6月17日，上海#新微半導(dǎo)體 有限公司（簡(jiǎn)稱“新微半導(dǎo)體”）宣布正式發(fā)布基于#砷化鎵（#GaAs）的高速和陣列光電探測(cè)器（PD, Photodetector）工藝平臺(tái)。該平臺(tái)的推出，標(biāo)志著新微半導(dǎo)體在高速數(shù)據(jù)通信與光通信領(lǐng)域業(yè)務(wù)板塊的進(jìn)一步拓展，可以為客戶提供更豐富、更高效和更可靠的光電解決方案。
圖片來源：新微半導(dǎo)體
據(jù)介紹，該平臺(tái)采用了4英寸GaAs/AlGaAs異質(zhì)結(jié)外延技術(shù)，結(jié)合深臺(tái)面刻蝕、側(cè)壁鈍化及BCB/PBO平坦化等關(guān)鍵工藝，具備低暗電流、低電容、高響應(yīng)度、高帶寬及高可靠性等優(yōu)越性能。其代工產(chǎn)品能夠在-40℃到85℃的寬溫范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行，確保設(shè)備在嚴(yán)寒、高溫等嚴(yán)苛環(huán)境下的性能一致性，保障終端設(shè)備可靠運(yùn)行。
在可靠性驗(yàn)證上，其代工產(chǎn)品已通過Telcordia GR468可靠性標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試，涵蓋HTOL（高溫工作壽命）、ESD（靜電放電）、T/C（溫度循環(huán)）及THB（高溫高濕壽命）等關(guān)鍵測(cè)試項(xiàng)目。在175℃的HTOL測(cè)試以及THB（溫度85℃、濕度85%RH）測(cè)試環(huán)境中，施加-5V偏置電壓條件，三批產(chǎn)品（抽樣標(biāo)準(zhǔn)77顆樣品）經(jīng)過2000小時(shí)老化后，均實(shí)現(xiàn)零失效，產(chǎn)品可靠性滿足通信級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。
作為先進(jìn)的化合物半導(dǎo)體晶圓代工企業(yè)，新微半導(dǎo)體自成立以來，一直專注于為功率和光電兩大應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供多元化的晶圓代工及配套服務(wù)。除了此次推出的砷化鎵光電探測(cè)器工藝平臺(tái)，公司還擁有基于3/4吋磷化銦（InP）材料的全系列光電工藝解決方案，以及氮化鎵（GaN）功率器件制造平臺(tái)等，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于通信、新能源、消費(fèi)電子、汽車、工業(yè)和生物醫(yī)療等多個(gè)終端應(yīng)用領(lǐng)域。
新微半導(dǎo)體總經(jīng)理王慶宇博士表示：“新微半導(dǎo)體始終致力于為客戶提供最先進(jìn)的化合物半導(dǎo)體工藝解決方案。此次高速和陣列砷化鎵光電探測(cè)器工藝平臺(tái)的推出，是我們?cè)诠怆婎I(lǐng)域的又一重大突破。我們相信，憑借該平臺(tái)的卓越性能，將幫助客戶在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中取得優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和應(yīng)用拓展。”
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