存儲的市場規模在經歷了兩年的下滑后,有望在2024年重回正軌……

存儲的市場規模在經歷了兩年的下滑后,在2023年第二到第四季度連續三季度環比回升,2023Q4還恢復了同比增長。全球來看,2023年NAND Flash市場規模達到398億美元,DRAM市場規模達到505億美元,加上先進技術產品繼續發揮高價值效應,以及AI等新興市場應用帶來的更多機會,預計2024年存儲市場規模相比2023年將提升至少42%以上。

“存儲市場有望在2024年重回正軌。” 在日前舉辦的中國閃存市場峰會(CFMS | MemoryS 2024)上,深圳市閃存市場資訊有限公司總經理 邰煒 在《存儲周期 激發潛能》的主題演講中,分析了一年來存儲市場行情的變化,并給出了閃存市場的統計數據。

此外,在供需關系依然充滿挑戰的環境之下,存儲產業以及相關的終端應用、解決方案企業應該怎樣做?這份市場報告也給出了可靠的參考。

深圳市閃存市場資訊有限公司總經理 邰煒

在總產量上,預計2024年NAND Flash將超過8000億GB單量,相比去年增長20%;DRAM預計增長達15%,將達到2370億Gb單量。從增長的幅度來看,比去年提升了很多。

原廠利潤率方面,利潤率在2023Q1觸底后,截止到2023Q4均有非常可觀的改善,個別公司甚至已經開始恢復盈利。到2024年一季度,預計絕大部分公司的利潤率都會得到全面有效的扭轉。

“主要原廠在市場份額的競爭上從未停歇,尤其在高利潤的產品線上,也正因為這樣,各家都會積極推進新技術的發展,從而讓整個產業保持持續向上的發展。”邰偉說道。

現貨市場價格變化方面,在放棄爭奪市占、轉為以恢復盈利為首要目標的策略變化下,存儲原廠從2023年三季度開始強勢拉漲存儲價格。2023年三季度部分產品價格出現分化,四季度存儲價格全面上漲。

在業績壓力的持續影響下存儲廠商持續拉漲的動力并未減弱,1Q24價格繼續上揚,并將平穩上漲至2024。2024年全年有望保持平穩向上的基調。

邰偉也呼吁,過高過快漲幅將嚴重影響終端產品線的規劃、打擊容量擴充的積極性,也不利于產業整體健康穩定的發展。

存儲是一個周期性的行業,回顧2019-2023這一輪周期變化,經歷了供過于求-疫情-缺貨-庫存-超跌等等,最后以原廠主動減產控產而告終。

“展望2024-2026年這一輪新周期,我們應該以什么來支撐存儲市場的價值,包括原廠收益、客戶創新、用戶體驗等等?”邰偉認為是以新技術和AI應用等等來激發存儲的潛能,走出傳統的價格周期,進入新周期,“我們稱這個新周期為‘價值周期’——存儲的價值周期。

在這個價值周期中,會發生什么?

首先在NAND FLASH堆疊技術上,各大原廠繼續推進更高堆疊的產品,向更低成本、更大容量和更快速度演進。2023年,三星、鎧俠/西數、美光、SK海力士等均推出200層以上的產品,今年很多已經朝300層推進,意味著閃存產品的容量將繼續提高。

從架構上看,BONDING鍵合技術開始逐步進入主流,利用CMOS外圍電路加NAND存儲陣列晶圓,用Bonding打造3D NAND。

“去年我們在峰會上也提到過,這種架構的產品隨著堆疊層數的提升,成本將更具有優勢,“邰偉說道,其次這種技術架構可以將更多特性設計到NAND Flash里,“所以我們認為更具備想象空間,這也是存儲激發潛能的一種方式。”

隨著更多的產品對存儲的容量要求越來越大,邰偉預計今年QLC NAND應用將開始加速。除傳統SSD產品外,其他應用領域如服務器SSD、PC SSD、UFS和uMCP也將開始得到全面的擴展。通過下圖可以看到,鑒于QLC的優勢明顯,各家原廠的推進非常積極,值得一提的是長江存儲的QLC NAND單位密度達到20.62Gb/mm2,僅次于三星。

