中國不僅溝槽SiC MOS開始量產(chǎn)（.點(diǎn)這里.），復(fù)合SiC襯底企業(yè)也在加快量產(chǎn)進(jìn)程！
最近，國內(nèi)一家SiC公司完成2億融資，還將投資近10億，建設(shè)國內(nèi)首條復(fù)合SiC襯底產(chǎn)線，他們的技術(shù)路線有些類似于Soitec，但可能更具成本優(yōu)勢(shì)，因?yàn)樗麄儾捎?/span>SiC和硅片的鍵合，詳情請(qǐng)往下看。
青禾晶元融資近2億
投資近10億建線
據(jù)“云暉資本”9月7日消息，北京青禾晶元半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司已經(jīng)完成了近2億元A++輪融資，資金將主要用于新建產(chǎn)線擴(kuò)大生產(chǎn)。
公開資料顯示，青禾晶元成立于2020年7月。青禾晶元董事長母鳳文曾表示，青禾晶元要做的事情，就是使用先進(jìn)異質(zhì)集成技術(shù)來提高碳化硅良率、降低成本。
今年6月，青禾晶元副總經(jīng)理王曉宇在接受清華大學(xué)采訪時(shí)曾提到，他們公司成立不到兩年已完成3億元融資。截至目前，青禾晶元半導(dǎo)體已完成6輪融資。
據(jù)中國發(fā)展網(wǎng)報(bào)道，6月23日，在天津舉辦的第六屆世界智能大會(huì)重點(diǎn)項(xiàng)目簽約活動(dòng)上，青禾晶元參與簽約，擬投資9.9億元，將在當(dāng)?shù)馗咝聟^(qū)建設(shè)國內(nèi)首條復(fù)合襯底生產(chǎn)線。
據(jù)了解，青禾晶元自成立以來，他們還在山西、江蘇等地有相關(guān)的項(xiàng)目布局：2020年7月，天津中科晶禾電子科技在天津?yàn)I海高新區(qū)成立；2021年9月，菲科半導(dǎo)體在江蘇省張家港高新區(qū)成立；2021年12月，青禾晶元（晉城）半導(dǎo)體在山西省晉城市成立；2022年1月，青禾晶元（天津）半導(dǎo)體成立。
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目前，青禾晶元在天津擁有近2000平米的研發(fā)制造中心，還在山西智創(chuàng)城擁有近1000平米的超凈車間，主要進(jìn)行化合物半導(dǎo)體的研發(fā)生產(chǎn)制造。
中國版Soitec?
改性SAB具備多種可能性
根據(jù)公告，青禾晶元的主要技術(shù)特點(diǎn)在于他們公司的Emerald-SiC產(chǎn)品，該公司表示，這種產(chǎn)品可有效兼顧襯底質(zhì)量、性能和成本，有望提高SiC晶圓產(chǎn)能，降低SiC器件成本，實(shí)現(xiàn)SiC器件在新能源汽車、新基建等領(lǐng)域規(guī)模量產(chǎn)。
根據(jù)表述，青禾晶元的SiC襯底技術(shù)有點(diǎn)類似Soitec和日本住友金屬的子公司Sicoxs，是將SiC單晶襯底鍵合在SiC多晶襯底或者硅襯底上，這樣既可以減少SiC單晶襯底的使用量，又可以獲得與單晶襯底相同的器件特性，以達(dá)到降低成本的目標(biāo)。
目前，青禾晶元還未公開Emerald-SiC的相關(guān)信息，“行家說三代半”通過瀏覽母鳳文之前發(fā)布的論文發(fā)現(xiàn)，青禾晶元有可能采用的是表面活化鍵合 (SAB)技術(shù)，可以在室溫下實(shí)現(xiàn)異質(zhì)襯底的鍵合，除了SiC襯底外，還可以用在金剛石、氮化鎵、MEMS等領(lǐng)域。
以SiC襯底為例，母鳳文曾實(shí)現(xiàn)了SiC和硅襯底的鍵合。其SiC 晶圓是3英寸 4H-SiC，硅晶片是 6 英寸鏡面拋光 (100) 硅。
其研究表明，通過SAB技術(shù)成功完成了二者在室溫下的鍵合， 除了少數(shù)幾個(gè)空隙外，幾乎整個(gè)晶片都可以鍵合， 結(jié)合強(qiáng)度接近或高于硅強(qiáng)度。相比之下，之前大多數(shù)的 SiC 晶圓鍵合需要非常高的溫度，甚至高于 1000℃，至少需要幾個(gè)小時(shí)。
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