2025年以來，中國氮化鎵（GaN）產業在技術突破、產品創新和市場應用拓展方面取得了顯著進展。從襯底、外延片到器件設計與制造，多家上市公司在GaN領域的布局逐步深化，推動了產業鏈的成熟與升級。以下基于六家代表性企業的上半年動態，從市場現狀、核心成果、未來趨勢三方面展開分析，全面呈現中國氮化鎵產業發展圖景。
技術突破與場景落地雙輪驅動
目前，中國氮化鎵產業正加速邁入“規模化商用”階段，襯底與外延片環節實現產能擴容與工藝優化，器件環節則在多領域完成批量出貨，產業鏈各環節協同發展態勢顯著。
（一）襯底與外延片：產能釋放提速，工藝迭代聚焦良率與效率
作為氮化鎵產業鏈的上游核心環節，襯底與外延片的技術成熟度和產能規模直接決定產業發展基礎。上半年，頭部企業通過擴產、工藝優化與技術創新，持續夯實產業根基。
三安光電在襯底與外延片領域持續領跑，其硅基氮化鎵技術平臺完成多維度升級：一方面突破高電能利用效率數據中心應用需求，推出高散熱、低寄生的650V及100V耐壓等級GaN產品；另一方面針對人形機器人關節及靈巧手電機領域，優化第一代中低壓高速開關、低導通電阻GaN器件性能參數，并開發出具有自主知識產權的雙向開關GaN器件技術，可滿足車載充電器、充電樁及電機驅動等場景需求。產能方面，公司依托多地區制造基地，持續保障襯底與外延片供應，為下游器件制造提供穩定支撐。
聚燦光電則聚焦外延技術創新與全色系布局，在GaN基藍綠光外延領域，開發出SiO?/Al?O?復合襯底外延生長技術，突破新型襯底基板的性能和良率瓶頸，實現大規模穩定量產；同時結合市場需求，新增高色域光源開發方案，成功研發雙波長和三波長外延層結構，滿足高品質光源應用需求。此外，公司通過優化外延層程序窗口、深挖良率損失細節，實現良率增效與縮時提產，為Mini/Micro LED等高端顯示場景提供優質外延片支持。
英諾賽科作為全球首家大規模量產8英寸晶圓的氮化鎵IDM企業，上半年在襯底與外延片工藝上實現關鍵突破：3.0代產業化平臺技術持續優化，器件性能進一步提升的同時，生產成本顯著下降，單個晶圓芯片產出量提升30%以上；車規、雙向導通和合封IC等新器件平臺的迭代，進一步擴大了產品電壓覆蓋范圍（15V-1200V），為下游多場景應用提供差異化選擇。截至報告期末，公司晶圓產能達每月1.3萬片，整體生產良率超95%，處于業內領先水平。
（二）器件設計與制造：多領域批量出貨，車規與高端消費電子成增長引擎
氮化鎵器件環節是產業鏈價值兌現的核心，上半年頭部企業在車規級、AI數據中心、人形機器人、消費電子等領域實現突破，產品從“樣品驗證”走向“批量交付”，商業化進程顯著加快。
聞泰科技（安世半導體）重點推進氮化鎵場效應晶體管（GaNFET）的場景落地，推出覆蓋40～700V的新型低壓和高壓E-mode GaNFET產品組合，可廣泛應用于消費電子同步整流電源、數據通信DC-DC轉換器、光伏微型逆變器、D類音頻放大器，及電動自行車、叉車等輕型電動車電機控制系統。在汽車電子領域，公司最新的650V高壓GaN HEMT器件已通過吉利與雷諾合資企業浩思動力的驗證，搭載于Gemini小型增程器，通過優化柵極驅動與系統穩定性，實現電機逆變器更高功率密度及輕量化，同時大幅節省系統成本；在消費電子領域，GaNFET芯片已在快充客戶中實現量產，進一步鞏固高效能、低功耗領域優勢。
士蘭微加快車規級氮化鎵器件研發與產能建設，上半年重點推進8英寸車規級GaN功率器件的產品研發與技術成熟，目標明確指向汽車電子高門檻市場。公司依托IDM模式優勢，將氮化鎵器件與自身功率器件、模擬控制、驅動芯片形成協同，計劃打造多品類融合的解決方案，目前車規級GaN器件已進入技術驗證關鍵階段，為后續批量導入車企供應鏈奠定基礎。
