BiCS?FLASH進階時，加速存儲新進化

AI算力需求爆炸，海量數據頻繁調動，致使存儲行業變得愈發重要。無論是當下的生成式AI，還是即將到來的AI智能體、端側AI，高性能、高密度、高能效存儲解決方案都將作為可靠的硬件基礎，進而解決數據中心、AI訓練推理以及移動設備在數據存儲與訪問的瓶頸問題。在眾多存儲技術發展路徑中，鎧俠BiCS FLASH 3D閃存技術為行業提供了大量支持，也是高性能存儲中，不可缺少的關鍵角色。

鎧俠作為閃存技術的發明者，秉承著Bit Cost Scalable Flash的理念，BiCS FLASH在2D NAND遇到容量提升瓶頸的之后，轉而向垂直方向堆疊存儲單元，通過巧妙的交替堆疊板狀電極和絕緣體，一次性垂直打孔穿透存儲層，并在孔內填充電荷儲存膜和柱狀電極，從而構建了當前主流的3D NAND。更重要的是，BiCS FLASH的升級從未停止。

性能與密度兼得

當下依然成為主流的第八代BiCS FLASH已經應用在諸多存儲產品中，從移動端和車載的UFS系列，到消費級SSD，再到企業級和數據中心級存儲方案，都能發現第八代BiCS FLASH的身影。

第八代BiCS FLASH無論在存儲密度、性能都有了顯著提升，特別是2Tb QLC NAND是當下業界內最大容量的存儲器。 為了讓第八代BiCS FLASH突破存儲限制，鎧俠通過專有工藝和創新架構，實現了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡，所開發的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）架構和3.6Gbps接口速度，給AI應用、數據中心、移動設備都提供了更多潛在可能。

CBA架構與以往單個晶圓制造CMOS邏輯電路與存儲單元完全不同，而是分成了兩片分別制造，然后再進行翻轉后貼在一起，從而實現不同工藝都可以發揮更大優勢，也可以進一步壓縮生產時間。由于存儲單元和CMOS邏輯電路都有了可以發揮的廣闊空間，第八代BiCS FLASH實現了存儲密度與性能雙向提升，包括寫入性能提高20%，讀取速度提高10%，耗電量減少了30%（寫入時），接口速度達到了3.6 Gbps，接口速度表現上也優于同級別產品。

其中第八代BiCS FLASH QLC打造出了業界最大容量的2Tb規格，當一個封裝內堆疊32個Die的時候，就能做到單個存儲芯片實現業界領先的8TB容量，多個存儲芯片結合，構建出256TB的企業級SSD，如果拋開OP空間，存儲容量仍然可達245.76TB，鎧俠LC9 245.76TB企業級SSD就是很好的例子。目前LC9已經與部分數據中心展開合作，進一步加速AI數據中心高效能部署，同時獲得更低的總體擁有成本（TCO）。

雙軌并行，為AI加碼

在第八代BiCS FLASH成為行業中流砥柱的同時，第九代BiCS FLASH和第十代BiCS FLASH也將蓄勢待發。全新的兩代產品實際上扮演著雙軌并行的策略。

第九代BiCS FLASH專注利用CBA技術，在現有存儲單元技術的基礎上，推出成本更具備優勢的產品。通過集成最新的CBA技術和Toggle DDR 6.0接口，第九代BiCS FLASH也實現了顯著的性能與能效提升，能夠幫助主流企業級SSD、邊緣計算、AI應用提供一套均衡的解決方案。

第十代BiCS FLASH則進一步升級存儲陣列堆疊層數，大幅度提升至332層，同樣采用Toggle DDR6.0接口實際SCA獨立命令地址協議，將NAND接口速度提升至4.8Gbps，以滿足未來AI訓練、科學計算等超大規模數據中心對存儲帶寬和容量的極致需求，也有助于降低超大容量SSD的制造復雜度和成本。

此外，鎧俠也在探索如XL-FLASH存儲級內存和OCTRAM等新型存儲技術，為未來的計算架構做準備。

在未來規劃中，鎧俠繼續追求更高的存儲密度，與各行業客戶共同合作，進一步降低TCO，提升效能，為接下來邁向更高存儲密度的目標奠定堅實的基礎，為云端與端側應用提供更優質的存儲解決方案。