
以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)EE」知識(shí)星球
- 關(guān)于PCB嵌入式功率半導(dǎo)體技術(shù)方案的介紹
導(dǎo)語(yǔ):最近了解了Fraunhofer等公司關(guān)于SiC嵌入式PCB產(chǎn)品技術(shù)方案的專(zhuān)題報(bào)告,我準(zhǔn)備用幾篇文章對(duì)這一技術(shù)方向面臨的挑戰(zhàn),以及關(guān)鍵的技術(shù)細(xì)節(jié)做一些總結(jié),希望能給行業(yè)同仁帶來(lái)些參考和幫助。
1. 嵌入式功率半導(dǎo)體的創(chuàng)新情況
2. 設(shè)計(jì)的理念與考慮因素
3. 半導(dǎo)體材料選擇與技術(shù)方案
4. 工藝細(xì)節(jié)與嵌入技術(shù)
5. 應(yīng)用實(shí)例與成果展示
6. 未來(lái)展望
注: 本篇為引導(dǎo)文,完整內(nèi)容會(huì)在知識(shí)星球發(fā)布(點(diǎn)擊文末"閱讀原文")

圖片來(lái)源:Fraunhofer
據(jù)調(diào)研,在歐洲已經(jīng)有多家公司,在嵌入式功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了顯著成果。例如我們前段時(shí)間談的Schweizer的智能p2 Pack?,將英飛凌的S-Cell 1200 V CoolSiC? Gen2p芯片集成到PCB中,顯著改善開(kāi)關(guān)行為、降低功率損失并優(yōu)化散熱,與傳統(tǒng)解決方案相比,性能提升了高達(dá)60%。| SysPro備注,相關(guān)文章:英飛凌的1200V芯片嵌入PCB解決方案 + Schweizer的技術(shù)核心

圖片來(lái)源:Schweizer
|SysPro備注:關(guān)于芯片內(nèi)嵌式PCB的全球產(chǎn)業(yè)化布局情況我們正在梳理,會(huì)有專(zhuān)題報(bào)告,請(qǐng)持續(xù)關(guān)注,部分信息會(huì)在「SysPro 電力電子技術(shù)EE」知識(shí)星球中發(fā)布。
作為功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、應(yīng)用工程師的我們,想要將嵌入式功率半導(dǎo)體概念走向產(chǎn)業(yè)化,除了在考慮電力電子應(yīng)用中的熱學(xué)和電學(xué)方面的學(xué)科及除外,更重要的是要始終秉持著創(chuàng)新與實(shí)用的理念。

半導(dǎo)體是現(xiàn)代電子電路的基礎(chǔ),其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用尤為廣泛。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體材料因其耐高壓、耐高溫、高頻和高熱導(dǎo)率性能,成為嵌入式功率半導(dǎo)體的理想選擇。這些材料不僅提高了MOSFET、IGBT等功率器件的工作頻率和耐壓容量,還極大地提升了設(shè)備的功率密度和綜合性能。那么,選擇不同的半導(dǎo)體材料有什么講究?會(huì)帶來(lái)怎樣的優(yōu)勢(shì)呢?

圖片來(lái)源:Fraunhofer
在嵌入式半導(dǎo)體PCB技術(shù)的實(shí)現(xiàn)過(guò)程中,采用了多種先進(jìn)的工藝方法。例如,通過(guò)高電流PCB基板嵌入陶瓷材料,結(jié)合銀漿點(diǎn)膠居中拓?fù)浼夹g(shù),實(shí)現(xiàn)了芯片與基板的緊密連接。此外,還采用了多層布線技術(shù)和激光微孔技術(shù),以確保信號(hào)傳輸?shù)母咝院涂煽啃浴_@些工藝方法不僅提高了產(chǎn)品的性能,還降低了生產(chǎn)成本,為大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。詳細(xì)內(nèi)容,我們后續(xù)同樣會(huì)在「SysPro 電力電子技術(shù)EE」中進(jìn)一步說(shuō)明。

關(guān)于嵌入式半導(dǎo)體PCB技術(shù)研究成果已經(jīng)在多個(gè)領(lǐng)域得到了應(yīng)用。例如,在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域,嵌入式功率模塊顯著提高了驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率和性能;在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,嵌入式功率技術(shù)為高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和變頻器提供了有力支持。如下圖所示某芯片嵌入式驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)+行星排減速器方案,很緊湊的一個(gè)技術(shù)方案。|SysPro備注:相關(guān)信息正在收集、整合中。


圖片來(lái)源:Fraunhofer
以上內(nèi)容為關(guān)于嵌入式半導(dǎo)體PCB技術(shù)全面解析(引導(dǎo)文),包括設(shè)計(jì)理念、基本構(gòu)型、半導(dǎo)體材料與技術(shù)、工藝細(xì)節(jié)、應(yīng)用實(shí)例以及未來(lái)展望。后續(xù)會(huì)對(duì)上述提到的幾點(diǎn)內(nèi)容進(jìn)行展開(kāi),完整內(nèi)容陸續(xù)在「SysPro 電力電子技術(shù)EE」知識(shí)星球發(fā)布,歡迎進(jìn)一步查閱、學(xué)習(xí),希望有所幫助!
[1] 創(chuàng)新芯片嵌入技術(shù)推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)發(fā)展:英飛凌SiC芯片嵌入技術(shù)(☆☆☆☆☆)
[2] Schweizer 先進(jìn)嵌入式PCB技術(shù)在不同應(yīng)用領(lǐng)域中的創(chuàng)新應(yīng)用(☆☆☆☆☆, 16頁(yè))
[3] PCB技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與嵌入式技術(shù)在PCB中的應(yīng)用(☆☆☆☆☆, 37頁(yè))
[4-EE星球] Schweizer Electronic AG在48V及未來(lái)高壓芯片嵌入技術(shù)方面的突破性進(jìn)展和路線圖(☆☆☆☆☆, 23頁(yè))
[5-EE星球] Schweizer Electronic AG的嵌入式PCB技術(shù)常見(jiàn)問(wèn)題解答(FAQs)(☆☆☆☆☆, 40頁(yè))
[6-EE星球] 功率半導(dǎo)體在PCB中的嵌入式技術(shù)深度解析 (☆☆☆☆☆)
[7-EE星球] 功率芯片嵌入技術(shù)在PCB中的應(yīng)用實(shí)現(xiàn) (☆☆☆☆☆)
備注:報(bào)告4/5/6/7在「SysPro電力電子技術(shù)」星球中發(fā)布(高階成長(zhǎng)星球,文末有介紹)


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2025年2月13日
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