之前我們?cè)l(fā)過(guò)解釋英飛凌IGBT模塊命名規(guī)則的文章（還沒(méi)看過(guò)的同學(xué)戳這里??：英飛凌IGBT模塊命名規(guī)則）我司作為IGBT大廠，除了種類(lèi)繁多的模塊型號(hào)，還有單管型號(hào)也是數(shù)不勝數(shù)。好在單管封裝沒(méi)有那么多復(fù)雜的拓?fù)?，封裝形式也有限。因此IGBT單管的命名規(guī)則相對(duì)簡(jiǎn)潔一些。
IGBT單管以時(shí)間為界，有兩套體系
Infineon
對(duì)于2013年3月份之前release的器件，命名規(guī)則如下圖。主要傳達(dá)的信息有：芯片種類(lèi)（是否有續(xù)流二極管）+封裝形式+電流等級(jí)+電壓等級(jí)+芯片類(lèi)型+是否車(chē)規(guī)級(jí)芯片:
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單管塑封殼上面都會(huì)有激光打標(biāo)，這可以說(shuō)是料號(hào)的“昵稱(chēng)“——用更少的字母，表達(dá)了豐富的特性。例如對(duì)于IHW20N120R3這顆器件，它的封裝上的標(biāo)志是H20R1203，各數(shù)位含義和料號(hào)的命名規(guī)則相同，如下圖：
對(duì)于2013年3月之后release的器件，它的命名規(guī)則稍有不同。
1 | 首先，封裝形式更加豐富了，從6種拓展到了11種，新增封裝類(lèi)型包括：TO247-4pin，TO247plus-3pin/4pin，高級(jí)絕緣的TO247 3pin，以及使用燒結(jié)技術(shù)的TO263 3pin。由于新型封裝形式層出不窮，表示封裝的第3數(shù)位還會(huì)繼續(xù)拓展，不斷更新。 |
2 | 第7數(shù)位表示了反并聯(lián)二極管的類(lèi)型（EmCon, rapid1, rapid2），以及其電流等級(jí)是否和IGBT相同，如相同，則標(biāo)為full rated。第8數(shù)位代表了IGBT類(lèi)型，可以看到這套命名規(guī)則里的IGBT芯片類(lèi)型，可比上一代多多啦，從TRENCHSTOP? 2到最新的TRENCHSTOP? 7應(yīng)有盡有。 |
3 | 在高級(jí)絕緣TO247 3pin產(chǎn)品最后一位，可能還會(huì)有一個(gè)字母E，這個(gè)字母E代表最具性?xún)r(jià)比的高級(jí)絕緣方案。如果缺省，則默認(rèn)為性能最優(yōu)的高級(jí)絕緣方案。 |
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激光打標(biāo)規(guī)則和上一代也有很大變化，值得注意的是兩點(diǎn)：
■ 電壓等級(jí)（第三數(shù)位）不再給出數(shù)字，而以字母替代。字母和電壓的對(duì)應(yīng)規(guī)則如表1。你說(shuō)看起來(lái)好像沒(méi)什么規(guī)律呢？是的，考驗(yàn)記憶力的時(shí)候到了。。。
■ 激光打標(biāo)第四數(shù)位上給出了二極管信息（是否是全電流二極管），其規(guī)則同上圖中料號(hào)的命名規(guī)則group 7。
IGBT單管的命名規(guī)則
就講到這兒吧，
一時(shí)記不住也沒(méi)關(guān)系，
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Infineon
關(guān)于英飛凌
英飛凌設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、制造并銷(xiāo)售各種半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。其業(yè)務(wù)重點(diǎn)包括汽車(chē)電子、工業(yè)電子、射頻應(yīng)用、移動(dòng)終端和基于硬件的安全解決方案等。
英飛凌將業(yè)務(wù)成功與社會(huì)責(zé)任結(jié)合在一起，致力于讓人們的生活更加便利、安全和環(huán)保。半導(dǎo)體雖幾乎看不到，但它已經(jīng)成為了我們?nèi)粘Ｉ钪胁豢苫蛉钡囊徊糠?。不論在電力生產(chǎn)、傳輸還是利用等方面，英飛凌芯片始終發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。此外，它們?cè)诒Ｗo(hù)數(shù)據(jù)通信，提高道路交通安全性，降低車(chē)輛的二氧化碳排放等領(lǐng)域同樣功不可沒(méi)。
你“在看”我嗎？
