韓國政府之所以如此急切，正是因為其在全球存儲芯片領域的統(tǒng)治地位正迎來前所未有的歷史性機遇。
7月6日，韓國總統(tǒng)李在明在一場政府會議上明確發(fā)出加速指令，要求政府全力加快上周剛剛公布的芯片與人工智能（AI）重大項目的落地步伐。他以龍仁產(chǎn)業(yè)園區(qū)為例指出，該項目從選址獲批到開工耗時六年，這在以往已算相對較快，但在當前的全球競爭格局下，“這還不夠快”。
“當前競爭的勝負取決于誰行動更快、誰能搶先占據(jù)優(yōu)勢。”李在明在會上直言，“速度是唯一重要的因素。”他警告稱，如果在項目審批、土地征收以及電力和供水設施建設等環(huán)節(jié)出現(xiàn)拖延，韓國爭奪先進產(chǎn)業(yè)全球領先地位的計劃將受到嚴重影響。
為打破常規(guī)審批的桎梏，李在明要求政府在條件允許的情況下簡化環(huán)境評估等審批流程，將原本依次辦理的程序改為并行推進。在談及基礎設施保障時，他特別強調了電力供應的決定性作用：“盡管可再生能源規(guī)模不斷擴大，但企業(yè)仍擔心基荷電力供應不足，政府必須提前消除這些顧慮，確保芯片項目順利推進。”
這一系列“唯快不破”的加速指令背后，是韓國史無前例的巨額產(chǎn)業(yè)布局。就在上周，韓國公布了一份總額超過5760億美元（約合人民幣3.91萬億元）的投資計劃，重點投向芯片和AI等產(chǎn)業(yè)。此舉意圖十分明確：一方面鞏固韓國在全球先進產(chǎn)業(yè)中的領先地位，另一方面將發(fā)展紅利向外輻射，帶動首都圈以外地區(qū)的發(fā)展。
按照計劃，三星電子和SK海力士將分別投資400萬億韓元（約合人民幣1.76萬億元），在韓國西南部建設新的芯片生產(chǎn)基地。此外，忠清地區(qū)還將投入81萬億韓元（約合人民幣3566.43億元），建設芯片封裝產(chǎn)業(yè)集群。
關于新基地的具體落地，韓國總統(tǒng)秘書室長姜勛植在周一透露了最新進展。他表示，西南部芯片產(chǎn)業(yè)集群將落戶光州一座軍用機場所在地，目前的方案包括讓三星電子和SK海力士共同進駐。這一全新布局不僅是為了應對AI時代對存儲芯片的爆發(fā)式需求，更是為了緩解現(xiàn)有首都圈半導體集群在電力和用水方面已接近極限的瓶頸。
韓國政府之所以如此急切，正是因為其在全球存儲芯片領域的統(tǒng)治地位正迎來前所未有的歷史性機遇。當前，全球存儲芯片市場正經(jīng)歷15年來最嚴重的供應短缺。受AI數(shù)據(jù)中心建設帶來的結構性供需失衡影響，單臺AI服務器的DRAM用量高達傳統(tǒng)服務器的8倍，導致全球存儲芯片整體庫存僅夠維持約4周，處于歷史極低水平。在AI算力需求的強勁拉動下，2026年第二季度一般型DRAM合約價環(huán)比上漲高達58%至63%，NAND Flash漲幅更是突破70%。
在這場由AI引爆的全球性存儲缺貨潮中，韓國企業(yè)展現(xiàn)出了極強的競爭力。三星電子和SK海力士在全球DRAM市場的份額合計超過70%，在NAND閃存市場的份額也超過50%。特別是在為AI芯片量身定做的HBM（高帶寬內(nèi)存）領域，韓國企業(yè)更是形成了壟斷式勝利，SK海力士與三星基本壟斷了英偉達、AMD等AI加速器芯片所需的高端內(nèi)存供應，兩家企業(yè)2026年的DRAM、NAND和HBM產(chǎn)能已基本被預訂一空。
然而，盡管巨頭們都在瘋狂擴產(chǎn)，但新建一座存儲芯片晶圓廠從建設到量產(chǎn)需要18至24個月，這意味著2026年幾乎不會有新增產(chǎn)能釋放，遠水難解近渴。業(yè)內(nèi)普遍預計，這種供不應求的格局至少將持續(xù)至2027年。
分析指出，韓國此次將“速度”提升至國家戰(zhàn)略高度，既是為了在全球AI浪潮中搶占先機，也是為了通過“三大超級項目”實現(xiàn)國家區(qū)域的均衡發(fā)展。隨著三星、SK等巨頭天量資金的注入，以及政府在審批和基建上的全面“開綠燈”，韓國半導體與AI產(chǎn)業(yè)的新一輪擴張已正式駛入快車道。
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