點擊藍字?關注我們
提高大功率單相輸入電源的效率和功率密度是當今設計人員面臨的一個挑戰，特別是考慮到中等負荷條件下（20%至50%）的效率。這種功率水平的電源需要功率因素校正（PFC）。使用無橋PFC來取代輸入整流橋可以提高效率。
通過在圖騰柱PFC架構中使用SiC MOSFET ，有可能實現更高的功率密度和效率，因為在這個功率水平上，開關頻率比其他方案高得多。了解安森美（onsemi）的圖騰柱PFC和LLC電源方案如何應對高密度設計挑戰，報名參加第十三屆亞洲電源技術發展論壇，聽安森美專家傾情講述！
Jason Yu是安森美應用方案工程中心的應用工程師，主要負責AC/DC電源、大功率開關電源及數字電源在5G電信和數據通信的應用。Jason Yu畢業于華南理工大，2020年加入安森美，擁有超過20年的電源涉及以及電力電子行業經驗。
在我們推送過的《設計指南 | 高功率密度的電源要怎么設計？》（??點擊回顧）一文中，討論過一個300W、20V單相交流輸入電源的設計，該電源具有超過36W/in3的高功率密度，且滿載效率為94.55%。經由NCP1680 圖騰柱 PFC 控制器控制由GaN集成驅動器驅動的前端PFC，后端由高頻LLC級配合輸出同步整流，以此來實現高功率密度。
安森美的混合信號控制器NCP1681專用于無橋圖騰柱功率因數校正(TP PFC)拓撲結構。該控制器以適用于達350 W設計的NCP1680的成功為基礎，將功率能力擴展到千瓦范圍。
該新的NCP1681高功率TP PFC控制器結合成熟的控制算法和新穎的功能，提供一個高性能和高性價比的TP PFC方案，也可滿足具挑戰的能效標準，諸如“80Plus ”或“CoC Tier 2”等要求在廣泛的負載范圍內提供高能效的標準。
除了TP PFC控制器外，安森美還提供各種SiC MOSFET和隔離門極驅動器，可用于圖騰柱的快速支路。SiC MOSFET器件具有低導通電阻(RDS(on))和緊湊的芯片尺寸，確保低電容和門極電荷(Qg)，在縮小的系統尺寸中提供極高能效，從而實現高功率密度。當NCP1681與NCP51561電隔離門極驅動器一起使用時，可實現穩定可靠的設計而不會犧牲開關性能。
?點個星標，茫茫人海也能一眼看到我?
