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本期分享本期分享丁孟老師關于SiP外殼陶瓷裂紋及開短路異常分析與改進相關研究，旨在為該領域從業者提供工藝理論分析指導。
摘 要
SiP陶瓷外殼具有高集成度、高可靠性、易拆解便于故障定位等特點，在通信、航空、航天等領域得到了廣泛應用，然而，陶瓷體在長期服役過程中可能出現裂紋及開短路異常等可靠性問題。本文從微觀角度分析了SiP外殼缺陷的產生原因。利用復合型材料斷裂曲線圖，結合無損檢測和金相、SEM-EDS等分析技術，詳細探討了SiP外殼陶瓷的疲勞強度及開短路失效機制。通過優化結構設計與制造工藝，有效解決了陶瓷裂紋和開短路異常問題。
0 引 言
系統級封裝（System in package，SiP）可以將多個芯片和無源元件集成封裝在同一個外殼中，與傳統集成電路（Integrated circuit，IC）封裝形式相比，應用更加靈活，可根據用戶需求進行定制化設計，集成多種不同功能元器件，兼容多種輸出接口。其中Sip陶瓷外殼在通信、航空、航天等領域得到了廣泛應用。陶瓷體作為SiP外殼的重要組成部分，其質量直接影響整個SiP外殼的性能和可靠性。SiP陶瓷外殼在長期使用過程中，會出現裂紋、開路、短路等問題。本文針對SiP陶瓷外殼中出現的這些缺陷，采用無損檢測和金相、結合掃描電子顯微鏡（Scanning electron microscope）和能譜儀（Energy dispersive spectrometer）（簡稱SEM-EDS）等分析技術，定位缺陷產生的原因，并通過優化結構設計與制造工藝，有效解決陶瓷裂紋和通斷異常問題。
1 SiP外殼陶瓷裂紋分析及改善措施
1.1 SiP外殼陶瓷裂紋分析
SiP外殼陶瓷體裂紋可分為內應力和外應力。內應力主要來源于外殼生產過程中，包括陶瓷體制備、陶瓷體與金屬零件裝架釬焊、平行縫焊等。這些工序可能導致陶瓷體內部產生應力集中，為裂紋的形成提供了潛在的觸發條件。外殼在篩選和檢驗過程中所經歷的熱處理和機械載荷等，被視為外部激發條件。這些外部條件可能促使已有的微小裂紋擴展，導致結構完整性受損。陶瓷體彎曲強度如果不足，可能無法承受后續釬焊過程中引入的殘余應力，或者無法抵御系統封裝組裝模塊組件生產過程中以及在檢驗和使用期間受到的外部激發條件的影響，最終導致開裂。從微觀結構分析，陶瓷由晶相、玻璃相、氣相組成，其中晶相決定了陶瓷的物理和化學性質。氧化鋁陶瓷中晶相結合鍵為離子鍵，主要特點是滑移系數低、韌性差，受力后很難通過塑性形變來松弛應力，同時氧化鋁陶瓷為多晶結構，氣孔、晶界、二次相等顯微結構都會對陶瓷強度產生影響，一旦受到超過陶瓷自身強度的外力，易產生應力集中，導致微裂紋產生以及裂紋的迅速擴展，呈現穿晶斷裂形貌（如圖1所示）。
圖1穿晶斷裂SEM形貌
通過GB/T6569-2006《精細陶瓷彎曲強度試驗方法》中三點彎曲法測試不同材料彎曲強度，當承受外力后，脆性材料與塑性材料到達極限強度應力與應變之間的關系（如圖2所示）。SiP外殼陶瓷體包含氧化鋁陶瓷和金屬化導線，類似復合材料，同時擁有脆性和塑性特征，理想陶瓷體斷裂的模型（如圖3所示），通過三點彎曲測試實驗可以表征陶瓷體斷裂全過程。當彎曲測試開始后，微裂紋開始在施加的集中載荷力區域內部形成；當載荷力繼續增加，微裂紋形成宏觀裂紋，沿著材料薄弱位置擴展；當裂紋擴展速率到達一定長度或者某個臨界條件時，到達相對穩定狀態，曲線逐漸變緩，接近金屬的塑性屈服階段，此時在陶瓷體內部的金屬化導線韌性抵抗裂紋擴展，這個階段持續時間與材料內部缺陷大小相關；屈服階段結束后，裂紋迅速穿過剩余的基體，材料迅速失去承載能力，發生斷裂，并伴隨陶瓷體內應力的快速釋放。
