近日，納微半導體（Navitas Semiconductor）推出其第五代（Gen 5）GeneSiC?碳化硅技術平臺。這一全新平臺的發布標志著高性能功率轉換領域的一項重大飛躍，其核心在于引入了行業領先的“溝槽輔助平面網格”（Trench-Assisted Planar，簡稱TAP）架構，旨在滿足AI數據中心、可再生能源基礎設施及工業電氣化對極高能效與系統可靠性的雙重需求。
圖片來源：納微半導體
#第五代GeneSiC?平臺 通過TAP架構成功突破了傳統碳化硅設計的性能瓶頸。
該技術巧妙地融合了平面型結構（Planar）固有的堅固耐用性與溝槽型結構（Trench）的高單元密度優勢。在關鍵的1200V產品線中，新平臺實現了顯著的參數優化，RDS（ON）×QGD性能（FoM）相比上一代1200V技術提升了35%，這直接導致了傳導損耗與開關損耗的同步大幅降低。同時，高速開關通過QGD/QGS比值提升約25%，這種優化后的電荷平衡使得系統能夠支持更高的開關頻率，從而有效縮小磁性元件的物理尺寸，大幅度提升系統的整體功率密度。
在系統集成與可靠性方面，第五代平臺展現出極強的適應性。其內置的“軟體二極管（Soft Body-Diode）”特性能夠顯著抑制電壓過沖并降低電磁干擾（EMI），這對于對噪聲敏感的AI電源單元（PSU）以及高功率工業驅動器而言至關重要。
#納微半導體 首席執行官Gene Sheridan指出，第五代GeneSiC?不僅是性能上的演進，更是對復雜應用場景下高可靠性需求的深度響應。通過大幅降低系統熱負擔并提升單位面積功率，該平臺為全球能源效率的提升提供了堅實的技術支撐。
目前，第五代GeneSiC? 1200V系列產品已正式進入樣片分發階段，并優先面向戰略合作伙伴供貨。納微半導體計劃于2026年下半年進一步擴大該平臺的生產規模，并陸續推出覆蓋更多電壓等級的產品組合，以全面支持全球范圍內的碳中和與能源轉型目標。
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