鎧俠宣布了與閃迪聯(lián)合開(kāi)發(fā)的第10代BiCS 3D NAND閃存，無(wú)論堆疊層數(shù)、存儲(chǔ)密度、接口速率性能，都達(dá)到了新的高度。
鎧俠新閃存采用CBA雙晶圓鍵合技術(shù)，分別制造CMOS控制電路、NAND存儲(chǔ)陣列，然后鍵合在一起，其實(shí)就是學(xué)習(xí)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking晶棧架構(gòu)。
3D堆疊層數(shù)達(dá)到空前的332層，對(duì)比第8代的218層增加了多達(dá)38％，也超過(guò)了SK海力士的321層、三星的290層、美光的276層、西數(shù)的218層。
鎧俠的目標(biāo)，是在2027年造出1000層堆疊的3D閃存。
得益于更多層的堆疊，存儲(chǔ)密度號(hào)稱(chēng)提升59％，算下來(lái)約為每平方毫米36.4Gb，同樣遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先友商，西數(shù)也只做到了每平方毫米22.9Gb，SK海力士更是不過(guò)每平方毫米20Gb。
不過(guò)，鎧俠暫未公布具體的閃存類(lèi)型(TLC/QLC)，以及單Die容量。
新閃存同時(shí)支持Toggle DDR 6.0接口規(guī)范，傳輸速度高達(dá)4800MT/s，比前代提升33％，同樣是新高，超過(guò)了美光、西數(shù)的3600MT/s。
此外，鎧俠這次還加入了PI-LTT低功耗技術(shù)，輸入功耗降低10％，輸出功耗降低34％，可以更好地滿(mǎn)足AI技術(shù)需求。
在近日的投資者日活動(dòng)上，閃迪宣布了其開(kāi)發(fā)容量高達(dá)PB級(jí)固態(tài)硬盤(pán)的計(jì)劃，不過(guò)遺憾的是路線圖中并未公布具體的時(shí)間。
這一目標(biāo)將通過(guò)其UltraQLC技術(shù)實(shí)現(xiàn)，UltraQLC并非一種新型內(nèi)存，而是閃迪自家研發(fā)的BICS 8 QLC 3D NAND、一個(gè)高端專(zhuān)用控制器（支持64個(gè)NAND通道）和固件的結(jié)合體。
該平臺(tái)的核心在于其定制的控制器，它融合了專(zhuān)用硬件加速器，將關(guān)鍵存儲(chǔ)任務(wù)從固件中分擔(dān)出去，從而降低延遲、提高帶寬，并增強(qiáng)在超大規(guī)模存儲(chǔ)環(huán)境中的可靠性。
此外，該控制器還會(huì)根據(jù)工作負(fù)載自動(dòng)調(diào)整功耗，確保最佳的能效。
UltraQLC固態(tài)硬盤(pán)將采用2Tb NAND內(nèi)存IC來(lái)實(shí)現(xiàn)128TB的存儲(chǔ)容量，盡管64通道的控制器理論上能支持更高容量，但這樣做會(huì)影響性能。
展望未來(lái)，閃迪預(yù)計(jì)將開(kāi)發(fā)更高容量的NAND設(shè)備，這將使SSD的容量擴(kuò)展到256TB、512TB，并在未來(lái)幾年內(nèi)達(dá)到1PB的目標(biāo)。
閃迪的工程與產(chǎn)品管理負(fù)責(zé)人表示：“UltraQLC是基于我們幾十年的經(jīng)驗(yàn)和當(dāng)前的學(xué)習(xí)，專(zhuān)門(mén)為現(xiàn)代數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施打造的技術(shù)，完全沒(méi)有在密度、性能和能效上作出妥協(xié)。”
傳統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)一直依賴(lài)于在“開(kāi)”、“關(guān)”狀態(tài)之間切換，但存儲(chǔ)這些二進(jìn)制狀態(tài)的元件物理大小，卻限制了設(shè)備中能夠容納的信息量。
近日，芝加哥大學(xué)PME團(tuán)隊(duì)研究人員發(fā)表研究成果顯示，他們成功在僅1毫米大小的晶體內(nèi)儲(chǔ)存了數(shù)TB的數(shù)據(jù)，為今后儲(chǔ)存解決方案取得突破性的里程碑。
據(jù)悉，研究人員通過(guò)利用晶體內(nèi)的單原子缺陷來(lái)表示數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的二進(jìn)制1和0來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。
這項(xiàng)研究發(fā)表于《納米光子學(xué)》（Nanophotonics）期刊，探討了原子尺度的晶體缺陷（crystal defect）如何起到個(gè)別儲(chǔ)存單元的作用，以及如何將量子方法與傳統(tǒng)計(jì)算原理相結(jié)合的過(guò)程。
研究人員認(rèn)為，這項(xiàng)突破可能重新定義數(shù)據(jù)儲(chǔ)存的極限，為傳統(tǒng)計(jì)算領(lǐng)域帶來(lái)超輕薄、超大容量的儲(chǔ)存解決方案。
該研究論文第一作者、博士后研究員Leonardo Fran?a表示：“我們找到了能將應(yīng)用于輻射劑量測(cè)定的固態(tài)物理學(xué)與專(zhuān)注于量子領(lǐng)域的研究團(tuán)隊(duì)相結(jié)合的方法。”
在助理教授Tian Zhong的領(lǐng)導(dǎo)下，研究團(tuán)隊(duì)透過(guò)將稀土離子引入晶體中，具體而言就是將鐠（Praseodymium）離子摻雜到氧化釔（Yttrium Oxide）晶體內(nèi)，從而開(kāi)發(fā)出這種創(chuàng)新的儲(chǔ)存方法。他們認(rèn)為，由于稀土元素具備多樣化的光學(xué)特性，這種方法可以擴(kuò)展至其他材料。
該記憶系統(tǒng)通過(guò)能讓稀土離子通電以釋放電子的紫外激光加以啟動(dòng)，這些電子隨后被困在晶體內(nèi)的天然缺陷中。?
研究人員通過(guò)控制這些缺陷的電荷狀態(tài)，有效地構(gòu)建出一套二進(jìn)制系統(tǒng)，其中帶電缺陷代表1，不帶電缺陷代表0。
過(guò)去，晶體缺陷曾在有關(guān)量子運(yùn)算的探索性研究中做為潛在量子位（qubit）。如今，芝加哥大學(xué)PME團(tuán)隊(duì)更進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)如何將其運(yùn)用在傳統(tǒng)存儲(chǔ)應(yīng)用里。
