存算一體芯片涉及大模型和計算耗能，大模型計算的主要瓶頸在于“存儲墻”，憶阻器及其存算一體技術在大模型時代變得更為重要，亟需后摩爾時代的新計算范式。
目前，國內大模型紛紛涌現，比如百度的文心一言、科大訊飛的星火、阿里的通義千問等，這些模型的訓練需要計算耗能的增長速度遠超全球總能量的增長速度，極大限制了算力的持續增長。拉近存儲與計算的距離是突破傳統計算架構算力瓶頸的技術路線，而提升訪存能力的主要途徑是提高片上SRAM容量和提高片外訪存帶寬。存算一體架構具有高并行&減小數據搬運的特點，存算合一的電子突觸——憶阻器(RRAM)是此架構的新器件。
在大模型時代，半導體器件和芯片研究更需要高端測試設備的支持，新型測試設備也需要大模型的輔助。
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2024年6月6日（周四）14:30-15:30
講師介紹
高濱
清華大學集成電路學院 副教授，博士生導師
高濱，現為清華大學集成電路學院長聘副教授。2008年本科畢業于北京大學物理學院，獲得物理學學士學位；2013年博士畢業于北京大學信息科學技術學院微電子系，獲得微電子學與固體電子學專業博士學位；讀博期間曾赴新加坡南洋理工大學和美國斯坦福大學交流訪問。2013年至2015年在北京大學信息科學技術學院做博士后，2015年加入清華大學微納電子系，2017年晉升準聘副教授，2022年成為清華大學集成電路學院長聘副教授。
現主要從事先進存儲器和存算一體芯片研究，在Science、Nature、Nature Electronics、Nature Nanotechnology、Nature Machine Intelligence等期刊發表論文200余篇，在微電子三大頂級會議（IEDM、VLSI和ISSCC）發表論文50余篇，總引用超過15000次。申請專利300余項。擔任了IEDM、IRPS、EDTM、ICTA的sub-committee chair，DAC、IMW、IPFA的TPC member，在重要國際學術會議做特邀報告20余次。2020年獲得國家青年人才項目支持，2024年獲得國家高層次人才項目支持。獲得中國電子學會自然科學一等獎、教育部自然科學二等獎、中國產學研合作創新成果獎、中國科協中國十大新銳科技人物、清華大學年度教學優秀獎和優秀博士學位論文指導教師等獎勵。
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