華潤微在氮化鎵器件領域實現技術與市場雙重突破：D-MODE平臺產品有序迭代，產品系列進一步豐富，RSP水平持續提升，中高壓平臺6顆產品已于上半年進入開發制版階段，高壓平臺產品預計2025年底下線；E-MODE平臺建設及產品研發取得突破性進展，代表產品可靠性通過1000H考核，為高端應用場景提供技術支撐。市場端，公司氮化鎵功率器件銷售收入同比實現高速增長，在消費電子快充、工業電源等領域完成多家核心客戶導入，同時積極布局車規級應用，為后續增長儲備增量空間。
技術、場景、商業化多維突破
上半年，中國氮化鎵企業在技術創新、場景拓展、商業化落地三大維度取得標志性成果，推動產業從“單點突破”走向“系統成熟”，核心競爭力顯著提升。
（一）技術創新：全電壓譜系覆蓋，合封與雙向器件成新方向
英諾賽科實現多項“全球首次”技術突破，成為行業技術標桿：1200V高壓GaN芯片在工業領域實現全球首次大規模量產出貨，低壓雙向Bidirectional-GaN產品在電池管理系統（BMS）領域成功導入大客戶并批量出貨，100V用于機器人關節的GaN產品在人形機器人領域全球首次量產出貨；同時氮化鎵IC產品設計取得突破，合封技術成熟，收入同比增長近16倍，標志著中國氮化鎵器件從分立器件向高集成度IC邁進。
三安光電在射頻氮化鎵技術上持續精進，針對5G應用優化工藝，采用超薄緩沖層結構外延工藝，匹配客戶端高溫應用下的可靠性需求；同時提前布局6G應用工藝預研，提升工藝平臺的高頻、高功率性能，已與國際通信設備龍頭展開深度合作，為國際頻段開發定制化工藝，樣品進展良好；此外，公司啟動射頻硅基氮化鎵代工平臺建設，為高頻、高功率消費類射頻場景儲備技術，進一步拓寬技術應用邊界。
（二）場景拓展：從消費電子向AI、汽車、機器人全場景滲透
AI及數據中心成為氮化鎵器件新增長極。英諾賽科面向AI及數據中心的銷售同比增長180%，基于100V氮化鎵的48V-12V應用進入量產，且成為國內獨家進入英偉達800V高壓直流方案的芯片供應商，其氮化鎵器件被英偉達新一代架構采用，推動AI數據中心進入高效節能時代；三安光電光技術板塊聚焦數據通訊領域，400G產品出貨持續增加，800G產品開始小批量出貨，為數據中心光模塊提供氮化鎵相關支持；聞泰科技則通過MOSFET、GaNFET等產品進入全球頭部AI服務器/AI PC ODM廠商供應體系，滿足AI設備高功率需求；近期地緣政治影響，或對聞泰科技氮化鎵業務開展構成難以估量的風險挑戰。
新能源汽車領域實現“從導入到量產”跨越。英諾賽科應用于激光雷達、車載充電機（OBC）的車規級GaN芯片交付同比增長128%，并與全球汽車電子頭部企業聯合汽車電子成立聯合實驗室，加速氮化鎵在汽車電力電子系統的場景化應用；聞泰科技GaNFET器件搭載于浩思動力增程器，完成車規級場景驗證并進入量產準備階段；華潤微則推進車規級氮化鎵器件在OBC、DCDC等場景的客戶測試，多家頭部車企及Tier1客戶導入進展順利。
人形機器人成為氮化鎵應用“新藍海”。英諾賽科與多家頭部機器人企業合作，全球首次實現搭載氮化鎵芯片的機器人量產出貨，其150V和100V功率器件廣泛應用于機器人關節電機驅動和內部電源轉換模塊；三安光電針對人形機器人關節及靈巧手電機需求，優化中低壓GaN器件性能，開發雙向開關技術，為機器人動力系統提供高效解決方案，推動氮化鎵成為人形機器人量產的關鍵支撐器件。
（三）商業化：毛利率轉正，全球化布局提速
英諾賽科上半年實現毛利率為6.8%，較2024年同期的-21.6%大幅提升28.4個百分點，成功由負轉正，標志著中國氮化鎵企業從“規模擴張”轉向“盈利導向”，商業化模式逐步成熟。同時，頭部企業全球化布局提速：英諾賽科海外收入達6.37億元，同比增長57.8%，在歐美、亞太市場的品牌認可度持續提升；三安光電通過英國、德國子公司獲取賓利、勞斯萊斯等豪華車企新項目定點，拓展歐洲和中東市場；聞泰科技依托德國漢堡、英國曼徹斯特晶圓廠，為海外汽車客戶提供本地化供應，全球化供應鏈韌性顯著增強。
2025年上半年氮化鎵上市公司營收對比
技術高端化、場景多元化、供應鏈自主化
