回顧2024年，碳化硅和氮化鎵行業在多個領域取得了顯著進步，并經歷了重要的變化。展望2025年，行業也將面臨新的機遇和挑戰。為了更好地解讀產業格局，探索未來的前進方向，行家說三代半與行家極光獎聯合策劃了《第三代半導體產業-行家瞭望2025》專題報道。
本期嘉賓是飛仕得設備事業部CTO劉偉博士。接下來，我們將繼續邀請更多領軍企業參與《行家瞭望2025》，敬請期待。
SiC產業鏈需探索降本路徑
器件測試與篩選為關鍵環節
行家說三代半：據行家說Research預估，2024年SiC功率半導體市場同比增長14%左右，增速較去年有所下降，您如何看待SiC需求出現較大波動的背后原因？?
劉偉：SiC市場增長放緩的原因可以從外部因素、成本因素和可靠性因素三個方面分析。首先，外部因素如全球經濟波動、貿易政策限制（如美國對SiC襯底的301調查）以及競爭技術（如GaN）的崛起，對SiC市場需求和供應鏈穩定性造成了沖擊。此外，下游行業（如電動汽車、光伏逆變器）的需求增速放緩也影響了SiC的市場表現
其次，成本因素是制約SiC市場增長的重要瓶頸。SiC襯底生產工藝復雜、良率低，導致襯底成本居高不下；同時，制造設備昂貴和規模化生產不足進一步推高了整體成本，限制了SiC器件的價格競爭力。
最后，可靠性問題也是SiC市場增長放緩的關鍵原因。SiC器件在高溫、高壓環境下的長期穩定性仍需提升，嚴格的測試和篩選流程增加了生產成本和時間成本。此外，部分工藝（如柵氧層可靠性、封裝技術）的技術成熟度不足，影響了其大規模應用的推廣。未來，隨著技術進步和規模化生產的推進，SiC市場有望克服這些瓶頸，重回高速增長軌道。
行家說三代半：如果用3個關鍵詞總結2024年SiC行業的發展狀況，您會用哪幾個詞？
劉偉：國產化：2024年，國內SiC產業在國產化方面取得了顯著進展，襯底、外延、器件等關鍵環節的自主研發能力大幅提升，減少了對進口技術和設備的依賴。未來，需進一步加大技術攻關力度，推動核心設備和材料的全面國產化，增強產業鏈的自主可控能力，以應對地緣政治風險和供應鏈安全挑戰。
成本降低：2024年，國內SiC產業通過技術進步、規模化生產和工藝優化，有效降低了襯底和器件的制造成本，提升了市場競爭力。未來，需繼續優化生產工藝、擴大生產規模，并探索低成本襯底技術（如SiC-on-Si），進一步降低成本，推動SiC在更多領域的規模化應用。
可靠性提升：2024年，國內SiC產業在器件測試和可靠性篩選方面取得了重要突破，從晶圓級到應用級的嚴格測試流程顯著提升了器件在高溫、高壓等嚴苛環境下的性能穩定性。未來，需進一步加強可靠性研究，完善測試標準和方法，提升器件良率和長期穩定性，以增強客戶信心和市場競爭力。
未來，通過在這三個方面的持續提升，國內SiC產業將進一步提升整體競爭力，推動中國在全球功率半導體市場中占據更重要的地位。
行家說三代半：盡管2024年SiC行業進入了階段性調整期，但也不乏發展亮點。您認為行業在2024年取得了哪些新的進步？未來SiC行業的發展方向是什么？
劉偉：SiC整個行業，越來越重視對SiC器件的測試和可靠性篩選。從技術角度來看，SiC行業正日益重視對SiC器件的測試和可靠性篩選，這已成為推動行業發展的關鍵環節。隨著SiC器件在高壓、高溫和高頻應用中的廣泛普及，行業從晶圓級、芯片級、器件級到應用級都提出了更高的測試需求和標準，以確保器件在全生命周期內的可靠性和穩定性。
