雙線并進！士蘭微8英寸SiC產線通線，12英寸高端模擬芯片產線同步開工

2026年1月4日，杭州士蘭微電子股份有限公司在廈門市海滄區隆重舉行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線通線儀式暨12英寸高端模擬集成電路芯片制造生產線項目開工典禮”。士蘭微電子董事長陳向東，副董事長、總裁鄭少波，副董事長、制造事業總部總裁范偉宏分別致辭，中國半導體行業協會執行秘書長王俊杰致辭祝賀。來自全國各地的客戶及嘉賓齊聚一堂，共同見證士蘭微電子在第三代半導體和高端模擬芯片領域的能級躍升。

此次通線的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線，是士蘭微電子自主研發且規模化量產的8英寸碳化硅芯片生產線，成功突破了8英寸碳化硅晶圓在制造過程中的多項核心工藝難題，標志著士蘭微電子在第三代半導體領域實現從技術突破到規模化交付的關鍵跨越。項目總投資120億元人民幣，分兩期建設，全部達產后將形成年產72萬片8英寸SiC芯片的生產能力。此次通線的一期項目計劃于2026年至2028年逐步實現產能爬坡，達產后可形成年產42萬片8英寸SiC功率器件芯片的生產能力。該產線將重點服務于新能源電動汽車、光伏、儲能、充電樁、大型白電、AI服務器電源、工業電源等應用場景，助力客戶提升系統能效與功率密度。

同步開工的12英寸高端模擬集成電路芯片制造生產線項目，規劃投資100億元人民幣，聚焦汽車、大型算力服務器、機器人、風光儲、工業、通訊等高端應用，計劃于2027年四季度初步通線，并于2030年實現達產，屆時將形成年產24萬片12英寸模擬集成電路芯片的生產能力。項目的二期規劃將在一期基礎上再投資100億元人民幣，兩期建設全部完成后，將共同形成年產54萬片12英寸高端模擬集成電路芯片的生產能力。該項目的建設，將進一步強化士蘭微電子在特色工藝與高端模擬芯片領域的自主制造能力。

士蘭微電子董事長陳向東表示，兩條產線的推進，不僅是產能的擴充，更是我們與客戶構建技術協同、供應穩定、響應敏捷的合作體系的重要基礎。士蘭將持續投入研發，優化工藝，致力于成為客戶值得信賴的“芯片伙伴”。

公司副董事長、制造事業總部總裁范偉宏在介紹項目進展時強調，8英寸碳化硅的通線和12英寸高端模擬集成電路產線的開工建設，是士蘭發展歷程中的重大里程碑，將進一步完善士蘭在化合物半導體和高端模擬芯片領域的自主制造能力，更好地為各位客戶在系統集成與性能優化方面提供堅實、靈活的解決方案。

此次雙線并舉，是士蘭微電子深耕半導體產業、強化自主制造能力的重要戰略布局，也將為中國半導體產業鏈的自主化與高質量發展注入新的活力。