作者 | 張真
為確保下一代DRAM實現量產，韓國存儲兩巨頭正共同推進EUV光刻工藝的研發。
據報道，在近日舉行的“下一代光刻+圖案化”會議（NGL 2026）上，SK海力士副總裁表示：“正在考慮多重曝光EUV或引入高數值孔徑（High-NA）單次曝光技術，以大規模生產極致微工藝。”
其補充道，隨著今年全面啟動相關技術的研發，公司已開始全面引入PSM等新型材料，以期提升EUV光刻性能。
PSM全稱Phase Shift Mask，意為相移掩模版。掩模版是半導體生產制造過程中不可或缺的材料，其工作原理是將設計好的電路圖形通過光刻刻蝕等工藝繪制在掩模版上，隨后將掩模版承載的電路圖形通過曝光的方式轉移到硅晶圓等基體材料上。
作為掩模版中的一大子類，PSM能夠同時控制光強與光相位，通過相消干涉壓制衍射偽影，從而將High-NA EUV理論分辨率真正釋放。
除此之外，另一韓國存儲巨頭三星電子也正著手于High-NA EUV技術的研發。
據報道，三星電子計劃將High-NA EUV技術應用于存儲芯片量產。公司方面表示：“預計從A10（1nm）及以下工藝開始就需要高數值孔徑極紫外光刻技術，因此正在與各合作伙伴開展聯合研發。”鑒于此，三星電子預計成功實現2nm工藝商業化后，于2029年量產1.4nm工藝，最終于2030年開始量產1nm工藝。
值得一提的是，去年三星電子就曾試圖將PSM引入EUV光刻技術，彼時公司高管指出：“技術發展趨勢正從二元掩模轉向PSM。我們最初使用的是二元掩模，但由于某些局限性，市場對PSM的需求日益增長，我們正在嘗試將其應用于產品中。”
民生證券指出，半導體掩模版作為核心半導體材料之一，2021年占全球半導體材料市場的12%，僅次于硅片和電子特氣。高端半導體掩模版主要被美國和日韓廠商壟斷，隨著中國在先進制程領域不斷突破，掩模版市場規模有望進一步擴大，為國產廠商帶來巨大機遇。
