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使用HSE(高速外部時鐘)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大72M。
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外部供電：GD32外部供電范圍是2.6 ~ 3.6V，STM32外部供電范圍是2 ~ 3.6V,GD的供電范圍比STM32相對要窄一點。
內(nèi)核電壓：GD32內(nèi)核電壓是1.2V，STM32內(nèi)核電壓是1.8V。GD的內(nèi)核電壓比STM32的內(nèi)核電壓要低，所以GD的芯片在運行的時候運行功耗更低。
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GD32的Flash是自主研發(fā)的，和STM32的不一樣。
GD Flash執(zhí)行速度：GD32 Flash中程序執(zhí)行為0等待周期。
STM32 Flash執(zhí)行速度：ST系統(tǒng)頻率不訪問flash等待時間關(guān)系：0等待周期，當0<SYSCLK<24MHz，1等待周期，當24MHz<SYSCLK≤48MHz，2等待周期，當48MHz<SYSCLK≤72MHz。
Flash擦除時間：GD擦除的時間要久一點，官方給出的數(shù)據(jù)是這樣的：GD32F103/101系列Flash 128KB 及以下的型號， Page Erase 典型值100ms， 實際測量60ms 左右。對應的ST 產(chǎn)品Page Erase 典型值 20~40ms。
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從下面的表可以看出GD的產(chǎn)品在相同主頻情況下，GD的運行功耗比STM32小，但是在相同的設置下GD的停機模式、待機模式、睡眠模式比STM32還是要高的。
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GD在連續(xù)發(fā)送數(shù)據(jù)的時候每兩個字節(jié)之間會有一個Bit的Idle，而STM32沒有，如下圖：
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GD的輸入阻抗和采樣時間的設置和ST有一定差異，相同配置GD采樣的輸入阻抗相對來說要小。具體情況見下表這是跑在72M的主頻下，ADC的采樣時鐘為14M的輸入阻抗和采樣周期的關(guān)系：
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STM32只有100Pin以上的大容量（256K及以上）才有FSMC，GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。
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GD103系列和ST103系列的ram和flash對比如下圖：
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GD的105/107的選擇比ST的多很多，具體見下表：
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來源地址：
https://blog.csdn.net/shenzhen_zixian/article/details/103250238
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