?今日光電?
? ? ?有人說(shuō),20世紀(jì)是電的世紀(jì),21世紀(jì)是光的世紀(jì);知光解電,再小的個(gè)體都可以被賦能。追光逐電,光贏未來(lái)...歡迎來(lái)到今日光電!

----追光逐電 光贏未來(lái)----
1. 外觀檢查。
2.?X-ray。
3.聲學(xué)掃描顯微鏡檢查。
4.I-V曲線測(cè)試。
5.化學(xué)解封裝后內(nèi)部視檢。
6.微光顯微鏡檢查。
1. 案例背景
收到客戶(hù)樣品2Pcs芯片,客戶(hù)描述1Pc為NG樣品,另1Pc為OK樣品,根據(jù)客戶(hù)要求進(jìn)行失效分析原因。

2.分析方法簡(jiǎn)述
2.1?外觀檢查

??OK芯片外觀形貌

?
?NG芯片外觀形貌
說(shuō)明:光學(xué)顯微鏡檢查顯示OK樣品正面、背面以及側(cè)面無(wú)其他明顯外觀異常。檢查顯示NG樣品正面、背面及側(cè)面均有助焊劑殘留及黑膠殘留。
?2.2?X-射線檢查
?

?
OK芯片X-Ray形貌

?
NG芯片X-Ray形貌
說(shuō)明:X-射線檢查顯示OK樣品與NG樣品內(nèi)部形貌一致,內(nèi)部鍵合線不一致,無(wú)其他明顯內(nèi)部異常。
2.3聲學(xué)掃描顯微鏡檢查
?

?OK芯片C-SAM形貌
?

NG芯片C-SAM形貌
說(shuō)明:聲學(xué)掃描顯微鏡檢查顯示OK樣品與NG樣品芯片表面及引線框面均無(wú)明顯異常。
2.4?I-V曲線測(cè)試?
??? ? ? ? ? ? ? ? ? ?? ? ??

??OKI-V曲線測(cè)試圖

NGI-V曲線測(cè)試圖
說(shuō)明:?I-V測(cè)試曲線分析(電流500uA/電壓500mV),NG樣品測(cè)試曲線有VCC對(duì)GND存在差異,可能存在微漏電情況。
2.5?化學(xué)解封裝后內(nèi)部視檢

OK芯片化學(xué)解封裝后內(nèi)部形貌

?NG芯片化學(xué)解封裝后內(nèi)部形貌
說(shuō)明:化學(xué)解封裝后光學(xué)顯微鏡檢查顯示OK樣品與NG樣品形貌一致,無(wú)其他異常特征。
2.6?微光顯微鏡檢測(cè)
?

NG樣品微光顯微鏡檢測(cè)形貌
說(shuō)明:微光顯微鏡檢測(cè)(5V電壓、1mA電流)顯示NG樣品芯片GND對(duì)VCC間存在漏電異常現(xiàn)象。
對(duì)客戶(hù)提供的NG樣品芯片進(jìn)行外觀檢查,I-V測(cè)試曲線分析以及結(jié)合微光顯微鏡檢測(cè)結(jié)果,推測(cè)芯片失效的原因是芯片內(nèi)部輕微漏電,導(dǎo)致工作異常。
申明:感謝原創(chuàng)作者的辛勤付出。本號(hào)轉(zhuǎn)載的文章均會(huì)在文中注明,若遇到版權(quán)問(wèn)題請(qǐng)聯(lián)系我們處理。
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