盡管臺(tái)積電也早已購入High-NA EUV設(shè)備，但出于成本考量，計(jì)劃推遲至2029年左右才投入量產(chǎn)。英特爾借此時(shí)間差，有望在2027至2028年的先進(jìn)制程產(chǎn)能釋放窗口期確立領(lǐng)先優(yōu)勢。
近日，光刻設(shè)備巨頭ASML正式宣布，英特爾晶圓代工（Intel Foundry）已成功在Intel 18A工藝節(jié)點(diǎn)上，利用ASML高數(shù)值孔徑極紫外（High-NA EUV）光刻技術(shù)，量產(chǎn)部分代號為“Panther Lake”的第三代酷睿Ultra系列處理器。
這標(biāo)志著英特爾成為全球首家將High-NA EUV技術(shù)應(yīng)用于邏輯芯片大規(guī)模生產(chǎn)的企業(yè)，在先進(jìn)制程賽道上搶占了至關(guān)重要的技術(shù)高地。
High-NA EUV被業(yè)界視為未來十年先進(jìn)芯片制造的核心剛需技術(shù)。相較于傳統(tǒng)數(shù)值孔徑（NA）為0.33的EUV設(shè)備，新一代High-NA EUV設(shè)備的數(shù)值孔徑提升至0.55，光刻分辨率大幅提高了約1.7倍。這意味著在同等尺寸的硅片上，能夠刻畫出更細(xì)微的電路結(jié)構(gòu)，塞進(jìn)更多的晶體管，從而顯著提升芯片算力并降低功耗。
ASML首席執(zhí)行官Christophe Fouquet將此次部署稱為“半導(dǎo)體光刻技術(shù)發(fā)展歷程中的重要里程碑”，更高密度的圖案化將進(jìn)一步加速AI及新興科技的發(fā)展。
英特爾與ASML自2024年起就在研發(fā)設(shè)施中推進(jìn)High-NA EUV的商業(yè)化合作。自陳立武（Lip-Bu Tan）2025年3月接任CEO以來，晶圓代工被定位為公司復(fù)蘇計(jì)劃的關(guān)鍵一環(huán)，甚至被稱為“國家級關(guān)鍵戰(zhàn)略資產(chǎn)”。
英特爾高級首席工程師Steve Carson前不久還披露，公司已利用ASML High-NA EUV在一個(gè)季度內(nèi)生產(chǎn)3萬片晶圓——這種可靠性數(shù)據(jù)是設(shè)備從"研發(fā)樣機(jī)"跨入"產(chǎn)線主力"的關(guān)鍵門檻。
英特爾方面透露，其位于美國俄勒岡州希爾斯伯勒的研發(fā)基地已完成18A工藝特定層的High-NA EUV雙重認(rèn)證，量產(chǎn)良率已完全追平現(xiàn)有的成熟NXE EUV平臺(tái)水平，證明了該技術(shù)已徹底擺脫試驗(yàn)階段，具備規(guī)模化商用價(jià)值。
此次High-NA EUV的率先量產(chǎn)，不僅是英特爾技術(shù)實(shí)力的展現(xiàn)，更是其全面加碼晶圓代工業(yè)務(wù)的強(qiáng)烈信號。英特爾代工執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理Naga Chandrasekaran強(qiáng)調(diào)，這一里程碑證明了High-NA EUV能夠穩(wěn)定融入主流先進(jìn)芯片的大規(guī)模制造流程，為未來節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)頂尖性能和制造靈活性提供了更多選擇。
事實(shí)上，英特爾的代工戰(zhàn)略正在迎來關(guān)鍵拐點(diǎn)。除了提前在18A節(jié)點(diǎn)導(dǎo)入High-NA EUV技術(shù)外，最新行業(yè)分析指出，英特爾下一代核心處理器Nova Lake的運(yùn)算晶粒，正計(jì)劃大規(guī)模轉(zhuǎn)回自有18A制程生產(chǎn)。
若該計(jì)劃順利推進(jìn)，臺(tái)積電在CPU代工市場的比重將大幅縮減。這一“產(chǎn)能回流”舉措表明，英特爾的先進(jìn)制程已具備生產(chǎn)自家最核心產(chǎn)品的能力，其代工業(yè)務(wù)正從“內(nèi)部驗(yàn)證”邁向“外部競爭”的新階段。
英特爾的激進(jìn)布局正在重塑全球半導(dǎo)體代工格局。目前，盡管臺(tái)積電也早已購入High-NA EUV設(shè)備，但出于成本考量，計(jì)劃推遲至2029年左右才投入量產(chǎn)。英特爾借此時(shí)間差，有望在2027至2028年的先進(jìn)制程產(chǎn)能釋放窗口期確立領(lǐng)先優(yōu)勢。
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