到目前為止，使電子設備運行更快的方法歸根結底都遵循一個簡單的原則，即縮小晶體管和其他零部件的尺寸。但這種方法正到達其極限，因為尺寸不斷縮小帶來的益處被如電阻和輸出功率降低等不利影響抵消。
來自EPFL工程學院功率和寬帶隙電子研究實驗室（POWERlab）的Elison Matioli解釋說，因為不斷的小型化不是提高電子性能的可行解決方案。他表示：“很多新發表的論文都描述了越來越小的器件，僅就氮化鎵材料而言，幾年前就已經發表了在頻率方面表現最好的器件。在那之后，就沒有更好的了，因為隨著設備尺寸的減小，我們面臨著根本性的限制。無論使用何種材料，都是如此。”
為了應對這一挑戰，Matioli和博士生Mohammad Samizadeh Nikoo提出了一種新的電子方法，可以克服這些限制，并實現一種新型太赫茲設備。他們通過重新排列器件而不是縮小器件來實現，特別是在由氮化鎵和氮化銦鎵制成的半導體上，以亞波長距離蝕刻被稱為元結構的圖案化觸點。這些元結構允許控制器件內部的電場，產生自然界中所不存在的出色特性。
至關重要的是，該設備可以在太赫茲范圍內（0.3-30 THz之間）的電磁頻率下工作——比當今電子產品中使用的千兆赫茲波快得多。因此，它們可以在給定的信號或周期內攜帶更多的信息，在6G通信及其他領域具有巨大的應用潛力。
Samizadeh Nikoo解釋道：“我們發現，在微觀尺度上調整射頻可以顯著提高電子設備的性能，而無需大幅縮小尺寸。”
由于太赫茲頻率對于當前的電子設備來說太快而無法管理，但它對于光學應用來說又太慢，所以這個范圍通常被稱為“太赫茲鴻溝”。使用亞波長元結構來調制太赫茲波是一種來自光學領域的技術。但是POWERlab的方法可實現前所未有的電子控制，與將外部光束照射到現有圖案上的光學方法不同。
Matioli表示：“在我們基于電子技術的方法中，控制感應射頻的能力來自亞波長圖案化觸點的組合，加上外加電壓對電子通道的控制。這意味著我們可以通過感應電子（或不感應電子）來改變元器件內部的集體效應。”
雖然目前市場上最先進的設備可以實現高達2THz的頻率，但POWERlab的元設備可以達到20THz。類似地，目前在太赫茲范圍內工作的設備往往在低于2伏的電壓下容易發生故障，而元設備可以支持超過20伏的電壓。這使得太赫茲信號可在比當前可能的工作功率和頻率大得多的情況下進行傳輸和調制。
正如Samizadeh Nikoo所解釋的那樣，調制太赫茲波對于電信的未來發展至關重要，因為自動駕駛汽車和6G移動通信等技術對數據的日益增長的需求正讓目前設備的疲于應付。例如，POWERlab開發的電子元設備可以通過生產已經可以用于智能手機的緊湊型高頻芯片，開創集成太赫茲電子產品的基礎。
Samizadeh Nikoo表示：“這項新技術可能會改變超高速通信的未來，它也能與目前的半導體制造工藝兼容。我們也已經實現，在太赫茲頻率下，數據傳輸速度高達每秒100千兆比特，這是我們現有5G傳輸速度的10倍。”
為了充分發揮這一方案的潛力，Matioli表示，下一步是開發其他電子元件，準備集成到太赫茲電路中。
他表示：“集成太赫茲電子設備是實現互聯未來的下一個前沿技術。但我們的電子元設備只是一個零部件。我們需要開發其他集成太赫茲零部件，以充分發揮這項技術的潛力。這是我們的愿景和目標。”
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