基于上半年行業動態，中國氮化鎵市場未來將呈現三大發展趨勢，產業競爭力有望進一步向全球第一梯隊靠攏。
（一）技術趨勢：向高電壓、高集成、車規級方向深化
高電壓與高功率密度成為技術研發重點。英諾賽科、三安光電等企業持續推進1200V高壓GaN器件研發與量產，滿足工業電源、新能源汽車800V平臺需求；同時，700V、900V等中高壓平臺產品加速迭代，如英諾賽科700V氮化鎵器件已在美的抽油煙機中量產，未來將拓展至空調、冰箱等家電領域，進一步替代傳統MOS或IGBT方案。
合封與系統級解決方案成差異化競爭焦點。英諾賽科氮化鎵IC合封技術收入同比增長近16倍，聞泰科技、華潤微也在推進GaN與驅動芯片、保護器件的集成，未來“GaN+IC”合封產品將成為主流，大幅提升系統效率、降低客戶設計成本。此外，三安光電開發的雙向開關GaN器件、英諾賽科的Bidirectional-GaN產品，將進一步滿足車載充電機、電池管理系統等雙向能量轉換場景需求，技術差異化優勢持續擴大。
車規級認證與可靠性提升成入場門檻。士蘭微推進8英寸車規級GaN器件研發，華潤微加速車規級GaN器件AEC-Q101認證，聞泰科技則通過車企嚴苛的系統驗證，未來車規級氮化鎵器件將形成“認證-量產-迭代”的良性循環，技術標準與國際接軌，同時推動國內車規供應鏈自主化。
6家上市公司氮化鎵在汽車領域落地情況
（二）場景趨勢：新興領域放量，滲透率持續提升
人形機器人與低空經濟成增量新場景。隨著2025年人形機器人量產元年開啟，英諾賽科、三安光電等企業的GaN器件已進入頭部機器人供應鏈，用于關節電機驅動與電源管理，未來隨著機器人出貨量增長（高盛預測2030年全球人形機器人年出貨量達100萬臺），氮化鎵在該領域的需求將呈爆發式增長；同時，低空飛行器領域逐步起量，三安光電已與小鵬、億航等客戶對接，啟動GaN器件評估送樣，為低空經濟提供動力支持。
AI數據中心與消費電子高端化雙輪驅動。AI數據中心向兆瓦級供電演進，英諾賽科、聞泰科技的GaN器件已進入英偉達、頭部云廠商供應鏈，用于800V高壓直流電源、服務器48V-12V轉換，未來隨著AI算力需求增長，氮化鎵在數據中心的滲透率將從當前的10%左右提升至2028年的30%以上；消費電子領域，除快充外，GaN在空調、電視、音頻系統等高端家電的應用加速，英諾賽科、聚燦光電等企業已與美的、頭部手機廠商合作，推動消費級GaN產品從“小眾高端”走向“大眾普及”。
（三）供應鏈趨勢：IDM模式成主流，自主化與全球化協同
IDM模式優勢進一步凸顯。英諾賽科、聞泰科技、華潤微等企業依托IDM模式，實現從襯底、外延、芯片設計到封裝測試的全鏈條可控，不僅縮短產品迭代周期（如英諾賽科新品從研發到量產僅需6-9個月），還能通過工藝優化降低成本（英諾賽科3.0代平臺使晶圓產出提升30%）。未來，更多企業將采用“設計+制造”協同模式，IDM將成為中國氮化鎵產業的主流經營模式，支撐產業從“跟隨”向“引領”轉型。
供應鏈自主化與全球化并行。國內企業加速國產材料與設備替代，如三安光電、聚燦光電推進國產襯底、MOCVD設備導入，降低對海外供應鏈依賴；同時，頭部企業通過海外建廠、合作拓展全球市場，如英諾賽科與意法半導體聯合開發，三安光電布局歐洲銷售網點，聞泰科技依托海外晶圓廠服務全球客戶，形成“國內供應鏈保障+全球市場拓展”的雙循環格局，提升產業抗風險能力與全球競爭力。
結語
2025年上半年，中國氮化鎵市場實現技術、場景、商業化的全面突破，已從“產業培育期”邁入“快速成長期”。未來，隨著技術向高電壓、高集成深化，場景向AI、機器人、低空經濟拓展，供應鏈向IDM模式與自主化升級，中國氮化鎵產業有望在2030年前成為全球重要的創新與制造中心，為全球半導體產業發展貢獻中國力量。
來源：愛集微
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