

參數 | 影響 | 原因 |
紋波電流 | ↓ 減小 | ΔI_L = V×Δt/L,L↑則ΔI↓ |
輸出紋波 | ↓ 減小 | 電感紋波電流小,輸出更平滑 |
效率 | ↓ 降低 | DCR增大,銅損增加 |
瞬態響應 | ↓ 變差 | 電流變化率di/dt=V/L,L大響應慢 |
體積成本 | ↑ 增大 | 需要更大磁芯和更多繞組 |
CCM保持 | 更容易 | 容易維持連續導通模式 |
參數 | 影響 | 原因 |
紋波電流 | ↑ 增大 | 可能超過芯片規格 |
輸出紋波 | ↑ 增大 | 需要更大輸出電容Co補償 |
效率 | ↑ 提高 | DCR小,銅損小(輕載時) |
瞬態響應 | ↑ 變好 | 電流快速響應負載變化 |
體積成本 | ↓ 減小 | 小型化設計優勢 |
DCM風險 | 易進入 | 輕載時進入斷續導通模式 |