預計3D NAND可以擴展到600層，因此相關制造工藝的線性推進策略將持續數年。
2014年，3D NAND閃存以24層引入行業，并與2D NAND閃存共存，直到2017年。3D NAND閃存憑借其高密度存儲容量和技術逐漸占據市場主導地位，其制造工藝與DRAM完全不同。對兩種存儲器類型（DRAM和NAND）使用相同的工藝和設備的協同作用完全消失了，內存行業競爭戰略的核心發生了變化。
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DRAM制造工藝一直在緩慢地從1xnm發展到1y，1z，1-alpha和1-beta，并且從1z或1-alpha開始將需要昂貴的EUV設備。由于3D NAND閃存轉向第三維度，水平制造過程的精度變得不那么強調，快速擴展第三維存儲容量成為優先事項。制造工藝的重點已從光刻轉移到蝕刻和平滑度。
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緩慢的DRAM制造工藝改進為內存制造商提供了重新思考其運營策略的機會。即使沒有競爭，公司仍然需要考慮產生利潤的方法，以支付新DRAM制造工藝的研發資金。DRAM行業的大多數公司在前一階段的競爭中已經被淘汰，現在市場主要由少數主要參與者主導，因此問題不是很緊迫。毫無疑問，DRAM在未來很長一段時間內仍將是大多數計算電子設備的關鍵組件，但緩慢的制造工藝改進意味著DRAM有朝一日可能會失去其在高科技行業陣容中的地位。公司應該采取什么策略很重要。如果制造工藝需要10年才能發展到下一代，那么公司很容易被進入該行業的新參與者所吸引。即使市場需求持續存在，非高科技競爭模式也不太可能為公司帶來50%的毛利。
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3D NAND閃存的未來是明確的。由于觀察人士預計3D NAND可以擴展到600層，因此相關制造工藝的線性推進策略將持續數年。
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為兩種存儲器類型使用相同的工藝和設備的協同作用可能已經消失，但存儲器公司仍然必須建立新的競爭戰略，盡管目前市場競爭不那么激烈。
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兩種記憶類型的市場協同效應將首先開始顯現。3D NAND閃存固態硬盤（SSD）的價格已經低于機械硬盤，DRAM和3D NAND閃存都已成為所有計算設備的標準配件，包括手機和計算機。所有內存制造商必須能夠同時向同一客戶端提供這兩種內存產品。沒有DRAM生產的公司，如東芝，將需要尋求聯盟，為客戶提供一站式服務。DRAM開發的僵局也已接近尾聲。如果該行業希望保持其高科技商業模式，一種選擇是引入具有未來增長潛力的新存儲器產品，并通過制造工藝改進創造新的經濟價值。
因此，新興記憶的發展至關重要。然而，大多數內存公司已經在DRAM和3D NAND閃存的新制造工藝開發上花費了大量資金，因此探索新興的內存開發對他們來說將是一個很大的負擔。因此，內存制造商必須與合作伙伴結成聯盟，以開發新興內存。一些例子包括美光和英特爾聯合開發3DX點存儲器，以及SK海力士與東芝聯合開發MRAM。這些新興的內存產品目前只有利基應用，還遠遠無法主導市場。
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