
----與智者為伍 為創(chuàng)新賦能----
紅外成像技術(shù)有廣泛應(yīng)用,現(xiàn)有的紅外成像芯片主要采用外延生長(zhǎng)方法制備的塊體半導(dǎo)體材料,通過(guò)倒裝鍵合工藝實(shí)現(xiàn)與硅基讀出電路互聯(lián),其價(jià)格高昂、工藝復(fù)雜,嚴(yán)重制約了成像規(guī)模和分辨率的提升。膠體量子點(diǎn)材料可以通過(guò)溶液法大規(guī)模低成本合成,并且無(wú)需銦柱沉積及鍵合綁定實(shí)現(xiàn)與讀出電路的直接耦合,為低成本、高性能成像芯片的研發(fā)提供了全新的思路。與光導(dǎo)型量子點(diǎn)紅外探測(cè)器相比,光伏型探測(cè)器在內(nèi)建電場(chǎng)的作用下能夠顯著降低器件噪聲,提高探測(cè)靈敏度。然而,不可控、不均勻的摻雜方法使得目前量子點(diǎn)紅外焦平面陣列仍主要以光導(dǎo)型模式工作。
近日,北京理工大學(xué)光電學(xué)院郝群教授、唐鑫教授團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新提出了一種可控的電場(chǎng)激活原位摻雜方法,并研究了不同離子對(duì)摻雜濃度的作用機(jī)制,實(shí)現(xiàn)了光導(dǎo)型向平面光伏型量子點(diǎn)紅外成像芯片的變革。通過(guò)改變電場(chǎng)極性和激活時(shí)間,摻雜極性空間可調(diào),完成的像素規(guī)模為640×512、截止波段為2.5微米的短波紅外成像芯片實(shí)現(xiàn)了具有平面p-n結(jié)的光伏型工作模式,與光導(dǎo)型工作模式相比,平面光伏型器件比探測(cè)率提高了一個(gè)數(shù)量級(jí)。
電場(chǎng)激活原位摻雜的平面光伏型膠體量子點(diǎn)紅外成像芯片的工作原理如圖1所示。通過(guò)離子溶液處理和恒定電場(chǎng)激活,器件的工作模式由光導(dǎo)型變成了光伏型。場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)測(cè)試可知,通過(guò)簡(jiǎn)單地改變電場(chǎng)激活時(shí)間和電場(chǎng)極性,量子點(diǎn)的摻雜極性可以得到很好的調(diào)控。正向電場(chǎng)激發(fā)n型摻雜,反向電場(chǎng)激發(fā)p型摻雜,使得器件恰好工作在反向偏壓區(qū)間。通過(guò)電場(chǎng)激活原位摻雜過(guò)程,器件的電流-電壓曲線表現(xiàn)了明顯的整流特性,并且在零偏壓下表現(xiàn)出了顯著的光電流,證明了器件內(nèi)部形成了強(qiáng)烈的內(nèi)建電場(chǎng)。


圖2.電場(chǎng)激活原位摻雜平面光伏型膠體量子點(diǎn)單點(diǎn)探測(cè)器:(a)性能表征過(guò)程示意圖。(b)電場(chǎng)激活原位摻雜平面光伏型器件在背景和不同紅外功率下的電流-電壓曲線。(c)器件經(jīng)過(guò)不同溶液處理后的整流比-電壓曲線。(d)器件經(jīng)過(guò)不同溶液處理后的零偏壓下的光電流-電場(chǎng)激活時(shí)間曲線。(e)器件經(jīng)過(guò)電場(chǎng)激活原位摻雜前后的比探測(cè)率-電壓曲線。(f)器件經(jīng)過(guò)電場(chǎng)激活原位摻雜前后的響應(yīng)速度。(g)器件光譜響應(yīng)測(cè)量示意圖。(h)器件的光譜響應(yīng)曲線。
圖3.平面光伏型膠體量子點(diǎn)短波紅外成像芯片:(a)紅外成像芯片電極的光學(xué)顯微圖像。平面光伏型膠體量子點(diǎn)短波紅外成像芯片的(b)原子力顯微鏡圖像和(c)直方圖。(d)平面光伏型膠體量子點(diǎn)短波紅外成像芯片的響應(yīng)度直方圖。電場(chǎng)激活原位摻雜前后的成像芯片的(e、f)過(guò)熱像元和死像元及(g)噪聲直方圖。平面光伏型膠體量子點(diǎn)短波紅外成像芯片的(h)比探測(cè)率直方圖和(i)平均比探測(cè)率-電場(chǎng)激活時(shí)間曲線。
圖4.短波紅外成像:(a)成像過(guò)程示意圖。(b)曼妥思糖盒和糖盒前面的硅片、(c)表面有 “BITQTL”字樣的蘋果和丁腈手套內(nèi)的蘋果、(d)鹽、鹽和糖的混合物及糖的可見光和短波紅外成像圖。
來(lái)源:機(jī)器視覺(jué)沙龍

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