圖2三點彎曲斷裂模型:（a）三點彎曲模型；（b）不同材料應變曲線
圖3復合材料應變曲線
陶瓷體裂紋失效模式可以分為靜態失效和疲勞失效，靜態失效是指材料所承受的載荷超過了“極限強度”。極限強度本質是一個“應力值”，當材料中某一點處的主應力值大于極限強度時，材料開始靜態失效。然而，陶瓷結構的安全性評估，不能僅依賴極限強度來衡量，結構失效的另一個主要原因為“疲勞強度”，尤其是在需要承受持續循環負荷的應用場合，這種應力并非普通意義上的靜態負荷，而是具有周期性和頻率特征的“循環應力”。陶瓷體在循環載荷下的疲勞過程可分為三個階段：
（1）微觀損傷累積階段。在反復的循環應力作用下，材料的微觀結構開始逐漸損傷，這些損傷最終可能發展為宏觀可見的裂紋。（2）裂紋擴展階段。隨著每一次的循環加載，這些宏觀裂紋會持續增長，逐步延伸至臨界長度。（3）斷裂發生階段。當裂紋擴展到一定程度，使得結構件無法承受循環載荷中的峰值時，結構將發生斷裂。
1.2 SiP外殼陶瓷改善
通過上述分析可知，SiP外殼陶瓷裂紋的改善分別需要從材料、設計、工藝綜合入手。
1.2.1 陶瓷體材料
（1）陶瓷材料
陶瓷材料的理論斷裂強度（σm）代表了材料在發生斷裂前能夠承受的最大應力。在原子尺度上，陶瓷材料的斷裂可以視為原子間鍵的斷裂。原子間分離作用力達到的最遠距離即為原子間斷裂的臨界距離，只有超過臨界距離，材料才能發生斷裂。通過實驗測量或理論計算，可以確定這個臨界距離，并據此推導出材料的σm的計算公式：
其中E為彈性模量，γ為斷裂表面能，a0為原子間距。根據式（1）可知，為了提高陶瓷材料的理論斷裂強度可通過增加材料的彈性模量、提高斷裂表面能及減小原子間距。而實際中材料必然存在各類缺陷，如孔隙、空洞、微裂紋等，導致實際斷裂強度往往遠低于理論斷裂強度。可以通過微觀檢測手段來觀察材料內部缺陷，改進這些缺陷來提高陶瓷強度。
從微觀結構分析，陶瓷材料兩個重要特性是氣孔率和粒徑。氣孔率越高，材料的彈性模量越低。材料的斷裂強度與氣孔率的變化關系可以用經驗公式表示：
其中σ是實測陶瓷強度，n是常數，ρ是氣孔率，σ0是ρ=0時的陶瓷強度。當氣孔率為10%時，陶瓷強度是氣孔率為0時的50%。陶瓷內部氣孔通常存在于晶界處受陶瓷粒徑分布和尺寸影響，均勻的陶瓷粒徑有助于形成穩定的孔隙結構，增強陶瓷強度。此外，小粒徑陶瓷也能有效阻止裂紋擴展，提升陶瓷致密性，減少孔隙和缺陷。因此SiP外殼陶瓷材料在制備階段需控制粉體顆粒大小，混料均勻，避免出現團聚現象，確保燒結后晶粒能夠充分填充在晶界處。
同時SiP外殼陶瓷材料為了提高陶瓷疲勞強度，抵抗“循環應力”帶來的失效風險，除了控制氣孔率手段，還可以通過相變增韌、顆粒彌散增韌、裂紋偏轉增韌、納米技術增韌等手段減少陶瓷脆性，提高陶瓷韌性強度，避免陶瓷產生穿晶斷裂。過上述改善手段陶瓷內部氣孔明顯降低，如圖4所示；抗彎強度明顯提升，如圖5所示，改善前后抗彎強度分別為181Mpa和326MPa。
