您需要了解的電動車充電樁方案設計與核心EliteSiC功率器件

一個采用模塊化充電解決方案的350 KW充電站，可以在大型機柜中通過堆棧多個25kW模塊快速部署安裝。安森美為25kW交流/直流轉換器的功率級提供F2封裝的EliteSiC功率器件NXH004P120M3F2PTHG，它是一款4mΩ/1200V SiC MOSFET 2-PACK半橋拓撲結構及一個NTC熱敏電阻。通常前端功率級是一個雙向3相6開關PFC拓撲結構，需要用到3個NXH004P120M3F2PTHG功率模塊；而后端功率級是一個雙向相移全橋DC/DC拓撲結構，需要4個NXH004P120M3F2PTHG功率模塊。

? 4mΩ/ 1200 V M3S SiC MOSFET 半橋

? 直接覆銅基板(DBC)

? NTC熱敏電阻

?帶或不帶預涂熱界面材料(TIM)

?帶有可焊接引腳和壓接引腳的選項

?這些器件不含鉛、不含鹵化物且符合 RoHS 標準

安森美推出了EliteSiC功率器件NXH004P120M3F2PTHG適用于交流/直流轉換器功率級。首先是4mΩ的低導通電阻實現較低的導通損耗，其次是兩個關鍵參數E_ON為1.77mJ、E_OFF為1.18mJ實現更低的開關損耗。因此， EliteSiC功率器件可以在更高的開關頻率下工作，具有更高的轉換效率和更少的廢熱。整體表現是優于傳統的IGBT/MOSFET模塊。

功率模塊使用了直接覆銅基板(DBC)作為裸晶的承載體，結-殼熱阻RthJC已經包含了絕緣層。可以在NXH004P120M3F2PTHG的規格書中找到RthJC和RthJH熱阻參數，分別是0.121℃/W和0.263℃/W。由于它的導熱能力更好，使得模塊可以在更高的功率下運行。

安森美的EliteSiC功率器件NXH004P120M3F2PTHG的最大工作接面溫度為175°C，需要外部控制和柵極驅動器。該模塊整合一個5kΩ的NTC，用于測量模塊內部裸晶的溫度，它對于散熱系統中的散熱片設計是非常重要的。NXH004P120M3F2PTHG提供更好的散熱表現，有助于電源設計者構建更高功率密度的EV直流快速充電樁產品。

安森美NTBG022N120M3S(1200V, SiC MOSFET) +?NCD57084(隔離IGBT驅動IC)，應用在600V~900VDC(Max) 及6KW輸出的EV充電樁。

?1.?NTBG022N120M3S?1200V SiC MOSFET，是安森美第三代半導體SiC?MOSFET, R_{ds_on}(Max)=30mohm@18V(V_gs)，具有極低的Gate Charge Qg(tot)=151nC 及容抗Coss=146 pF，適合應用在高電壓、大電流及高速切換的工作條件，V_gs?(閘源極) 最大電壓范圍為-10/+22V，建議V_gs?sop操作電壓-3/+18V。

?2.?NCD57084?安森美IGBT隔離驅動IC，具有高驅動電流(+7A/-7A)及2.5KVrms 內部電氣隔離電壓，另外配備 DESAT Pin 偵測 IGBT 短路故障，相關功能如下示：

a. 具有可編程設計延遲的DESAT保護

b. 負電壓（低至 ?9V）能力，適用于 DESAT

c. 短路期間的IGBT柵極箝位

d. IGBT柵極有源下拉

e. IGBT短路期間軟關斷(Soft Turn-off)

f. 嚴格的UVLO 準位，實現偏差Bias靈活性

g. UVLO/DESAT期間的輸出部分脈沖回避（重新啟動）

h. 3.3 V、5 V和15 V邏輯電壓準位輸入

i. 2.5 kVrms 電壓

j. 高瞬態抗擾度

k. 高電磁抗擾度

?3.?高效率輔助電源及DC-DC 轉換器：在此開發板中，初級側驅動電路是由外部電源提供，規格為12V/1A，次級側由NCV3064 IC組成高效率輔助電源，提供+12V~+18V , -3.5V_dc電壓供驅動電路使用。

輸入電壓：600 V to 800 VDC (最大可允許900VDC)；輸出功率：6KW；輸出電壓：600V；輸出電流：10A；操作頻率：50KHZ。