湖南三安8吋碳化硅芯片產線已通線

日前，三安光電在投資者互動平臺透露，湖南三安8吋碳化硅芯片產線已通線。這也意味著，湖南三安半導體正式轉型為8英寸SiC垂直整合制造商。

三安光電稱，截至2025年8月，湖南三安已擁有6吋碳化硅配套產能16,000片/月，8吋碳化硅襯底產能1,000片/月、外延產能2,000片/月，8吋碳化硅芯片產線已通線，同時擁有硅基氮化鎵產能2,000片/月。這一產能布局標志著公司在第三代半導體領域的國產化進程進一步提速。

此外，安意法已于2025年2月實現通線，首次建設產能2,000片/月；重慶三安首次建設產能2,000片/月，已開始逐步釋放產能。

據悉，湖南三安SiC項目總投資高達160億元，旨在打造6吋/8吋兼容SiC全產業鏈垂直整合量產平臺。項目達產后，將具備年產36萬片6吋SiC晶圓、48萬片8吋SiC晶圓的制造能力。

8吋碳化硅芯片產線通線 技術突破助力產能釋放

根據三安光電披露，湖南三安8吋碳化硅芯片產線已于近期完成設備調試并正式通線。此前，公司在2025年7月的互動回復中提及該產線“正在建設中”，而此次官宣通線意味著項目進度較原計劃提前完成。作為碳化硅器件制造的核心環節，8吋芯片產線的投產將顯著提升公司高端功率半導體的自給能力。

碳化硅作為新一代半導體材料，具有耐高溫、高頻、低損耗等特性，廣泛應用于新能源汽車、光伏逆變器、軌道交通等領域。目前，全球碳化硅市場仍由Wolfspeed、英飛凌等國際巨頭主導，而三安光電通過8吋產線的突破，有望打破海外技術壟斷，加速國產替代進程。

全產業鏈布局深化 產能規模行業領先

湖南三安的碳化硅產能布局呈現“襯底-外延-芯片”全產業鏈協同特征。當前，其6吋碳化硅配套產能達16,000片/月，涵蓋襯底、外延及器件制造環節；8吋襯底與外延產能分別達1,000片/月和2,000片/月，且芯片產線已實現規模化生產。這一產能規模在國內碳化硅領域處于領先地位。

值得注意的是，湖南三安的產能建設與地方政府及產業鏈協同效應顯著。2024年底，湖南工信廳通報的二期項目計劃顯示，湖南三安計劃2024年底實現8吋芯片產能超2萬片/月。盡管當前實際產能尚未完全釋放，但公司通過分階段推進，已形成階段性成果。此外，2025年上半年湘江新區圍繞湖南三安引入15家鏈上企業，簽約額達80億元，進一步強化區域產業集群優勢。

釋放硅基氮化鎵產能落地 拓展化合物半導體應用場景

除碳化硅外，湖南三安同步布局硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術，當前產能為2,000片/月。硅基氮化鎵憑借高功率密度、低成本等優勢，在快充、數據中心電源、5G基站等領域需求旺盛。三安光電通過整合碳化硅與氮化鎵技術，可覆蓋更廣泛的功率半導體市場，滿足多元化應用需求。

第三代半導體被列為“十四五”重點支持方向，政策紅利持續釋放。據行業機構預測，2025年全球碳化硅市場規模將超30億美元，氮化鎵器件市場亦將突破20億美元。三安光電在湖南基地的產能擴張，與湖北三安（Mini/MicroLED）、蘇州斯科半導體（車規級功率模組）等基地形成互補，構建覆蓋光電、功率半導體的全產業鏈版圖。

公司表示，未來將持續推進碳化硅芯片產線良率提升及產能爬坡，并深化與新能源汽車、光伏等領域頭部客戶的合作。隨著8吋產線通線，湖南三安有望在2025年下半年實現產能規模與市場份額的雙重突破，為國產半導體產業鏈自主可控注入新動能。

來源：官方媒體/網絡新聞

會議背景

追隨空氣化工、林德、液化空氣、大陽日酸等國際企業的步伐，國內電子特氣企業金宏氣體、華特氣體、南大光電、中船特氣和雅克科技等紛紛取得突破。國內企業已經在關鍵領域實現突破，產品進入臺積電、美光、中芯國際等國際頭部晶圓廠供應鏈。然而，高端前驅體和光刻氣等仍依賴進口，國產化率低，具備很大的發展潛力。

2024年全球半導體金屬/氧化物前驅體市場規模達17億美元，同比增長15%。中國作為重要市場，亞化咨詢預計2028年半導體前驅體市場將達12億美元。主要受益于存儲芯片及邏輯芯片先進制程的需求。伴隨中芯、華潤、華虹、長江存儲、長鑫、等本土晶圓廠擴產，國產前驅體在純度、定制化解決方案領域替代空間巨大。國內龍頭企業雅克科技、南大光電、正帆科技發展迅速，廈門恒坤、上海至純等在前驅體領域也不斷推進。 

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