長鑫存儲加大購買DRAM專利，明年底月產能增長3倍

2019年12月5日，長鑫存儲技術有限公司與Quarterhill Inc.旗下的 Wi-LAN Inc. 聯合宣布，就原動態隨機存取存儲芯片(DRAM)制造商奇夢達開發的DRAM專利，長鑫存儲與WiLAN 全資子公司 Polaris Innovations Limited 達成專利許可協議和專利采購協議。

收獲大量原奇夢達內存專利

依據專利許可協議，長鑫存儲從 Polaris 獲得大量 DRAM 技術專利的實施許可。這些專利來自 Polaris 于2015年6月從奇夢達母公司英飛凌購得的專利組合。

依據獨立的專利采購協議，長鑫存儲從 Polaris 購得相當數量的 DRAM 專利。

此專利許可和專利采購協議中所包括的交易金額等商業秘密條款在此不予披露。

此前在上海舉辦的GSA MEMORY+峰會上發表《中國存儲技術發展與解決方案》主題演講中，長鑫存儲董事長兼CEO朱一明先生指出長鑫的技術源自奇夢達（Qimonda），并結合了長鑫自己的技術。通過與奇夢達合作，將一千多萬份有關DRAM的技術文件（約2.8TB數據）收歸囊中，目前共有1萬6千個專利申請。

如今，長鑫存儲將繼續通過自主研發以及與 WiLAN 等國際伙伴的合作，不斷增加在半導體核心技術和高價值知識產權方面的積累。

兩份協議標志著，在完善知識產權組合、進一步強化技術戰略和保障DRAM業務運營方面，長鑫存儲采取了新舉措。

WiLAN總裁兼首席執行官 Michael Vladescu 表示“長鑫存儲是中國DRAM 產業引領者。很高興看到長鑫存儲認可Polaris所持 DRAM 專利的價值。這兩份協議表明，長鑫存儲高度重視知識產權，致力于持續投入研發。我們相信，由此獲得的權益將使長鑫存儲在業內擁有競爭優勢，助力長鑫存儲持續開發 DRAM 關鍵技術。”“與長鑫存儲的協議將推動 WiLAN在中國等主要新興市場進一步開發業務機會，從而繼續為母公司Quarterhill 和投資者創造更多價值。

長鑫存儲從2016年開始選擇IDM模式，自己建造工廠、自己開發技術。據此前消息，長鑫內存自主制造項目總投資1500億元，將生產國產第一代10nm工藝級8Gb DDR4內存芯片，并獲得了工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產良率檢測報告。

預計到2020年底，長鑫內存的月產能將達到4萬片晶圓，比現在增長三倍，大概能占到全球內存產能的3%。

奇夢達也有堆棧式技術

DRAM在60年代被發明出來，70年代開始進入市場，50年來變化很多。隨著近些年數據量的增加，CPU的計算能力要加強，存儲器的容量和讀取速度也需要增強，對DRAM的要求也會提高。早期的DRAM芯片，由于線寬比較大，因此有足夠的平面面積可制造出足夠的電容值，普遍采用的平面結構。到后面隨著線寬的減少，表面積逐漸減少，過往的技術不能滿足所需電容值，所以演化出向空間發展爭取表面積的結構，分別是向下發展的溝槽式，以及向上發展的堆疊式。

在前30年，這兩個技術并存，但后來堆疊式逐漸成為主流。這是因為“溝槽式架構面臨幾個技術難點，主要是從面積考慮，溝槽式只限于單面表面積，堆疊式則能用內表面、外表面的雙面表面積做電容，溝槽式架構很快就達到了刻蝕深寬比極限，而堆疊式可以做到比他高一倍的電容值。其二是高介質材料的應用受到溝槽式中高溫制程的限制。”

2008年，堆疊式技術成為DRAM主流，奇夢達當時基于Buried Word Line的46nm工藝產品已經完成研發，與上一代58nm工藝相比，晶圓數量增加100%。不過2008年的金融危機讓DRAM價格斷崖式下滑，奇夢達的Buried Word Line技術還沒來得及進入量產，就在2009年破產，之后Buried Word Line技術被雪藏。

之后，長鑫通過授權獲得了奇夢達的Buried Word Line相關技術，借助從全球招攬的人才和先進制造裝備，把奇夢達的46nm平穩推進到了10nm。據平博士介紹，公司目前已經開始了HKMG、EUV和GAA等新技術的探索。

關于Quarterhill

Quarterhill總部位于加拿大渥太華，在多倫多證券交易所和納斯達克上市，專注于行業市場軟件和解決方案、智能工業系統、創新和專利許可等特定技術領域公司的收購、管理和增值，主要通過合理價格尋求收購機會，從而為再創營收、獲得可預測的現金流和利潤、實現盈利性增長。

Quarterhill旗下的WiLAN則是全球最成功的專利許可公司之一，通過專利組合的管理和許可，幫助全球各地的公司發掘知識產權的價值，業務領域包括汽車、數字電視、互聯網、醫藥、半導體和無線通訊技術。

責編：Yvonne Geng