圖4陶瓷微觀形貌對比:（a）缺陷陶瓷形貌；（b）改進后陶瓷形貌
圖5陶瓷彎曲強度改進前后對比:(a)改進前;(b)改進后
（2）金屬化過孔
SiP外殼由于集成了多種有源、無源及其他器件，功能呈現出多樣化的特點，內部布線復雜。因此，在SiP外殼的設計階段，除了要滿足用戶使用頻段、電磁屏蔽、抗輻射、隔離度等性能的要求外，還必須充分考慮過孔的布局設計，包含過孔的陣列分布、孔與孔之間的中心距離以及孔邊緣到陶瓷邊緣的距離等因素，設計時應預留充足空間，避免陶瓷裂紋的產生。通過實驗驗證，得到孔與孔的間距和孔到陶瓷緣距離對裂紋的影響如表1所示，其中x為孔徑。可知將孔與孔的中心距離控制在孔徑大小的2.5倍以上，孔到陶瓷邊緣的距離控制在0.25mm以上，可以有效避免裂紋的產生。
（3）金屬化圖形
SiP外殼陶瓷體因應力產生微裂紋后，在后續外部受力過程中，其失效過程為裂紋擴展-斷裂。陶瓷層間覆蓋金屬化圖形除了可以抑制通孔結構微裂紋的產生，還可以抑制裂紋的擴展，從而增強陶瓷材料的韌性。
金屬對陶瓷增韌的作用主要體現在裂紋橋接機制上。金屬第二相能夠阻礙氧化鋁晶界的移動，抑制界面處氧化鋁相的生長。同時，裂紋尖端尚未斷裂的金屬顆粒，在裂紋的上下表面形成橋接，有助于緩解裂紋尖端的應力集中，減少裂紋的生成，并減緩裂紋的擴展速度，最終實現陶瓷材料的增韌效果。金屬用于陶瓷增韌時，還需充分考慮金屬層膜厚的選擇，金屬層膜過薄會導致鍵合強度下降，同時金屬層膜也不宜過厚，過厚的金屬層膜可能會抑制顆粒的生長和結晶過程，影響陶瓷材料層間的結合強度（如圖6所示）。因此，為了全面評估陶瓷增韌效果，需要從裂紋缺陷和分層缺陷等多個角度綜合考量，得到最優的膜層厚度。通過實驗驗證，金屬化膜厚對陶瓷掛重和層間結合的影響如表2所示，金屬化膜厚控制在11~15μm之間最為適宜（膜厚超過15μm時，出現了陶瓷分層缺陷）。在這個厚度范圍，陶瓷致密強度最高，裂紋與分層缺陷得到有效控制，顯著提升了陶瓷強度，如圖7所示。
圖6陶瓷分層SEM形貌
（4）金屬件及其釬焊
SiP外殼在釬焊過程中，由于不同材料的熱膨脹系數的差異，陶瓷部件和金屬零件在焊料的作用下可能發生局部拉扯變形現象。此外，如果釬焊過程中冷卻時間控制不當，兩種材料的接觸界面發生不利的化學反應，產生過大的殘余應力，導致陶瓷在焊接界面處附近產生裂紋，如圖8所示。
圖7金屬化強度對比
圖8釬焊后不匹配陶瓷開裂SEM圖
為了避免這些問題，可以采取以下措施：（1）選擇與氧化鋁陶瓷基板熱膨脹系數更接近的金屬部件材料；（2）適當減少封接框架的壁厚，并通過高溫退火處理來消除金屬部件的殘余應力；（3）使用中間層材料，以緩沖兩種材料之間的熱膨脹差異，減少熱失配引起的應力；（4）確定最佳的冷卻速率，減輕應力集中，降低陶瓷基板開裂的風險；（5）焊接完成后，進行全面的質量檢測，包括X射線檢測焊接空洞率、顯微鏡檢查焊接面無焊縫等，以確保焊接接頭的完整性和可靠性。通過這些綜合性措施，提高陶瓷體與金屬部件釬焊的成功率，從而提升SiP外殼的結構強度及其可靠性。
1.2.2 結構設計
SiP外殼根據用戶需求進行定制化設計，為確保SiP外殼陶瓷結構的可靠性，需在前期建立模型進行應力仿真。通過在仿真軟件中設置不同溫度載荷曲線、形式載荷、邊界條件，充分模擬評估SiP外殼生產制造全過程的多種疊加內應力（如釬焊應力等）及外部激發應力（如溫度、機械等），能有效避免管殼陶瓷開裂。圖9為仿真模擬某款外殼生產過程中受到的釬焊應力、溫循應力和恒加應力結果。
