在當今高效能源轉換技術的發(fā)展更迭中,如何將開關損耗盡可能降至最低是每位工程師都必須考慮的問題。理論上能夠達到零損耗的ZVS軟開關,盡管已經大幅降低了開關損耗,然而在紛繁復雜的實際應用場景中,卻仍會不可避免地產生損耗。
6月12日,Qorvo將在PowerUP Asia 2024上介紹其創(chuàng)新解決方案,點擊閱讀原文,鎖定Qorvo虛擬展臺,了解Qorvo SiC FET如何進一步降低ZVS軟開關的損耗!
主題:Qorvo SiC FET在ZVS軟開關應用中表現(xiàn)出色
時間:6月12日10:55-11:15
主講:Mike Zhu,Qorvo高級產品應用工程師
Qorvo SiC FET可同時解決ZVS軟開關應用中的主要損耗成分(傳導損耗和關斷開關損耗)。由于其獨特的級聯(lián)器件結構,它還具有低柵極驅動損耗、低時間相關輸出電容、低體二極管壓降等優(yōu)勢。本講座將詳細解釋其優(yōu)勢器件結構,以及其性能優(yōu)于硅超結和碳化硅MOSFET的原因。50kW移相全橋的模擬基準表明,與基于SiC MOSFET的E1B半橋模塊相比,基于Qorvo SiC FET的E1B半橋模塊的關斷損耗降低了74%,滿載時的結溫降低了10%。