通過嚴格的測試和篩選，SiC器件的缺陷率得以降低，性能一致性得到提升，從而進一步增強了其在功率變換領域應用的可靠性。這種對測試和可靠性的重視不僅有助于提升SiC器件的性能，還能通過優化制造工藝和篩選流程降低整體成本。
隨著技術的成熟和規模化生產的推進，SiC器件的成本將進一步下降，為其在更多領域的應用鋪平道路。特別是在電動汽車、數據中心、AI運算、低空經濟等高速增長的新興領域，SiC器件的高效能量轉換和緊湊設計優勢將得到充分發揮，推動這些領域的技術進步和產業升級。
未來，隨著測試技術的不斷創新和可靠性標準的持續提升，SiC器件將在更廣泛的應用場景中展現其價值，成為推動能源轉型和智能化發展的核心動力之一。
SiC行業競爭不斷升級
飛仕得力破器件測試難題
行家說三代半：SiC行業競爭越發激烈，如何看待競爭格局變化？面臨主要挑戰和機會有哪些？
劉偉：SiC行業目前正處于與成熟的Si（硅基）方案和快速崛起的GaN（氮化鎵）方案競爭的格局中。盡管SiC在高壓、高溫和高頻應用中展現出顯著優勢，但其大規模應用仍受限于較高的成本和可靠性挑戰。具體來看，SiC襯底的生產工藝復雜且良率較低，導致成本居高不下；同時，SiC器件在長期穩定性和高溫環境下的性能仍需進一步優化。
然而，隨著技術的不斷進步和規模化生產的推進，SiC的成本正在逐步降低，可靠性和穩定性也在持續改善。未來，一旦這些瓶頸得到突破，SiC將在更寬的電壓范圍（如650V以上）內與Si器件和GaN器件展開競爭，尤其是在新能源汽車、光伏逆變器、軌道交通、工業電源等高壓高功率應用領域，SiC的性能優勢將更加凸顯。
此外，SiC還具備更高的能量轉換效率和更小的系統體積，能夠幫助客戶降低整體系統成本。因此，通過持續的技術創新、產業鏈協同以及應用場景的拓展，SiC有望在未來的功率半導體市場中占據更重要的地位，成為推動能源轉型和產業升級的關鍵技術之一。
行家說三代半：現在SiC行業價格戰打得火熱，貴公司如何同時兼顧成本控制、高品質、穩定供應？
劉偉：飛仕得在測試技術和測試機領域始終堅持以技術創新為核心驅動力，通過不斷突破技術瓶頸，推動產品迭代升級，顯著提升了產品的市場競爭力。在嚴格保證品質控制的前提下，飛仕得致力于優化功率器件的測試流程，大幅提升測試效率，同時降低客戶的單位投資成本。憑借高效、可靠的測試解決方案，飛仕得為客戶創造了更大的價值，助力其在激烈的市場競爭中占據優勢地位。
行家說三代半：最近，美國對中國SiC襯底發起了301調查，該事件會對國內襯底、外延、器件、模塊造成怎樣的影響？國內SiC廠商應如何應對地緣政治的影響？
劉偉：美國對中國SiC襯底發起301調查，短期內可能對國內襯底、外延、器件及模塊等環節造成一定壓力，尤其是出口受限和供應鏈風險。然而，這也為國內廠商提供了加速技術自主化和市場多元化的契機。通過加強技術研發、推動設備國產化、拓展新興市場、協同產業鏈以及爭取政策支持，國內SiC廠商有望在地緣政治風險中實現突圍，推動中國SiC產業的長期健康發展，逐步縮小與國際領先企業的差距。
行家說三代半：貴公司2025年將重點發力哪些市場或者哪些發展目標？
劉偉：飛仕得將繼續深耕驅動、測試領域，推動SiC功率器件技術的突破與應用，為行業的高質量發展貢獻力量。我們期待與更多合作伙伴攜手，共同探索前沿技術，促進行業生態的繁榮與進步。
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