世界先進近日宣布，已與臺積電簽署了一項關于氮化鎵（GaN）制程技術的授權協議，涵蓋650V高壓和80V低壓氮化鎵技術。這一授權協議將幫助世界先進加速其氮化鎵電源元件的開發，并拓展其在資料中心、車用電子、工業控制與能源管理等領域的應用。這些新一代氮化鎵電源元件具有高效率電能轉換的優勢，有望進一步提升世界先進在高效能電源轉換技術的市場競爭力。
根據協議，世界先進將采用臺積電的GaN-on-Si制程技術，這項技術將有助于拓展高壓（650V）至超高壓（1200V）的氮化鎵應用領域。借助臺積電的授權，世界先進不僅能擴展其硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制程平臺，還能結合已有的GaN-on-QST技術平臺，為客戶提供更完整的產品解決方案。這將使世界先進成為全球唯一能夠同時提供硅基氮化鎵和新基底氮化鎵（GaN-on-QST）制程技術的晶圓制造商，能夠支持從低壓（小于200V）到高壓（650V）乃至超高壓（1200V）的完整電源解決方案。
氮化鎵技術因其高效能、高功率密度和小型化特性，正逐漸取代傳統硅基材料，成為新一代電源技術的關鍵。隨著硅基技術的性能逐漸逼近極限，氮化鎵的優勢日益顯現，尤其在高功率、高頻率應用中展現出優異的性能。世界先進通過此次授權，計劃在其成熟的8英寸晶圓生產平臺上驗證新技術，以確保制程的穩定性與高良率。
世界先進的總經理尉濟時表示：“此次技術授權不僅展現了公司與臺積電的持續合作成果，還彰顯了我們在氮化鎵技術領域的持續創新與戰略布局。通過這一授權，我們能夠加速推動高效能電能轉換技術的應用，為客戶提供更多靈活且具有競爭力的選擇，助力綠色能源和智能應用的實現。”
據了解，世界先進目前擁有五座8英寸晶圓廠，分別位于臺灣和新加坡，2025年其月產能將達到約28.6萬片。此次技術授權將進一步加強世界先進在氮化鎵技術方面的布局，為未來的電源裝置生產奠定堅實基礎。
此外，世界先進的這一授權協議并非首次。去年11月，格羅方德（GlobalFoundries）也與臺積電簽署了類似的技術授權協議。格羅方德將引進650V和80V氮化鎵技術，計劃在其美國佛蒙特州的晶圓廠進行驗證，并預計于2026年下半年開始量產。格羅方德表示，氮化鎵技術的引入，將幫助其加強在資料中心、工業和電動汽車等高功率市場中的布局。
氮化鎵作為一種新興的功率半導體材料，因其較硅基材料具有更高的效能和更小的體積，廣泛應用于電動汽車、資料中心、再生能源系統等領域。隨著其市場需求的增加，氮化鎵的生產技術不斷成熟，未來有望推動更多綠色能源與智能應用的發展。
通過這兩項技術授權，臺積電不僅鞏固了其在氮化鎵領域的技術優勢，也進一步加速了全球氮化鎵市場的技術推廣和應用發展。隨著氮化鎵在高效電能轉換領域的應用越來越廣泛，我們有理由相信，氮化鎵技術將在未來幾年內迎來更加快速的市場滲透。
