維電場屏蔽、多通路空穴抽取的結構設計及二次外延工藝，研制出抗單粒子輻照加固SiC MOSFET器件。

實驗結果顯示，深圳平湖實驗室聯合研制的抗單粒子輻照加固SiC MOSFET器件，將單粒子柵穿（Single-Event Gate Rupture，SEGR）閾值電壓從常規1200V SiC MOSFET結構的200V提高至400V，性能提升100%，極大地提高了器件抗單粒子輻照能力。本成果有望支撐未來航天單電源模塊達千瓦級，在探月工程、載人登月、深空探測等領域提供新一代功率器件方案。