隨著市場行情先行指標的現(xiàn)貨市場從第3季啟動漲勢，DRAM合約價第4季相繼跟進調(diào)漲，除了移動存儲受惠于手機品牌廠年底回補庫存，合約價季增約15~20%，隨著PC與服務(wù)器平臺進入更新迭代，DDR5滲透率日益提升，帶動DDR5價格上漲雙位數(shù)幅度、DDR4及DDR3的漲幅也優(yōu)于原先預(yù)估的中個位數(shù)表現(xiàn)。
不過現(xiàn)貨價部分，經(jīng)過第3季逐月回神調(diào)漲，下游渠道及存儲模組廠在年底旺季接單分別在9~10月完成出貨，市場預(yù)期存儲價格看漲的期待心理，帶動短期的庫存回補需求大致告一段落，11月現(xiàn)貨價漲幅已明顯轉(zhuǎn)趨疲弱。
整體來看，大容量DRAM顆粒產(chǎn)品的漲幅較大，DDR4 16Gb近月來平均漲幅約3.25%，DDR4 8Gb處于0.25~1.8%之間微幅調(diào)漲，盡管上游原廠已積極調(diào)降DDR4供給產(chǎn)出，但二手拆解市場仍有不少DDR4顆粒流竄，整體DDR4市場庫存也較高，拖累DDR4價格調(diào)漲不易，至于DDR3價格不漲反跌，庫存調(diào)整持續(xù)進行中。
NAND Wafer價格持續(xù)受到上游原廠供應(yīng)減產(chǎn)的影響驅(qū)動，存儲模組業(yè)者透露，目前原廠對第4季Flash供應(yīng)的態(tài)度就是拖延戰(zhàn)術(shù)，原先曾在9月試圖敲定數(shù)百萬顆訂單，但原廠遲遲不愿放貨，就算愿意給貨，數(shù)量及價格都無法達到滿意的目標，雖然終端市場需求已進入淡季，但Flash現(xiàn)貨市場行情卻處于上游熱、下游冷的特殊狀態(tài)，加速Flash Wafer各產(chǎn)品全面調(diào)漲。
以現(xiàn)貨市場來看，512Gb TLC價格從半年前約1.4美元一路爬坡向上，目前11月底價格已達到2.6~2.7美元，原本價格一度跌破材料成本，如今正朝著原廠損益平衡的首要目標持續(xù)狂漲，根據(jù)業(yè)界估算，512Gb Flash價格要回到3.2~3.5美元，原廠才有望回到損平點，短期內(nèi)估計價格難再回頭，但終端SSD價格仍難跟進上漲，導(dǎo)致進貨價高于賣價的狀況持續(xù)存在。
根據(jù)估計，各家原廠的減產(chǎn)效益在下半年陸續(xù)顯現(xiàn)，虧損及庫存正逐季縮小，不過各家合計虧損金額仍高達60億美元，雖比第2季虧損80億美元的幅度收斂，但NAND原廠將持續(xù)推動減產(chǎn)策略延續(xù)至2024年。
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