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與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎。“導通電阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率損耗的兩項主要參數，但對于普通的MOSFET而言，由于導通電阻與芯片尺寸成反比，Qgd會成比例增加，因此很難同時兼顧這兩項參數。針對這個課題，羅姆通過微細化工藝、采用銅夾片連接、改進柵極結構等措施，改善了兩者之間的權衡關系。
產品
特點
? 采用銅夾片結構封裝
支持大電流，封裝電阻更低
? 同時降低了導通電阻和柵極電荷容量（權衡關系），有助于減少能量損耗
采用銅夾片結構和新工藝元件，實現業內超低導通電阻
通過優化器件的柵極結構，還同時降低了柵極電荷容量
??以小型5060尺寸和3333尺寸封裝擴充產品陣容
產品陣容中包括40V/60V/80V/100V/150V耐壓的13款機型（24V/36V/48V輸入需要考慮尖峰和噪聲容限）
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RS6xxxx系列 | ||
RS6G120BG | RS6G100BG | RS6L120BG |
RS6L090BG | RS6N120BH | RS6P100BH |
RS6P060BH | RS6R060BH | RS6R035BH |
RS6xxxx系列 | |
RH6G040BG | RH6L040BG |
RH6P040BH | RH6R025BH |
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