而DRAM方面,正在全面進入EUV時代。各原廠開始推出全新1b/1β nm的DRAM產品,預計下一代1c/1γ nm產品也將在這1、2年出現。

從產品上來看,以ChatGPT為代表的生成式人工智能(AIGC)的推動下,AI服務器在2023年迅猛的增長,也帶動HBM3e、DDR5需求的增加,各大原廠也加速推出更為先進的產品,競爭巨大的利潤空間。

雖然目前memory最核心的應用依舊在手機、PC和服務器上,尤其是手機等移動設備占據NAND Flash和DRAM三成以上的市場用量,但以汽車為代表的新興市場也在快速增加。

從下圖可以看出,三大核心應用已經基本上突破了黑暗期,再加上AI手機、AI PC、AI服務器等新興應用的支撐,“我們預計各大終端在今年也開始進入穩定增長期,再加上存儲容量的提升,我們繼續推動存儲產業的需求繼續增加。”邰偉說道。

具體到手機市場,UFS的市場占有率進一步提升,并占據絕對的主導地位。尤其是更高性能的UFS4.0增長更為明顯,在容量上,現在高端機型已經基本上進入512G以及TB時代,預計今年的手機平均容量將超過200G,在內存上也同樣快速的朝更高性能的LPDDR5演進,預計今年全年DRAM平均容量將超過7G.

AI手機將成為接下來手機的新熱點,將帶來更多應用和場景的變革,其中16G的 DRAM將是AI手機的最低配置,將有力的推動手機存儲再次升級。

在PC市場上,去年整機需求的下降使得消費類SSD需求出現一定的下滑,但隨著存儲價格的下跌,大容量SSD的高性價比得到非常有效的體現。邰偉認為,SSD也迎來了價格甜蜜點,去年看到1TB PCIe 4.0已基本是PC市場的主流配置。

在PC DRAM方面,由于更輕薄、長續航以及LPCAMM新形態產品在PC上的應用發展,預計LPDDR,尤其是LPDDR5/X將迎來迅速發展。隨著新處理器平臺的導入,DDR5在2024年也將加大在PC上的應用。同時Windows10停止服務后,Windows的更新也將會對2024年的PC銷量有一定提振。

AI PC的概念在去年被提出,預計在2024年會迎來全面爆發。現在PC對于大家來說是生產力、辦公工具,正因如此,AI在PC端將是有望最快落地的破局應用。與傳統PC不同,AI PC最重要的是嵌入了AI芯片,形成“CPU+GPU+NPU”的異構方案。可以支持本地化AI模型,所以需要更快的數據傳輸速度、更大的存儲容量和帶寬。

服務器市場上,2024年是DDR5正式邁過50%的一年,同時支持DDR5平臺的第二代服務器CPU都會在今年發布,這將推動今年下半年5600MHz DDR5進入主流。同時,高容量的模組128GB/256GB產品因為AI大模型的出現,2023年需求猛增,但是受限于TSV產能,供應有限。

但邰偉表示,2024年各家都將推出32Gb單die,使得128GB不需要做TSV,這會為128GB模組進入服務器主流市場掃清最主要的障礙。此外CXL進入實用階段,正式開始內存池化的新時代,加上HBM3e進入量產,所以今年服務器內存的升級將非常激進。

Sever SSD方面,為滿足更高容量、更好性能的應用需求,2024年server PCIe 5.0 SSD的滲透率將較2023年翻倍成長,在容量上可以看到更多8TB/16TB及以上PCIe SSD在服務器市場上的應用增加。

當然,去年最火的名詞莫過于HBM,原因主要有兩點:

1、HBM占據著極大的利潤空間,也是各原廠的必爭之地。根據各原廠的規劃,2024年將正式進入到HBM3e的量產。

2、隨著大模型的快速爆發,加速了對AI服務器需求,AI服務器中搭載高容量HBM,以及對DDR5的容量需求是普通服務器的2-4倍。這將使得未來5年AI服務器將驅動DRAM需求大增。

汽車作為下一個存儲的主力應用也正發生著變化:

    1、汽車隨著電動化的趨勢,進入大模塊化、中央集成化時代。

    2、ADAS進入質變階段,伴隨著L3級及以上自動駕駛汽車在逐步落地,汽車對存儲的性能和容量的要求也將急劇加大,單車存儲容量將很快進入TB時代。另外在性能上、可靠性上汽車都會對存儲提出越來越多的要求,這需要整個業界共同來推動這些新形態的存儲產品的發展,邰偉預計,到2030年整個汽車市場規模將超過150億美元。

    

責編:Luffy
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