原子級薄的范德瓦爾斯van der Waals (vdW) 薄膜，為量子異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長提供了新材料體系。然而，不同于三維塊晶體的遠(yuǎn)程外延生長，由于較弱的范德華vdW相互作用，跨原子層的二維材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)生長受到了限制。今日，美國 哈佛大學(xué)（Harvard University）Joon Young Park，Philip Kim等，在Nature Materials上發(fā)文，報道了基于原子級膜，范德瓦爾斯vdW層狀材料的雙面外延生長。
利用分子束外延技術(shù)，在原子級薄石墨烯或六方氮化硼的兩個襯底表面上，生長了范德瓦爾斯vdW拓?fù)浣^緣體Sb2Te3和Bi2Se3。還制造了同質(zhì)和異質(zhì)雙面范德瓦爾斯vdW拓?fù)浣^緣體隧道結(jié)，其中原子級薄的六方氮化硼充當(dāng)具有突變和外延界面的晶體動量守恒隧穿勢壘。
在這些器件上，場角相關(guān)磁隧穿譜表明，在界面拓?fù)浔砻鎽B(tài)中，形成了無質(zhì)量狄拉克電子（螺旋朗道能級之間）隧穿的能量-動量-自旋共振。
在原子級薄膜上，拓?fù)浣^緣體的雙面范德華外延生長
圖1: 拓?fù)浣^緣體topological insulator，TI/hBN (石墨烯)/TI垂直異質(zhì)結(jié)構(gòu)的雙面范德瓦爾斯van der Waals，vdW外延生長。
圖2: 拓?fù)浣^緣體TI/hBN (石墨烯)/TI雙面vdW外延異質(zhì)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)特性。
圖3: 零磁場時，Bi2Se3/hBN/Sb2Te3異質(zhì)結(jié)的隧穿譜。
圖4: Bi2Se3/2單層monolayers(ML) hBN/Sb2Te3器件取決于磁場的隧道電導(dǎo)。???2025（第五屆）碳基半導(dǎo)體材料與器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇
2025（第五屆）碳基半導(dǎo)體材料與器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇（CarbonSemi 2025）將在2025年4月10-12日于寧波召開。
碳基半導(dǎo)體（包括金剛石、碳化硅、石墨烯和碳納米管等）因其超寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高載流子遷移率以及優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性等卓越的特性，正在成為解決傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體材料逐漸逼近物理極限問題的關(guān)鍵途徑。在人工智能、5G/6G通信、新能源汽車等迅猛發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域表現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。尤其是在當(dāng)前不確定的國際局勢和貿(mào)易環(huán)境背景下，碳基半導(dǎo)體戰(zhàn)略意義凸顯，成為多國布局的重要賽道。為此，由DT新材料將舉辦的第五屆碳基半導(dǎo)體材料與器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇，以“創(chuàng)新·融合（金剛石&“金剛石+”）”為主題，將圍繞金剛石以及“金剛石+”半導(dǎo)體的生長、精密加工、鍵合、器件制造、高效熱管理應(yīng)用等環(huán)節(jié)中的關(guān)鍵技術(shù)和設(shè)備，搭建一個匯聚頂尖專家學(xué)者、企業(yè)家和產(chǎn)業(yè)界人士的高水平交流平臺，分享與探討碳基半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)趨勢、創(chuàng)新成果和應(yīng)用需求，推動碳基半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上下游合作，助力產(chǎn)業(yè)鏈高質(zhì)量發(fā)展。
報告申請：
汪楊
電話：19045661526（微信同號）
郵箱：wangyang@polydt.com
劉琦
電話：18958383279（微信同號）
郵箱：liuqi@polydt.com
李蕊
電話：13373875075（微信同號）
郵箱：luna@polydt.com
曾瑤
電話：18958254586（微信同號）
郵箱：zengyao@polydt.com
免責(zé)聲明 | 部分素材源自網(wǎng)絡(luò)公開信息，版權(quán)歸原作者所有。本平臺發(fā)布僅為了傳達(dá)一種不同觀點(diǎn)，不代表對該觀點(diǎn)贊同或支持。如涉侵權(quán)，請聯(lián)系我們處理。
