在半導體產業(yè)的制造流程上，主要可分成IC設計、晶圓制程、晶圓測試及晶圓封裝四大步驟。其中所謂的晶圓測試，就是對晶圓上的每顆晶粒進行電性特性檢測，以檢測和淘汰晶圓上的不合格晶粒。下面我們一起來了解一下半導體晶圓測試的探針卡，以及探針卡與LTCC/HTCC技術有著怎樣的聯(lián)系。晶圓測試的方式主要是通過測試機和探針臺的聯(lián)動，在測試過程中，測試機臺并不能直接對待測晶圓進行量測，而是透過探針卡（Probe Card）中的探針（Probe）與晶圓上的焊墊（Pad）或凸塊（Bump）接觸而構成電性接觸，再將經由探針所測得的測試信號送往自動測試設備(ATE)做分析與判斷，因此可取得晶圓上的每顆晶粒的電性特性測試結果。
探針卡是半導體晶圓測試過程中需要使用的重要零部件，被認為是測試設備的“指尖”。由于每一種芯片的引腳排列、尺寸、間距變化、頻率變化、測試電流、測試機臺有所不同，針對不同的芯片都需要有定制化的探針卡，目前市場上并沒有哪一種類型的探針卡可以完全滿足測試需求。同時，對于一個成熟的產品來說，當產量增長時，測試需求也會增加，而對探針卡的消耗量也將成倍增長。因此，近年來在半導體測試市場快速發(fā)展的帶動下，全球探針卡行業(yè)也得到了快速的發(fā)展。根據VLSI Research的數據顯示，2020年全球探針卡的銷售規(guī)模為22.06億美元，2021年全球半導體探針卡產值可達23.68億美元，到2022年全球半導體探針卡產值可達26.08億美元，增長速度較快。探針卡是晶圓和晶片測試這個環(huán)節(jié)的核心組件，其提供了晶圓/硅芯片和測試儀器之間的電學連接。在整個探針卡中，空間轉換基體（STF substrates）是其中的核心組件。空間轉換基體在整個探針卡中起到了電子連接間距轉換和電信號傳輸的功能，同時提供足夠的機械/力學強度，以支撐測試過程中施加的幾百至上千牛頓的作用力。
探針卡（探針卡本體）受到基板材料的影響，在多溫區(qū)(-55℃～150℃)的環(huán)境中，特別在高、低溫時，會產生形變。而探針是直接裝配在探針卡上的，探針卡的形變會導致探針針跡(晶圓測試時，探針與晶圓的接觸點接觸時留下的痕跡)的偏移。針跡的偏移通常會使探針卡上的探針與晶圓的PAD(焊盤)接觸不良，導致測試的不穩(wěn)定，影響測試時間和品質。針跡偏移過大，會使探針與晶圓PAD的接觸時破壞晶圓內部電路，導致報廢并帶來經濟損失。同時探針卡也會因為不能進行晶圓測試而報廢。
圖??通過Au/Sn共晶鍵合轉移到LTCC基板上的探針結構※精密陶瓷基板具有優(yōu)良的電絕緣性、高導熱性、高附著強度和大的載流能力。使用溫度范圍寬，可以達到-55℃～850℃，熱膨脹系數接近于硅芯片。在多溫區(qū)測試環(huán)境下，是解決形變的有效方案之一。
此外，隨著科技技術的成熟與提升，芯片功能逐漸增加，設計逐漸復雜，芯片輸入/輸出針腳數也持續(xù)增加。為了降低生產成本，晶圓尺寸也不斷提升(如12時晶圓)，因此大面積偵測用的探針卡需求逐漸增多。此類大面積的探針卡，由于探針接觸點的間距小，結構中通常會利用具有線路的多層基板（如多層陶瓷基板）設置于多個探針與電路板間，作為線路的空間轉換裝置。
圖??探針卡陶瓷基板結構示意圖，來源：SEMCNS
空間轉換基體的一種形式由堆疊的陶瓷層組成，該陶瓷層具有穿過層和層間金屬化的軌跡或線路延伸的金屬化通孔(導電過孔(via，導通孔))。過孔和軌跡或線路提供從探針焊盤到各個PCB焊盤的導電路徑。沿著穿過且在層間的路徑，導電路徑可以從探針焊盤間隔延展到PCB焊盤間隔。圖? 探針用陶瓷基板，來源：京瓷
探針卡用陶瓷基板一般為帶金屬化的單層薄膜或多層薄膜的陶瓷多層基板，多層陶瓷基板是由高溫或者低溫共燒陶瓷經過多層層壓，經過共燒制作的，通常稱為多層陶瓷空間轉換基體(multi-layer ceramic，MLC)。目前供應商主要為日韓企業(yè)如京瓷、NTK、SEMCNS、LTCC Materials 等。
