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SiC市場(chǎng)的下一個(gè)爆點(diǎn)：共源共柵結(jié)構(gòu)詳解
共源共柵（Cascode）結(jié)構(gòu)是通過(guò)將一個(gè)SiC JFET與一個(gè)低壓、常關(guān)的硅（Si）MOSFET串聯(lián)而成，其中JFET的柵極連接到MOSFET的源極。MOSFET的漏源電壓是JFET柵源電壓的反相，從而使cascode 結(jié)構(gòu)具有常見的常關(guān)特性。該結(jié)構(gòu)可在額定漏源電壓范圍內(nèi)阻斷電流，但如同任何MOSFET（無(wú)論是硅基還是碳化硅基器件）一樣，其反向電流始終可以流通。
圖：Cascode配置
圖像傳感器選擇標(biāo)準(zhǔn)多？成像性能必須排第一
選擇圖像傳感器的首要考慮因素是成像性能。成像始于圖像傳感器可捕捉的實(shí)際光譜范圍。如下圖所示，圖中的粉紅色線條表示圖像傳感器的硅光電二極管對(duì)電磁光譜中人眼無(wú)法看到的其他波長(zhǎng)的敏感性。這些波長(zhǎng)包括波長(zhǎng)較短的紫外線（UV）和波長(zhǎng)較長(zhǎng)的近紅外線（NIR）。大多數(shù)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）圖像傳感器的檢測(cè)范圍在350納米到1000納米之間。
圖：電磁頻譜--人眼與硅傳感器的對(duì)比
IGBT的并聯(lián)知識(shí)點(diǎn)梳理：靜態(tài)變化、動(dòng)態(tài)變化、熱系數(shù)
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來(lái)處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載，這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時(shí)也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會(huì)影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電流分配。本文探討了IGBT并聯(lián)的技術(shù)要點(diǎn)，包括靜態(tài)變化、動(dòng)態(tài)變化、熱系數(shù)等。
圖：典型 IGBT 傳輸特性 VGE = 20V
不同于傳統(tǒng)的域架構(gòu)，區(qū)域控制架構(gòu)采用集中控制和計(jì)算的方式，將分散在各個(gè) ECU 上的軟件統(tǒng)一交由強(qiáng)大的中央計(jì)算機(jī)處理，從而為下游的電子控制和配電提供了更高的靈活性。本文重點(diǎn)介紹了系統(tǒng)架構(gòu)和方案。
圖：區(qū)域控制框圖
常規(guī)的間接飛行時(shí)間 (iToF) 技術(shù)盡管潛力巨大，但在實(shí)際應(yīng)用中仍面臨挑戰(zhàn)。為了解決這一難題，安森美開發(fā)了 Hyperlux ID 高性能 iToF 傳感器系列。該系列運(yùn)用先進(jìn)的像素和堆疊技術(shù)及多種特性，拓展了 iToF 方法的應(yīng)用范圍。本文重點(diǎn)介紹了 iToF 的原理和 Hyperlux ID 感知系列的主要特性。
圖：Hyperlux ID 獲取的深度點(diǎn)云圖像
圖像傳感器選型黃金三大標(biāo)準(zhǔn)，工程師必知！
要成功設(shè)計(jì)和開發(fā)需要圖像傳感器的設(shè)備，了解選擇標(biāo)準(zhǔn)的復(fù)雜性和細(xì)微差別至關(guān)重要。設(shè)計(jì)人員需要從眾多參數(shù)中進(jìn)行選擇，例如分辨率、像素大小、像素類型、幀率、快門類型、光學(xué)格式、功能特性等。選擇標(biāo)準(zhǔn)分為三大類：成像性能、產(chǎn)品/系統(tǒng)參數(shù)、工具和其他標(biāo)準(zhǔn)。
圖：三類標(biāo)準(zhǔn)及其子類
區(qū)域控制架構(gòu)的出現(xiàn)是為了應(yīng)對(duì)汽車行業(yè)的快速變化，尤其是電動(dòng)汽車的興起。低壓配電和車載網(wǎng)絡(luò)已取得重大進(jìn)步；分布式區(qū)域配電則簡(jiǎn)化了線束結(jié)構(gòu)，使重量得以減輕，同時(shí)降低了制造復(fù)雜性和成本。
圖：區(qū)域（分布式）配電
IGBT基礎(chǔ)知識(shí)：器件結(jié)構(gòu)、損耗計(jì)算、并聯(lián)設(shè)計(jì)、可靠性
盡管SiC和GaN等寬禁帶半導(dǎo)體的應(yīng)用愈發(fā)廣泛，但在這些新技術(shù)興起前，IGBT已憑借高效、高可靠性的優(yōu)勢(shì)，成為許多高功率應(yīng)用的理想選擇，至今仍適配多種應(yīng)用場(chǎng)景。本文將深入解讀器件結(jié)構(gòu)、損耗計(jì)算、并聯(lián)設(shè)計(jì)、可靠性測(cè)試等，帶大家一站式搞懂 IGBT 的關(guān)鍵知識(shí)點(diǎn)。
圖：溝槽場(chǎng)截止 IGBT 結(jié)構(gòu)
高溫IC設(shè)計(jì)必懂基礎(chǔ)知識(shí)：環(huán)境溫度和結(jié)溫
本文聚焦高溫環(huán)境對(duì)集成電路的影響機(jī)制，同步給出適配高功率場(chǎng)景的抗高溫設(shè)計(jì)方案。通過(guò)深入分析高溫產(chǎn)生的根源，我們旨在緩解其引發(fā)的問(wèn)題，從而增強(qiáng)集成電路在極端條件下的穩(wěn)健性并延長(zhǎng)使用壽命，同時(shí)優(yōu)化整體解決方案的成本。文中重點(diǎn)介紹了工作溫度，包括環(huán)境溫度和結(jié)溫等。
圖：不同應(yīng)用的溫度范圍及溫度曲線示例
本白皮書全面介紹了IGBT并聯(lián)的技術(shù)要點(diǎn)，包括靜態(tài)變化、動(dòng)態(tài)變化、熱系數(shù)、柵極電阻、經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)等，希望為工程師的系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供支持。
圖：獨(dú)立柵極電阻的關(guān)斷波形
2025，深耕致遠(yuǎn)，步履不停
2026，蓄勢(shì)待發(fā)，再譜新篇
提前祝大家元旦快樂(lè)！
?點(diǎn)個(gè)星標(biāo)，茫茫人海也能一眼看到我?
