麥姆斯咨詢獲悉，近日，我國首條、也是唯一一條氮化鎵（GaN）激光器芯片IDM量產線，已實現穩定運行并產出千萬量級芯片，該產線規劃將于2026年實現大功率藍光激光器的規模化放量生產。該產線由廣西颶芯科技有限責任公司（簡稱“颶芯科技”）打造。
颶芯科技成立于2017年7月，聚焦氮化鎵半導體激光器芯片研發與生產，致力于推動中國氮化鎵激光器芯片的產業化，實現關鍵核心器件的自主可控。作為國內領先的氮化鎵激光器芯片企業，公司以創新驅動為核心，在材料外延、工藝制程和先進封裝等方面不斷突破技術瓶頸，實現了多款自主研發產品的量產與應用，有效提升了國產芯片的性能水平，打破了該領域對海外的進口依賴。
颶芯科技的核心團隊曾從事氮化鎵半導體激光器研究20余年，承擔了中國首個氮化鎵半導體激光器的863重大專項，2004年底在國內首次實現波長為405 nm的脊型波導氮化鎵基激光器的電注入激射，為中國氮化鎵基激光器零的突破做出重要貢獻。2023年，該IDM（設計、制造、封測一體）量產線正式投產，目前已能穩定產出數千萬顆芯片，并率先實現了小功率綠光激光器的國產替代。
颶芯科技下一目標是攻堅大功率藍光激光器，颶芯科技為此已在2025年7月完成了由國家制造業轉型升級基金等機構聯合領投的3億元B輪融資，所融資金將專項用于大功率藍光激光器芯片的量產技術攻關與產能擴建。
《全球激光器技術、市場及應用-2025版》
《氮化鎵（GaN）電子專利全景分析-2023版》
《射頻氮化鎵（GaN）產業現狀-2026版》
《VCSEL專利態勢分析-2022版》
《VCSEL期刊文獻檢索與分析-2022版》
《單光子雪崩二極管（SPAD）專利態勢分析-2023版》
《硅光子及集成光路（PIC）技術及市場-2025版》