圖9外殼所受應力模擬仿真結果:（a）釬焊應力；（b）溫循應力；（c）恒加應力
然而外殼實際使用過程中受到原材料制備、外殼制作工藝等因素影響，模擬仿真不能完全表征實際使用環境，同時仿真過程受到材料參數準確性、材料溫度特性、模型設定、邊界條件等因素制約，因此，仿真數值只能作為外殼應力變化趨勢的定性參考，不能將仿真結果作為應力的唯一判據。
1.2.3 工藝
SiP封裝外殼制造流程主要包含陶瓷體制備、裝配釬焊、鍍覆鎳金工序。
（1）陶瓷體制備
陶瓷體制備階段的打孔工序、層壓工序和生坯切割工序會影響陶瓷彎曲強度，參數設置不當可能會誘發分層、機械損傷等缺陷，進而導致產生裂紋。打孔工序中業界普遍采用機械打孔和激光打孔兩種技術。機械打孔時由于上下模具對廢料的截切作用，會對陶瓷生片孔壁周圍造成一定的崩缺、毛刺、瓷屑等機械損傷（如圖10所示），而激光打孔的原理是以紫外光打斷分子鏈，對陶瓷生片表面進行“冷加工”，損傷小，切口邊緣平滑。對采用兩種打孔技術的陶瓷體進行陶瓷抗彎強度對比測試，激光打孔陶瓷的抗彎強度相對于未打孔時普遍降低30%左右，而機械打孔抗彎強度又比激光打孔低20%左右（如圖11所示）。因此，SiP外殼陶瓷體制備在工藝選擇上，更傾向于采用激光打孔。
圖10機械打孔缺陷:（a）毛刺;（b）陶瓷崩缺;（c）瓷屑
層壓工序中，溫度參數的控制至關重要，需根據實際陶瓷生片中添加劑的軟化點溫度調節，過高的溫度可能導致陶瓷生片塌陷，金屬化圖形鼓包起皮，而過低的溫度可能使壓力分布不均衡，層壓不充分，進而引發分層和裂紋缺陷。此外，層壓保溫時間的長短同樣會影響材料的結合程度，時間過長或過短都可能影響最終陶瓷體的密封性和彎曲強度。
圖11不同打孔方式下陶瓷抗彎強度的對比
超聲掃描（Scanningacousticmicroscope，SAM）無損檢測技術能夠清晰地觀察到材料內部的空洞、縫隙和分層等缺陷（如圖12所示），及時發現問題，調整優化層壓工序工藝參數，確保陶瓷體符合質量標準顯著提高SiP外殼陶瓷可靠性，延長其使用壽命，并在各種應用環境中保持其優異的性能。
圖12陶瓷分層缺陷超聲波掃描
在陶瓷材料的加工過程中，生切缺陷不僅削弱了材料的整體強度，還會導致陶瓷強度分布不均勻。與燒結過程中出現的孔隙率和雜質問題相比，生切缺陷的影響更為廣泛，容易形成陶瓷初始裂紋源。這些缺陷小，難以觀察，且數量眾多，影響范圍超過燒結過程中的孔隙率和雜質問題。因此，優化生切工藝參數對于提高陶瓷的抗彎強度和最終性能至關重要。
為了減少生切對陶瓷體端面的損傷，避免燒結后陶瓷體中存在裂紋（如圖13所示），必須在生切工序前選擇合適的工藝參數，如刀刃長度和角度、刀刃下降速度等。這些參數對于降低生切過程中產生的損傷至關重要。此外，通過側壁打磨等處理方法，可以有效減少陶瓷體初始裂紋的形成。
圖13陶瓷生切缺陷:（a）側壁崩缺;（b）拐角崩缺
（2）平行縫焊
