1、什么是阻容降壓？
阻容降壓是一種利用電容在一定頻率的交流信號下產生的容抗來限制最大工作電流的電路。
電容器實際上起到一個限制電流和動態分配電容器和負載兩端電壓的角色。
2、阻容降壓電路由哪幾部分組成？
阻容降壓電路由降壓模塊、整流模塊、穩壓模塊和濾波模塊組成。
3、阻容降壓基本設計要素
電路設計時，應先確定負載最大工作電流，通過此電流值計算電容容值大小，從而選取適當電容。
此處與線性變壓器電源的區別：阻容降壓電源是通過負載電流選定電容；線性變壓器電源是通過負載電壓和功率選定變壓器。
4、阻容降壓電流計算
阻容降壓電路可以等效為由降壓電容C1和負載電阻R1組成，電阻和電容串聯分壓。
電容C1的容抗為 Zc=-j/wC=-j/2πfC
電阻R1的阻抗為 Zr=R
總的等效阻抗為 Z=Zc+Zr=-j/2πfC+R
所以 I=U/Z=U/(Zc+Zr)=U/(-j/2πfC+R)
因為阻容降壓電源僅適用于小電流電路，選取的電容容值范圍一般為0.33UF到2.5UF，所以Zc為-1592j到-9651j。而等效負載阻抗Zr在200Ω左右，顯然有|Zc|>>|Zr|，同時輸入電源電壓分在負載上的壓降也遠小于電容的壓降，所以有：Z≈Zc，矢量圖的θ角接近于90°。
由此可得:
I=U/Z=U/Zc=U/(-j/2πfC)
=220*2π*f*C*j
=220*2π*50*C*j
=j69000C
I=|I|∠90°，電流有效值I1=|I|=69000C。當整流方式采用半波整流時，I1=0.5|I|=34500C。
設計舉例
已知條件：負載工作電流15mA，工作電壓5V。求降壓電容容值？
采用半波整流方式，根據計算式I1=0.5|I|=34500C可知，C=0.43uF。所以此處選用0.47uF的電容，反過來可以驗證提供的電流I1=34500C=16.2mA，多余電流從穩壓管流過。
阻容降壓的優點：
體積小；成本低。
阻容降壓的缺點：
非隔離電源，不安全；
不能用于大功率負載；
不適合容性和感性負載；
不適合動態負載。
1、電容充電放電原理
電容是一種以電場形式儲存能量的無源器件。電容充放電過程的本質是兩導電平行板獲取與釋放電子的過程。
電容充電：
當電容內電場強度E小于電容兩端外接電源電壓U時，電容開始充電。此時電容正電極不斷失電子，負極不斷得電子，內電場E不斷增強直到與外接電壓U相等時，充電結束。
電容放電：
當電容內電場強度E大于電容兩端外接電源電壓U時，電容開始放電。此時電容正電極不斷得電子，負極不斷失電子，內電場E不斷減弱直到與外接電壓U相等時，放電結束。
電容的直流充電放電過程
如上圖充電過程，求C1電壓沖到1V時間：
因為V0=0V、Vt=1V、V1=5V、R=10K、C=0.1uF，所以T= 10000*0.1*0.000001*Ln（5/4)=223uS
電容的交流充電放電過程
電容的直流充電放電是一次完成的，而交流充電放電是一個不斷重復出現的過程。
全波整流電路
半波整流電路
各元器件作用和選擇
F1：保險絲，起過流保護作用，選用400mA250V型號。
RV1：壓敏電阻，起浪涌保護作用，一般選用10D471K型號。
C1: 降壓電容，利用較大的容抗限制電路總電流。常用聚酯電容(CL21)、聚丙烯電容(CBB21)、安規電容(X2) ，容值依負載需求而定，此電容容量越大電路越不安全，在設計此電路時，如果220VAC供電情況下容量超過2.5uF，110VAC供電情況下容量超過4uF就因該放棄阻容降壓考慮其它電路。此處選用0.56uF安規電容(X2)，提供19mA電流。
R2：放電電阻，斷電后為電容C1提供放電回路，防止在快速插拔電源插頭或插頭接觸不良時C1電容上的殘余電壓和電網電壓疊加對后續器件形成高壓沖擊和防止拔出電源插頭后接觸到人體對人員產生傷害。一般要求斷電后C1電壓衰減到37%的時間應小于1秒，因為T=RC*Ln[（V0-V1)/(Vt-V1）],所以T=RC，R=t/C，R<1/C。此處用3個390K的0805貼片電阻（分擔電壓和功率）。
