【成員動態(tài)】總投資2億！河北碳化硅半導(dǎo)體裝備項目全速推進(jìn)

近日，位于中國（河北）自由貿(mào)易試驗區(qū)正定片區(qū)的河北晶馳半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項目正加快施工進(jìn)度，為區(qū)域經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展注入新動能。

該項目總投資2億元，一期計劃建設(shè)2棟生產(chǎn)車間和1棟綜合樓。目前進(jìn)度最快的2號生產(chǎn)車間正在進(jìn)行一層頂模板支設(shè)和鋼筋綁扎，預(yù)計本月底一層封頂，1號生產(chǎn)車間和綜合樓同步推進(jìn)建設(shè)，預(yù)計整個項目9月底施工完成，具備投產(chǎn)條件。

該項目建成后，將獨(dú)立研發(fā)、生產(chǎn)、制造碳化硅晶體生長和金剛石晶體生長及相關(guān)半導(dǎo)體材料設(shè)備，預(yù)計年營業(yè)收入2.2億元。

以碳化硅（SiC）等為代表的第三代化合物半導(dǎo)體材料，憑借高擊穿電場強(qiáng)度、高導(dǎo)熱率、高電子飽和速度及耐腐蝕等優(yōu)異物理化學(xué)特性，成為制備高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件的核心基礎(chǔ)材料，在光電子與微電子領(lǐng)域應(yīng)用空間持續(xù)拓展。當(dāng)前行業(yè)正從技術(shù)驗證轉(zhuǎn)向規(guī)模化商用爆發(fā)期，產(chǎn)業(yè)技術(shù)加速迭代，材料良率提升、成本快速下探，進(jìn)一步打開產(chǎn)業(yè)化空間。

隨著SiC產(chǎn)能快速擴(kuò)張、8英寸產(chǎn)線建設(shè)提速以及下游新能源與AI算力需求持續(xù)釋放，化合物半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模保持高速增長，碳化硅襯底、外延、刻蝕、薄膜、清洗、量檢測等專用裝備需求同步快速攀升，成為半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域重要增量賽道。

金剛石以其優(yōu)異的物理特性在工業(yè)、半導(dǎo)體、珠寶等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。作為當(dāng)前單質(zhì)半導(dǎo)體材料中帶隙最寬的材料，金剛石兼具高擊穿電場、大飽和載流子速度、高載流子遷移率和低介電常數(shù)等卓越電學(xué)性質(zhì)，更擁有自然界最高熱導(dǎo)率，是制備下一代高功率、高頻、高溫及低功率損耗電子器件的理想材料，被稱為第四代半導(dǎo)體材料。金剛石襯底材料市場正處于“技術(shù)突破-場景驗證-量產(chǎn)爬坡”的關(guān)鍵階段。

來源：正定發(fā)布

河北晶馳半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項目是正定縣招商選資重點項目，由河北晶馳機(jī)電有限公司投資建設(shè)。企業(yè)深耕半導(dǎo)體材料裝備這一“國之重器”領(lǐng)域，聚焦碳化硅、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體關(guān)鍵生長設(shè)備研發(fā)制造，全力突破國外技術(shù)壟斷，提升國內(nèi)先進(jìn)材料制造能力，實現(xiàn)核心設(shè)備進(jìn)口替代。

企業(yè)聯(lián)合浙江大學(xué)、杭州電子科技大學(xué)等高校，與浙大科創(chuàng)中心共建實驗室，組建由中科院院士、浙大教授領(lǐng)銜的研發(fā)顧問團(tuán)隊，已擁有18項核心專利。

在碳化硅領(lǐng)域，公司率先實現(xiàn)8-12英寸碳化硅單晶爐技術(shù)突破，設(shè)備批量交付頭部企業(yè)；6-8英寸長晶設(shè)備將襯底良率提升至92%，12英寸設(shè)備完成頭部企業(yè)交付與工藝驗證。在金剛石領(lǐng)域，成功產(chǎn)出2-6英寸半導(dǎo)體級單晶，填補(bǔ)國內(nèi)技術(shù)空白。

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