SiP外殼一般采用平行縫焊工藝。平行縫焊存在接觸電阻產生焦耳能量，使接觸位置熔融，凝固形成焊點。平行縫焊過程會對封接框熔融位置施加額外約束，使外殼局部內應力增加，當內應力超過陶瓷強度極限時，就會出現開裂現象（如圖14所示），平行縫焊工藝中影響陶瓷開裂的主要因素有：（1）設備中功率、脈沖、壓力等參數設置不當，導致管殼受到熱沖擊超過管殼陶瓷承受的最大極限；（2）電極輪位置或角度設置不當，導致接觸面積小，造成了熱量局部加載到縫焊環處，易出現陶瓷開裂；（3）連續兩次縫焊過程中沒有間隔時間，會造成局部位置溫升過高，封接框與蓋板熔融后發生更大的變形，增加了陶瓷出現裂紋的概率。因此封帽過程中需嚴格控制封焊能量，選擇合適的電極大小角度，適當延長兩次縫焊中間間隔時間，同時也需調整電極角度，增大與蓋板之間的接觸面積，減少對外殼陶瓷熱沖擊。
圖14平行縫焊后陶瓷開裂:（a）開裂形貌；（b）開裂SEM圖
2 陶瓷開路、短路分析及改善措施
短路及開路缺陷是IC陶瓷外殼常見的兩種缺陷，該缺陷會引發外殼性能下降，甚至導致外殼裝配后電測失效。SiP外殼陶瓷由于高集成度的特點，開短路缺陷的檢測難度比IC陶瓷外殼的更大，分析手段更加多元化。因此，對短路和開路缺陷進行分析和研究，有助于找出缺陷產生原因，提出預防及改善措施，提高SiP外殼陶瓷質量和性能。
2.1 短路
IC陶瓷外殼由于功能單一、內部布線簡單，通常短路現象出現在外部輸出端的引腳或焊盤之間。SiP陶瓷外殼的內部布線比IC陶瓷外殼的復雜，短路缺陷通常出現在陶瓷體內部，是由制造過程缺陷引起的。短路缺陷可以分為陶瓷體制造缺陷引起短路和陶瓷體化鍍缺陷引起外殼短路。
SiP外殼陶瓷體制造引起的短路主要分為平面方向金屬線條短路和垂直方向互連通孔與非導通金屬線條短路。其中導致平面金屬線條短路的主要因素有：（1）印刷過程中由于參數設置或者操作不當，造成的線條之間污染、脫絲、連通，如圖15所示；（2）瓷片表面污染以及瓷片運輸過程中污染，導致線條連通。
圖15自動光學檢測儀檢測印刷缺陷
導致垂直互連通孔與非導通金屬線條短路的因素有：（1）多層陶瓷片疊片過程中拉扯變形，上下層陶瓷片發生偏移錯位，造成短路，如圖16（a）所示；（2）層壓工序參數設置不當，上下層陶瓷片發生塌陷，非導通位置連通，如圖16（b）所示。
因此，為防止SiP外殼陶瓷體短路缺陷，控制措施如下：（1）印刷工序中控制漿料黏度、制網參數、印刷參數，減少印刷過程中缺陷帶來的線條短路，確保線條符合設定要求；（2）加強過程檢驗，運輸過程中使用專用托盤或者固定模具，防止引入污染物；（3）疊片操作過程中采取適當的保護措施，減少人為拉扯情況；（4）層壓工序設置合理工藝參數，防止上下層瓷片錯位塌陷。此外，采用自動光學檢測儀（Auto-maticopticalinspection，AOI）檢測、X-CT掃描、超聲波掃描進行無損檢測，對缺陷進行修復和剔除。
圖16垂直方向短路模型：（a）錯位連接；（b）塌陷連通
此外，SiP外殼陶瓷體在化學鍍過程中，如工藝控制不當，陶瓷背面金屬化與陶瓷交界處、側面腔體根部等非平滑區域容易集聚活化溶液，導致外殼在非金屬化區域產生金斑點，眾多金斑點匯集，易造成短路。針對金斑點進行SEM、聚焦離子束顯微鏡（Focusedionbeam，FIB）切片分析，其主要成分為Ni、P、Au（如圖17所示），表明陶瓷體非金屬區域在化學鍍過程中沉積了活化離子。因此，為防止鍍金斑點引起的短路現象，需加強化學鍍過程中前處理（陶瓷表面污染物清理）頻次及時間，避免活化溶液在非金屬區域聚集。
