5月23日，蘇州#東微半導體 股份有限公司（以下簡稱“東微半導”）發布公告稱，公司核心技術人員劉磊先生因個人職業發展原因申請辭去核心技術人員職務，辭職后將不再擔任公司任何職務。
圖片來源：東微半導體公告截圖
東微半導在公告中明確表示，劉磊先生的離職不會對公司的技術研發、產品創新、核心競爭力與持續經營能力產生不利影響。東微半導強調，公司高度重視人才隊伍建設和研發工作，已組建了經驗豐富、結構合理的高素質研發團隊。截至2024年末，公司研發人員數量為69人，占公司總人數的43.67%。
據悉，2025年第一季度，東微半導實現營業收入2.83億元，同比增長63.41%；歸母凈利潤780.57萬元，同比增長81.78%，顯示出公司在營收和利潤方面的強勁增長。
在5月9日的機構調研中，東微半導表示未來將在中低壓屏蔽柵、IGBT、模塊和第三代半導體等品類上推出更多產品，產品結構將從單品大品類布局走向更加多元化。
據悉，東微半導在#第三代半導體 領域，尤其是1200V SiC功率器件平臺的研發和應用拓展方面，取得了顯著進展。該公司已完成第二代1200V SiC MOSFET的流片，器件靜態參數達標，正在進行平臺搭建以及代表產品穩定量產。
在產品應用方面，東微半導的SiC MOSFET產品已廣泛應用于新能源汽車車載充電機、光伏逆變及儲能、高效率通信電源、數據中心服務器高效率電源等領域。這些應用領域不僅涵蓋了新能源汽車和光伏等熱門行業，還擴展到了通信和數據中心等對功率器件性能要求較高的領域。
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