R1：限流電阻，此電阻主要是防止首次上電和在快速插拔電源插頭或插頭接觸不良時所產生的高壓沖擊對整流二極管的損壞。電容C2在首次上電如果剛好碰在波峰處，因C2在通電瞬間呈短路狀態（一階零狀態響應），此時交流電源直接加在R1和整流管上，R1上有220VAC*1.414=311VDC瞬間直流電壓，如果上電時C1電荷未放完，此電壓可能會更高 。所以R1要選擇耐電流沖擊強和耐高壓的電阻，R1電阻不能太小，也不能太大，電阻太小沖擊電流大，電阻太大整個電路功耗增大。整流二極管的峰值電流一般會比較大，如1N400X系列峰值電流為50A，所以一般取R1電阻在10-50Ω之間。
DZ1:穩壓二極管，選用1N4733，穩壓電壓Vz為5.1V。DZ1的最大穩壓電流Iz必須大于電容C1最大充放電電流。
R5：與電容E1、C2組成RC濾波，減小紋波。
D1：整流二極管，起半波整流作用，選用1N4007。
D2：整流二極管，起半波整流作用，選用1N4007。
E1：電解電容，對穩壓后的電壓濾波，同時在電源關斷的半個周期為負載提供電能。電源下半個周期來臨前，E1必須保證為負載提供的電壓不能衰減太多，此處選用1000uF25V型號。T=RC*Ln[（V0-V1)/(Vt-V1）]=10mS，所以衰減后的電壓Vt=4.8V。
C2：貼片電容，濾波作用，選用0.1uF。
R6：放電電阻，斷電后為E1提供放電回路，一般為5~10K。
R7：等效負載。
主要元器件的圖片
一次熔斷保險絲
自恢復保險絲
壓敏電阻
金屬化聚酯膜電容器(CL21)
金屬化聚丙烯電容器(CBB21)
X2安規電容器(CBB62/MKP)
阻容降壓因其體積小成本低的特點，適合于小功率小電流負載。常見應用有電能表、小功率LED燈驅動、小家電和溫控器等。
LED燈驅動
小家電應用
電暖氣控制器
咖啡機
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蔣棟
蔣棟，2005年和2007年分別獲得清華大學電氣工程學士和碩士學位。2011年底獲得美國田納西大學電氣工程哲學博士學位。2012年1月加入美國聯合技術公司研究中心（UTRC）擔任高級研究科學家兼工程師。2015年7月全職回國加入華中科技大學電氣電子工程學院。主要研究方向：電力電子和運動控制技術。截至2021年7月，在此領域發表和錄用100余篇學術論文，其中包括60余篇SCI索引的IEEE Transactions論文。獲得40余項授權發明專利。蔣棟從2015年11月起擔任SCI期刊IEEE Transaction on Industry Applications的編委（Associate Editor)。2016年5月入選國際電氣電子工程師學會（IEEE）高級會員（Senior Member），2020年7月當選IET fellow。多次獲得IEEE期刊與會議的最佳論文獎。2018年發起成立IEEE PELS武漢分會并擔任首屆主席。
內容簡介：
以光伏逆變并網和交流電機驅動為代表的三相逆變系統面臨共模電磁干擾的問題，威脅包括光伏電池和電機軸承等關鍵部件的可靠運行。本報告介紹在三相逆變系統中實現共模主動抑制的幾個新技術，可以在不需要隔離或者無源濾波器的條件下實現共模抑制。在兩電平條件下，介紹并聯逆變器零共模PWM技術；在三電平條件下，介紹基于飛跨電容的電容電壓自平衡零共模PWM技術；另外介紹有源EMI濾波器技術，可以在之前基礎上進一步主動抑制共模電磁干擾。
報告時間：2021年11月27日（10：50-11：20）
報告專題：三相逆變系統的共模電磁干擾抑制技術
張 波
現任電子科技大學功率集成技術實驗室主任，兼任電子科技大學集成電路研究中心主任，同時兼任國家01、02科技重大專項總體組專家，多個國家部委微電子領域特聘專家。長期從事功率半導體技術研究，在功率半導體領域牽頭獲國家及省部級科技獎勵5項，發表SCI收錄論文600余篇，授權中美發明專利300余項，帶領電子科技大學功率集成技術實驗室已培養功率半導體領域工學博士69名，工學碩士1000余名，與企業合作開發功率半導體工藝與產品100余項，產生直接經濟效益超過百億元。
內容簡介：
報告針對功率半導體的技術和行業發展，從More Devices中的More Silicon和Beyond Silicon兩方面，從More Devices和More than Devices兩個緯度，論述了功率半導體的現狀及發展趨勢。
報告時間：2021年11月27日（14：00-14：30）
報告專題：發展中的功率半導體技術
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