圖17瓷件化學鍍缺陷:（a）表面Au斑點；（b）腔體根部Au斑點；（c）Au斑點SEM圖；（d）Au斑點FIB切片截面分析；（e）Au斑點FIB切片區域1成分；（f）Au斑點FIB切片區域2成分
2.2 開路
IC陶瓷外殼開路通常表現為外部引腳焊接不良或引腳斷裂，外殼與外部電路沒有形成連接。SiP外殼的開路故障及失效現象與SiP外殼短路情況類似。SiP外殼的大部分開路缺陷發生在陶瓷體內部，由于陶瓷體出現制造缺陷，導致內部金屬圖形及互連通孔柱中存在斷裂點或絕緣點，電流無法正常通過，外殼開路。一般外殼表面通過平面傳輸線相連，內部通過垂直互聯孔引出與背面平面傳輸線條相連，如圖18所示。故開路故障失效模型也分為平面傳輸線開路和垂直互連孔開路兩種模式。
圖18開路缺陷模式
陶瓷體平面傳輸線條通過制備過程中的印刷工藝實現，導致平面傳輸線開路缺陷的主要因素有：（1）單張生瓷片由于印刷參數、漿料制備、網版制備不當，導致線條斷線；（2）瓷帶表面污染或者網版不凈，也可能導致漿料不能均勻鋪展在生瓷片上，導致線條斷開；（3）外殼陶瓷內部由于多種因素疊加應力出現裂紋，導致線條斷開（如圖19所示）。
圖19陶瓷體制造缺陷線條開路：（a）內部印刷斷線；（b）內
部裂紋
因此預防陶瓷平面線條開路缺陷，需嚴格控制印刷工藝參數，保證瓷帶及網版潔凈度，同時杜絕陶瓷裂紋，避免開路缺陷產生。此外，需采用AOI檢測、光學顯微鏡等手段檢查印刷質量，通過飛針測試或集成電路測試儀（Integratedcircuittester，ICT）治具測試方式進行陶瓷通斷篩選，剔除通斷不良品。
陶瓷互連通孔工藝過程為：首先將單張生瓷片打孔，然后在孔內填充金屬化漿料，最后將多層陶瓷片堆疊。垂直互連孔開路、金屬化漿料沒有完全連通主要的因素有：（1）設備參數設置不當，導致出現漏打孔和漏填孔；（2）填孔漿料不均勻、含有雜質，導致通孔柱有瓷屑空洞；（3）填孔漿料黏度不當或者操作不當使漿料被粘掉，層壓后導致金屬化與陶瓷結合位置出現分層情況；（4）疊片錯位，上下層生瓷片層壓后導致金屬柱斷開（如圖20所示）。
圖20陶瓷制造缺陷互連孔斷開:（a）打孔不透；（b）填孔雜質；（c）填孔凹陷；（d）X射線掃描填孔柱中間斷開；（e）X射線掃描填孔柱內部空洞；（f）X射線掃描填孔柱中間縫隙
因此預防陶瓷互連通孔開路缺陷，需嚴格控制打孔參數及填孔參數，保證填孔漿料均勻無雜質，同時，減少上下片之間疊片錯位現象。此外，采用AOI檢測、光學顯微鏡、X?CT掃描等手段檢查通孔質量（如圖21所示），通過飛針測試或ICT治具測試方式進行陶瓷通斷篩選，剔除通斷不良品。
圖21填孔柱斷開CT掃描:(a)填孔柱中間斷開;(b)填孔柱偏移斷開
3 結論
SiP封裝外殼陶瓷缺陷對產品的性能和質量具有重要影響。通過對瓷裂、開路、短路的深入分析，可以更好地理解這些缺陷的形成機制和影響因素。為了提高氧化鋁陶瓷的質量和可靠性，需要采取一系列措施，包括優化原材料、選擇合適的加工參數、加強制造工藝的控制，以及采取適當的檢測修復手段等。通過這些措施的實施，可以有效地減少SiP封裝外殼陶瓷的缺陷，提高其結構強度及可靠性，從而滿足應用需求。
原文參考：莫仲,邵金濤,陳駿,等.SiP外殼陶瓷裂紋及開短路異常分析與改進研究[J].固體電子學研究與進展,2025,45(01):106-113.
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