


輸入:VIH>3.5V,VIL<1.5V。
可以看出TTL電平的噪聲容限為0.4V,CMOS的噪聲容限為1.5V。
TTL和CMOS門電路結構:

如圖TTL門結構,輸出級采用推挽式輸出結構,T4為射極跟隨的形式,輸出電阻小,帶負載能力強。

如圖CMOS門結構。

3.3V LVCMOS:Vcc:3.3V;VOH>=3.2V;VOL<=0.1V;VIH>=2.0V;VIL<=0.7V。2.5V LVCMOS:Vcc:2.5V;VOH>=2V;VOL<=0.1V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。
二、高速電平標準
在高速電路中如何實現高速驅動輸出呢?要么增大驅動電流,要么降低電平標準,或者提高晶體管工作速度。顯然前者會帶來非常大的功耗,因此改變電平標準和改進晶體管設計成為選擇,雖然低電平更容易受到干擾,所以需要更嚴格的硬件設計。
1、ECL和PECL電平接口
ECL即射極耦合邏輯(Emitter Coupled Logic)采用的是差分結構輸出,并需要負電源供電。后來發展處PECL,即正電源射極耦合邏輯。基本原理就是利用晶體管工作在非飽和區來減小轉換時間,大大提高轉換速度。

ECL的輸出管始終有電流通過,非常有利于高速轉換。輸出阻抗幾歐姆,輸出電流10mA左右,驅動能力強。
接口連接:直流耦合,適用于短距離







LVDS的連接方式:直接連接,因為片內具有端接電阻。










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