近日，由#江蘇第三代半導體研究院有限公司、國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）聯合承擔的江蘇省集萃研究員項目——“六英寸碳化硅晶錠激光隱形切割技術研發”取得重大技術突破，相關成果已由項目承擔單位官方披露，核心技術指標達到行業先進水平，為我國碳化硅產業自主化發展提供重要支撐。
圖片來源：江蘇第三代半導體研究院
據悉，江蘇省集萃研究員計劃是江蘇省產業技術研究院啟動實施的重點人才與技術研發項目，旨在集聚優質創新資源，攻克產業關鍵核心技術，截至目前已啟動超100項高水平技術研發項目，成為推動產業技術升級的重要力量。本次取得突破的項目正是該計劃扶持的重點項目之一。
作為第三代半導體核心材料，碳化硅（SiC）硬度高、脆性大，其晶錠切割一直是產業發展的關鍵瓶頸，傳統切割工藝存在效率低、損耗高、良率不足等問題，嚴重制約碳化硅襯底及后續器件的產業化進程。此次突破的激光隱形切割技術，在核心性能上實現全方位提升。
據項目承擔單位官方披露，該技術在碳化硅晶錠切割效率、良率、損傷控制及減薄精度等方面實現多項關鍵突破，有效解決了傳統工藝的痛點。其切割效率較傳統線切割工藝大幅提升，單片切割耗時顯著縮短，同時晶錠損耗率大幅降低，切割良率穩步提升，遠超行業平均水平。
#國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）作為項目核心承擔單位之一，長期聚焦第三代半導體產業關鍵共性技術攻關，搭建了產學研協同、開放共享的創新平臺，目前已集聚多種創新要素，服務企業和科研機構超500家，攻克多項“卡脖子”技術。江蘇第三代半導體研究院有限公司則依托自身研發優勢，與該中心形成協同創新合力，加速技術研發與成果轉化。
此次技術突破，不僅填補了國內六英寸碳化硅晶錠激光隱形切割領域的技術空白，打破了國外技術壟斷，還將大幅降低碳化硅襯底生產成本，提升我國碳化硅產業的核心競爭力，為新能源汽車、智能電網、5G通信等領域的半導體器件國產化提供重要技術保障，助力我國第三代半導體產業高質量發展。
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